匀强磁场的磁感应强度B=0.1T,一根通电直导线的长度为0.2m
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-06-16
匀强磁场的磁感应强度B=0.3T，一根通电直导线的长度为0.2m，电流是5A，求下列情况下通电导体在磁场中的受
2、F=BIL=0.1N
...2 ,匀强磁场的磁感应强度B=0.1T,方向为x轴正方向,通过线圈的磁通量为...
答：0 或3.46×10 -2 试题分析：线圈ABCO与x轴正方向的匀强磁场平行，没有一条磁感线穿过平面，所以磁通量等于0. 在线圈由图示位置绕z轴向下转过60°时，线圈在中性面上面的投影面积为 ，磁通量 ，磁通量变化量 。
匀强磁场的磁感应强度B=0.1T,一根通电直导线的长度为0.2T,电流是5A.求...
答：（1）电流方向与磁场方向相同时，即B平行I，所以通电直导线不受安培力的作用，即F=0．（2）电流方向与磁场方向垂直时，即B垂直I，此时安培力的大小为F=BIL，即：F=BIL=0.1×5×0.2N=0.1N．故答案为：0，0.1
如图所示,匀强磁场的磁感应强度B=0.1T,矩形线圈的匝数N=100匝,边长...
答：（1）感应电动势的最大值为Em=NBSω=100×0.1×0.2×0.5×100πV=314V． 从图示位置开始计时，线圈转动过程中的感应电动势的瞬时表达式形式为e=Emcosωt=314cos100πt（V），（2）当转轴移动至ab边（其它条件不变），感应电动势的最大值不变，电动势的瞬时值表达式也不变，即为：314c...
如图所示,匀强磁场的磁感应强度B=0.1T,水平放置的框架宽度L=0.4m...
答：（1）感应电动势为：E=BLv=0.1×0.4×5V=0.2V电路中总电阻为：R总=R1R2R1+R2+R=2×32+3+0.8=2Ω流过金属棒的电流为：I＝ER=0.22A=0.1A金属棒ab两端的电压为：U=E-IR=（0.2-0.1×0.8）V=0.12V（2）电阻R1的热功率 P=U2R1=0.1222W=7.2×10-3W答：（1）金属棒ab...
如图所示,匀强磁场的磁感应强度B=0.1T,金属棒AD长0.4m,与框架宽度相同...
答：通过棒的感应电流：I=ER+r=0.223+1.3=0.1 A．（2）电容器两板间的电压：U=IR=0.1×23=115V，电容器带电量：Q=CU=0.3×10-6×115=2×10-8C．答：（1）流过金属棒的感应电流为为0.1A；（2）若图中电容器C为0.3μF，则电容器中储存多少电荷量为2×10-8C．
如图所示,设匀强磁场的磁感应强度B为0.1T,切割磁感线的导线的长度L为40...
答：（1）感应电动势的大小为：E=BLv=0.1×0.4×5V=0.2V（2）感应电流的大小为：I=ER=0.20.5A=0.4A（3）线框向左匀速运动时，水平外力与安培力二力平衡，为：F=BIL=0.1×0.4×0.4N=0.016N答：（1）感应电动势的大小为0.2V；（2）感应电流的大小为0.4A；（3）使线框向左匀速...
高三物理题,帮忙解答。匀强磁场的磁感应强度B=0.1T,金属棒AD长为...
答：（1）金属导体AD切割磁感线产生感应动势。等效电路为AD相当于电源 R2与R1并联 E=BLV=0.1×0.4×5=0.2v R总=(R1R2/R1+R2)+r=1Ω I=E/R=0.2A （2）Q=CU 电容器与R1R2并联 U=U1=U2 =E-Ir=0.2-o.2×1/3=2/15 Q=4×10-8 ...
匀强磁场的磁感应强度B=0.1T,一根通电直导线的长度为0.2m
答：1、F=0平行时不受力 2、F=BIL=0.1N
...=0.1Ω,质量m=0.4kg.垂直于导线框的匀强磁场磁感应强度B=0.1T...
答：则这个过程中电路消耗的电能为Q= 1 2 m v 2 =5J答：（1）导体两端的电压U ef 是0.16V，e端电势高．（2）使导体ef向右做匀速直线运动所需的最小外力的大小是0.16N，方向水平向右．（3）某时刻撤去外力，直到导体停止运动，这个过程中电路消耗的电能为5J．
...一个水平方向的匀强磁场,磁感应强度大小为B=0.1T
答：由②③可解得离子射出电场后的速度大小为v1=2×103m/s，离子在磁场中做圆运动的半径为r1=0.1m．此时粒子进入磁场后的径迹如图答2所示，O1为径迹圆的圆心，A点为离子能射到荧光屏的最左端点．由几何知识可得：tanα2＝r1R＝0.1103×10?2＝33，所以α=60°所以AO′=Htan（...
