p型半导体与n型半导体导电机理是什么

kuaidi.ping-jia.net  作者:佚名   更新日期:2024-05-09
什么是P型半导体和N型半导体?都有哪些性质呢?

P型半导体
多数载流子为空穴的半导体。
型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。
N型半导体
多数载流子为电子的半导体
也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
  在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素(如磷、砷、锑等),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电(Negative)的电子载流子,称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电,由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

P型,晶格中缺电子的掺锄硅体,N型晶格中有多余电子,导电机理,电子由N区向p区流动能形成电流,反过来则不形成电流

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  • 半导体中为什么N型导电P型导电?
    答:N型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。形成原理 掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素,当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供...
  • p型半导体和n型半导体区别
    答:p型半导体指的是半导体材料中掺杂了少量杂质,使得材料中出现电子空穴,因而导电性与晶体内的空穴浓度成正比。p型半导体材料的电导率主要来自于具有电子空穴的空穴。而n型半导体则通过掺杂少量的杂原子,如磷、氮等元素来增加半...
  • p型半导体与n型半导体导电机理是什么
    答:p型半导体依靠的空穴导电;n型半导体依靠的电子导电。
  • P型半导体带正电,N型半导体带负电。对错
    答:P型半导体或N型半导体因为掺的“杂质”不同 导致空穴占多或载流电子占多 但本身都是电中性的 所参杂质能够有效影响半导体的导电性。两者结合会形成PN结。静态情况下,仍不带电。PN结 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,...
  • 为什么N型半导体中不导电的是正离子而P型半导体是负离子
    答:4个形成共价键,还有一个形成自由电子 所以N型半导体导电的是电子 相反,P型 中掺杂 3 族元素 如B 硼 你可以这样理解,B 与 Si形成共价键需要从外间获取一个电子,形成一个空穴,所以导电的是空穴 既是正电子。
  • p型半导体与n型半导体的导电方式
    答:p型半导体靠空穴导电,n型半导体靠自由电子什么导电。其实他们都是靠自由电子导电,只不过 p型半导体导电是感觉好像是空穴在移动。
  • PN结为什么会产生单向导电特性
    答:在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因,有一些电子从N型区向P...
  • 半导体的类型-N型、P型是怎样定义和区别的?
    答:在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由...
  • ...观点说明什么是本征半导体、N型半导体和P型半导体。
    答:杂质原子中的电子容易跃入导带形成载流子,这种掺杂形成的半导体称为N型半导体。当掺杂原子的能级处在半导体满带顶部形成受主能级时,满带中的电子跃入杂质能级后形成空穴载流子,这种掺杂形成的半导体称为P型半导体。
  • pn结的形成机理是什么?
    答:在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因,有一些电子从N型区向P...