三星中国芯片厂再投资80亿美元，能否压制国产内存创新？

韩国媒体报道，三星电子已决定向其中国芯片生产设施追加投资80亿美元，旨在提升NAND闪存芯片生产能力。这一举措预计是基于对2022年全球内存芯片市场复苏的预期，尤其是5G设备和网络需求的强劲增长。

作为全球NAND闪存芯片市场的领导者，三星早前已承诺在西安投资70亿美元，用于生产NAND闪存芯片，这些芯片广泛应用于移动设备、存储卡、USB驱动器和固态硬盘。2017年的计划还包括108亿美元用于西安的检测和包装工厂。此次新增的80亿美元投资，标志着三星西安闪存芯片项目二期的第二阶段，总投资额将达到150亿美元，其中一期70亿美元，二期80亿美元。

预计到2021年，二期项目将竣工，新增每月13万片的产能，带来300亿元的产值。此举旨在强化三星在面对中国本土内存制造商，如紫光集团长江存储科技的挑战时，保持技术创新和市场领导地位。今年9月，长江存储已宣布开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以应对市场多元化需求。

三星此次投资的深远意义在于，通过技术创新和产能扩大，不仅稳固其在内存芯片市场的主导地位，还可能对国产自主内存构成压力，体现了其对中国市场的重视和竞争策略。