正向加电压时哪种载流子参与导电?硅、锗为主要材料制成的二极管,分别的死区电压、导通电压为多少?

锗材料二极管死区电压为多少伏

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锗材料二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到，一般导通后的压降按0.2V计算；
硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V，通后的压降按0.7V计算。

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4007硅二极管实际电压和正向电流关系，差不多电流每增加10倍，电压增加0.1V：
uA量级——0.4V；
mA量级——0.7V；
A量级——1V以上。

正向加电压时，如果是P型半导体，空穴参加导电，N型半导体电子参与导电。
硅为主要材料制成的二极管,死区电压0.6V左右、导通电压为0.7V左右。
锗为主要材料制成的二极管,死区电压0.2V左右、导通电压为0.3V左右。

场效应管IRF840是大功率开关三极管吗?
答：普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，...

硅二极管加正向电压V。V>=0.7时通导,V<=0.5时截止。V=0.6时呢?_百度知...
答：而你说的导通截止，是一般情况下，二极管正常工作下为0.7V左右（这时电压的一点变化会导致电流的剧烈变化），这也是要求不高的情况下为了理解和计算的近似值。小于0.5V,id基本小到忽略不计了，所以说是截止。这种导通和...

PN结是什么?
答：PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。\x0d\x0aPN结的电容效应\x0d\x0a PN结具有一定的电容效应,它由两方面的因素...

一、填空题 1、半导体导电的载流子不仅有带负电的 ,还有带正电的...
答：带负电的为电子，正电的为空穴，锗管正向压降为0.3V，硅管为0.7V！

二极管,分别是硅管还是锗管有几种方法?具体是什么?
答：其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的...

PN结上为什么加正向电压可以导通?
答：一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区就是PN结。PN结加正向电压时，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内...

半导体物理学的载流子输运
答：表面电场在排斥多数载流子的同时,也会吸引少数载流子,所以在MIS上加有足够大的电压时,会在半导体的极表面出现一个由少数载流子导电的薄层。它与半导体内部之间隔有空间电荷区,其中多数和少数载流子极为稀少,基本上是“耗尽”的。这种由反...

外加电压下,n型半导体中主要是什么电流
答：如将V族元素砷杂质加入到IV族半导体硅中。它能改变半导体的导电率和导电类型。对n型半导体，电子激发进入导带成为主要载流子。例如，掺入第15(VA)族元素(磷、砷、锑、铋等)的硅与锗。也有某些固体总是n型的，如ZnO，TiO...

是否硅二极管两端加上正向电压时立即导通
答：这个问题在不同的量级上有不同的回答。在日常的生活中是的，在电子线路中就不一定了，它要超过硅一极管的死区电压才能导通。再一个还有个导通的时间问题，虽说很短可在理论上也是要考虑的。

当光照到某些半导体时,半导体内将会产生电流...
答：由此可见,空穴也是一种载流子。当半导体处于外加电压作用之下,通过它的电流可以看作是由自由电子的定向移动所形成的电子流,另一部分是带正电的空穴定向移动。所以半导体中,不仅有电子载流子还有空穴载流子,这是半导体导电的一个特点。这种...