半导体的类型-N型、P型是怎样定义和区别的？
下面，我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。
P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。
N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
扩展资料
半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
以GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础，其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中，蓝色发光二极管LED率先实现商品化生产 成功开发蓝光LED和LD之后，科研方向转移到GaN紫外光探测器上 GaN材料在微波功率方面也有相当大的应用市场。氮化镓半导体开关被誉为半导体芯片设计上一个新的里程碑。美国佛罗里达大学的科学家已经开发出一种可用于制造新型电子开关的重要器件，这种电子开关可以提供平稳、无间断电源。
参考资料
半导体-百度百科
半导体的类型是通过杂质（掺杂物）的类型和数量来定义和区别的。半导体主要有两种类型：N型（n-type）和P型（p-type）。
1. N型半导体：
- N型半导体是通过在纯净的半导体晶格中掺入少量阴离子（通常是磷P或砷As）而形成的。
- 这些阴离子引入了多余的自由电子，因此N型半导体富含自由电子，而电子是负电荷。
- N型半导体的电子浓度远远大于空穴浓度，因此它以电子为主导的载流子。
2. P型半导体：
- P型半导体是通过在纯净的半导体晶格中掺入少量阳离子（通常是硼B或铝Al）而形成的。
- 这些阳离子引入了多余的空穴，因此P型半导体富含空穴，而空穴是正电荷。
- P型半导体的空穴浓度远远大于电子浓度，因此它以空穴为主导的载流子。
区分N型和P型半导体的关键是掺杂材料的类型。N型半导体中的掺杂材料是负离子，而P型半导体中的掺杂材料是正离子。这两种类型的半导体具有截然不同的电荷载流子，这使它们适用于不同的电子器件和应用。
这些半导体类型的控制和组合使得半导体器件如二极管、晶体管和集成电路等成为现代电子设备的基础。
答：在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。P型半导体：也称为空穴型半导体。P型...
答：掺杂过程涉及向本征半导体添加掺杂物原子，从而在达到热平衡的过程中改变电子和空穴这两种载流子的分布。根据杂质半导体中主要影响力的载流子，可以将半导体分为P型半导体和N型半导体。引入杂质后的半导体是很多电子器件的基础。
答：n p是半导体的类型 n型是在本征半导体内掺杂一些Va族等的金属或者非金属原子 使得半导体内部出现“多余”电子 使得自由电子浓度远远大于空穴 p型就是掺杂一些IIIa族等的原子 使得空穴浓度远远大于自由电子 ...
答：在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体。纯净半导体中掺入微量的杂质元素，形成的半导体称为杂质半导体。半导体根据掺入的杂质元素的不同，可以分为P型半导体和N型半导体。二极管...
答：这些自由电子在半导体中移动时就可以导电，因此n型半导体表现出良好的导电性能。五价元素的定义 五价元素是指化学元素的一个类别，这些元素在元素周期表中位于第15族，它们有五个价电子。常见的五价元素包括磷（P）、砷（...
答：半导体中的 P 型和 N 型是指掺杂有不同类型杂质的半导体材料。在晶体管和其他半导体器件中，这些掺杂区域被用来创建 PN 结，这是一种电子器件，它能够控制电子流。P 型半导体通常是硼等三价元素掺杂到硅或锗等四价元素...
答：用左手定则，磁场方向穿过手心，四指方向为电流方向，拇指为电场方向,拇指指向负电荷一侧，此时为P型半导体，空穴型.若方向正好相反，则为N型半导体，也是电子型。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在...
答：N型和P型半导体之间的主要区别在于它们的电导率和电荷载流子。半导体的电导率由其电荷载流子的密度和迁移率决定。在N型半导体中，掺杂过程引入的额外电子是主要的电荷载流子。这些电子在晶格内相对自由地移动，有助于N型材料的...
答：图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散...
答：n-type和p-type半导体区别为：是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。一、是多数载流子不同 1、n-type半导体：n-type半导体的多数载流子是电子。2、p-type半导体：p-type半导体的多数载流子是空穴。二、高温导电...