（1）∵电流方向与磁场方向相同时，即B平行I∴F="0……………………………………………" …………………………（2）（2）∵电流方向与磁场方向垂直时，即B垂直I∴安培力的大小F="BIL……………………………" …………… ……….（2）即F=BIL=0.3×0.2×5N="0.3N…………………………….………" ……..（4 略
（1）电流方向与磁场方向相同时，即B平行I，所以通电直导线不受安培力的作用，即F=0．（2）电流方向与磁场方向垂直时，即B垂直I，此时安培力的大小为F=BIL，即：F=BIL=0.3×0.2×5N=0.3N．答：（1）电流方向与磁场方向相同时，安培力的大小为零；（2）电流方向与磁场方向垂直时，安培力的大小为0.3N．
1、F=0平行时不受力2、F=BIL=0.1N
答：0 或3.46×10 -2 试题分析：线圈ABCO与x轴正方向的匀强磁场平行，没有一条磁感线穿过平面，所以磁通量等于0. 在线圈由图示位置绕z轴向下转过60°时，线圈在中性面上面的投影面积为 ，磁通量 ，磁通量变化量 。
答：（1）电流方向与磁场方向相同时，即B平行I，所以通电直导线不受安培力的作用，即F=0．（2）电流方向与磁场方向垂直时，即B垂直I，此时安培力的大小为F=BIL，即：F=BIL=0.1×5×0.2N=0.1N．故答案为：0，0.1
答：（1）感应电动势的最大值为Em=NBSω=100×0.1×0.2×0.5×100πV=314V． 从图示位置开始计时，线圈转动过程中的感应电动势的瞬时表达式形式为e=Emcosωt=314cos100πt（V），（2）当转轴移动至ab边（其它条件不变），感应电动势的最大值不变，电动势的瞬时值表达式也不变，即为：314c...
答：（1）感应电动势为：E=BLv=0.1×0.4×5V=0.2V电路中总电阻为：R总=R1R2R1+R2+R=2×32+3+0.8=2Ω流过金属棒的电流为：I＝ER=0.22A=0.1A金属棒ab两端的电压为：U=E-IR=（0.2-0.1×0.8）V=0.12V（2）电阻R1的热功率 P=U2R1=0.1222W=7.2×10-3W答：（1）金属棒ab...
答：通过棒的感应电流：I=ER+r=0.223+1.3=0.1 A．（2）电容器两板间的电压：U=IR=0.1×23=115V，电容器带电量：Q=CU=0.3×10-6×115=2×10-8C．答：（1）流过金属棒的感应电流为为0.1A；（2）若图中电容器C为0.3μF，则电容器中储存多少电荷量为2×10-8C．
答：（1）感应电动势的大小为：E=BLv=0.1×0.4×5V=0.2V（2）感应电流的大小为：I=ER=0.20.5A=0.4A（3）线框向左匀速运动时，水平外力与安培力二力平衡，为：F=BIL=0.1×0.4×0.4N=0.016N答：（1）感应电动势的大小为0.2V；（2）感应电流的大小为0.4A；（3）使线框向左匀速...
答：（1）金属导体AD切割磁感线产生感应动势。等效电路为AD相当于电源 R2与R1并联 E=BLV=0.1×0.4×5=0.2v R总=(R1R2/R1+R2)+r=1Ω I=E/R=0.2A （2）Q=CU 电容器与R1R2并联 U=U1=U2 =E-Ir=0.2-o.2×1/3=2/15 Q=4×10-8 ...
答：1、F=0平行时不受力 2、F=BIL=0.1N
答：则这个过程中电路消耗的电能为Q= 1 2 m v 2 =5J答：（1）导体两端的电压U ef 是0.16V，e端电势高．（2）使导体ef向右做匀速直线运动所需的最小外力的大小是0.16N，方向水平向右．（3）某时刻撤去外力，直到导体停止运动，这个过程中电路消耗的电能为5J．
答：由②③可解得离子射出电场后的速度大小为v1=2×103m/s，离子在磁场中做圆运动的半径为r1=0.1m．此时粒子进入磁场后的径迹如图答2所示，O1为径迹圆的圆心，A点为离子能射到荧光屏的最左端点．由几何知识可得：tanα2＝r1R＝0.1103×10?2＝33，所以α=60°所以AO′=Htan（...
