外加电压下,n型半导体中主要是什么电流

变频电机是指在标准环境条件下，以100%额定负载在10%~100%额定速度范围内连续运行，温升不会超过该电机标定容许值的电机。
异步电动机的转速当转差率变化不大时，转速正比于频率，可见改变电源频率就能改变异步电动机的转速。在变频调速时，总希望主磁通保持不变。若主磁通大于正常运行时的磁通，则磁路过饱和而使励磁电流增大，功率因数降低；若主磁通小于正常运行时的磁通，则电机转矩下降。
平衡质量高，震动等级为R级（降振级）机械零部件加工精度高，并采用专用高精度轴承，可以高速运转。

扩展资料
变频电机经AMCAD软件设计的YP系列电机，与传统变频电机相比较，具备更宽广的调速范围和更高的设计质量，经特殊的磁场设计，进一步抑制高次谐波磁场，以满足宽频、节能和低噪音的设计指标。具有宽范围恒转矩与功率调速特性，调速平稳，无转矩脉动。
与各类变频器均具有良好的参数匹配，配合矢量控制，可实现零转速全转矩、低频大力矩与高精度转速控制、位置控制及快速动态响应控制。
YP系列变频专用电机可配制刹车器，编码器供货，这样即可获得精准停车，和通过转速闭环控制实现高精度速度控制。
采用“减速机+变频专用电机+编码器+变频器”实现超低速无级调速的精准控制。YP系列变频专用电机通用性好，其安装尺寸符合IEC标准，与一般标准型电机具备可互换性。
变频电机试验一般需要采用变频器供电，由于变频器输出频率具有较宽的变化范围，且输出的PWM波含有丰富的谐波，传统的互感器及功率计已经不能满足试验的测量需要，应该采用变频功率分析仪及变频功率变送器等。
标准化电机试验台是响应节能减排，针对电机能效提升计划而推出的新型试验系统。标准化电机试验台将复杂系统标准化、仪器化，提高了系统可靠性，简化了安装调试过程，降低了系统成本。
参考资料来源：百度百科-变频电机

二极管的工作原理
用专门的制造工艺在同一块半导体晶片上,形成 P型半导体区和N型半导体区,在这两个区的交界处就形成了一个PN 结.PN结是构成各种半导体器件的基础。PN结两端各焊接个电极就成了二极管。所以要了解二极管的工作原理就要先学习.PN结的单向导电性。
一、.PN结的单向导电性：
PN结的最基本、最主要的性质是单向导电性.
(1)因为N型半导体掺入5价微量元素会产生自由电子,P型半导体掺入3价微量元素会产生空穴载流子；但总体上N型半导体和P型它们都不显电性而呈电中性。 你想把它们放一起，在交界面两侧出现载流子的浓度差 ，即N型半导体自由电子数目多（它内部也有很少量的孔穴），P型半导体孔穴数目多（它内部也有很少量的自由电子），浓度高的载流子向浓度低的一侧扩散.
(2) 多子的扩散运动形成空间电荷区及内电场：N型半导体自由电子扩散到P区的话，P区就多了带负电的电子（原来它是电中性的）显负电性，同理N区因跑走了带负电的自由电子而显正电性啦。你再想一边是带正电，一边是带正电就形成空间电荷区及内电场。如图所示。

（3）内电场会随着多子的继续扩散而加强最后反而由阻止多子的继续扩散。电场是有方向的，方向是由高电位指向低电位的（对PN结来说就是由N区指向P区)，电场对带电粒子是有电场力的，推着正电粒子由高电位移向低电位，具体在这里就是带负电的自由电子应该有P区到N区的，那么这和刚才的多子扩散运动方向（N型半导体自由电子扩散到P区）是不是矛盾啊.对啊多子扩散的结果就是它们形成了内电场，而它们形成的内电场由阻碍它们的继续扩散。
（4）内电场对少子来说是利于它们的运动（把少子的移动叫漂移），因为多子带的电荷极性与少子相反，既然阻止多子的扩散运动，那它必然利于少子的漂移运动的。少子如果大量漂移的话会导致内电场的减弱，其原理与上述的多子相同。
（5）多子互向对方区域扩散→形成空间电荷区及内电场→阻止多子扩散,推动少子漂移,形成漂移电流→使空间电荷区变窄，又有利于多子扩散，不利于少子漂移→以上两个过程的作用相反,互为因果,互相制约,达到动态平衡→最后使空间电荷区宽度一定,内电场强度一定。通过PN结的总电流为零。
二、二极管的工作原理
1.外加正偏电压 P区接电源正极,N区接电源负极——正向导通电流 P区→N区
外加正偏电压 产生的外电场与PN结的内电场方向相反，内电场被削弱。有利于多子的扩散，形成很大的扩散电流，在外电路形成很大的正向电流IF。此时，空间电荷区变窄，呈现低电阻，PN结导通。
2.外加反偏电压 P区接电源负极,N区接电源正极。
外加反偏电压与PN结的内电场方向相同，内电场被加强。不利于多子的扩散，有利于少子的漂移，即P区电子向N区漂移，N区空穴向P区漂移。漂移电流方向自N区→P区。但由于少子浓度极低，在外电路形成的反向电流IR很小，IR≈0。此时，空间电荷区加宽，PN结呈现高电阻，PN结截止。
3 结论：二极管加正向电压的时候它像一个小的电阻一样，电流可以通过，电路是通的；当加反向电压的时候，它是截止的，对电路来讲相当于断路。

外加电压下,n型半导体中主要是电子电流

N型半导体，以电子为多数载流子的半导材料，n为negative(负)之意。n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使禁带中出现杂质能级，若杂质原子能给出电子的，其能级为施主能级，该半导体为n型半导体。如将V族元素砷杂质加入到IV族半导体硅中。它能改变半导体的导电率和导电类型。对n型半导体，电子激发进入导带成为主要载流子。例如，掺入第15(VA)族元素(磷、砷、锑、铋等)的硅与锗。也有某些固体总是n型的，如ZnO，TiO，V2O5和MoO3等

在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。