场效应管irf820在电磁炉中的作用？
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-07-08
电磁炉会爆炸吗？
场效应管分类 型号 简介 封装
DISCRETE
MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92
DISCRETE
MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23
DISCRETE
MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9520 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9540 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9610 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9620 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P
DISCRETE
MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P
DISCRETE
MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P
DISCRETE
MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR9020TF D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFU410A 500V I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFZ20A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFZ30 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFZ40 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220
DISCRETE
MOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK
DISCRETE
MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP
DISCRETE
MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP
DISCRETE
MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP
DISCRETE
MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH60N10 TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P)
DISCRETE
MOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P)
DISCRETE
MOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P)
如有出入请明示，争取完善、正确！
场效应管irf820在电磁炉中的作用?
答：这是大功率高耐压开关管，用来将220V交流整流出来的300V左右的直流，变换成高频交流电，加载到感应线圈上，然后通过电磁感应在锅底中产生高频涡流，是锅底发热。
三极管SvF2N60F可用什么型号的管子代替
答：这是现在常用的N沟道场效应管，Id为2A，耐压值为600V，你可以用常用的IRF820替换。
电子元器件中IRFZ24N是指的啥意思
答：这个是一个场效应管，其基本参数如下：漏源电压：Vds=55V 漏极电流：Id=17A 功率：Ptot=45W 结温：Tj=175C 漏极与源极内阻：Rds=70mΩ 具体参数请查看IRFZ24N的使用手册。
BSN304可以用什么代换?
答：BSN304是N沟道D-MOS管，具体参数:vds=300v Id=250ma ptot=1w vgso=20v代换型号有：IRF710 720 730 740 IRF820 830等，代换时应在D-S极加一快恢复阻尼二极管。
求P型MOS管型号
答：场效应管分类 型号 简介 封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530...
NPN三级管-2N918可以用什么代替?
答：2SD350 D2027、2SD348 行输出管 2SD380 D209、2SD348 行输出管 2SD869 2SD993、2SD898B 行输出管 C3150 C3151、C3152 开关管 BU508A BU508D、C3893、C3895、C3897 开关管 彩显中易损场效应管主要参数表 型号 功率Pcm/W 最大电流IDM/A D-S极间耐压 价格 2SK534 100W 5A 800V 2SK538 100 ...
DA5371和CA2050三极管参数代换
答：3DA5371是NPN的，180伏1.5安培 15瓦，可以用2SC2344代替；3CA2050是PNP 的数据一样的。http://www.21icsearch.com/preview.shtml?id=91DE3EE95250A537 http://www.21icsearch.com/preview.shtml?id=F6313CD3E9145362 参考资料：http://www.21ic.com/ ...
BSN304怎么代换?
答：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、...
电磁炉的寿命可以保持3年左右，不会因用的时间比较常而爆炸，电磁炉不可以超过5小时，要把锅底的水擦干在放上去，不擦会导致效果不好，使用电磁炉在这两种情况下容易发生爆炸：
1、电磁炉利用电磁感应原理加热，当磁场内的磁力通过含铁物体时会与铁产生反应，并高速发热，电磁波不仅作用于电磁炉面板上，对电磁炉上下左右都会有影响。因此，在金属托盘上放置电磁炉，易导致电磁炉爆炸。
2、在电磁炉上放置手机的时候，电磁炉会爆炸，手机含有铁等金属元素一旦开启电磁炉，手机会在高温下燃烧爆炸。
工作流程
1、当一个回路线圈通予电流时，其效果相当于磁铁棒。因此线圈面有磁场N-S极的产生，亦即有磁通量穿越。若所使用的电源为交流电，线圈的磁极和穿越回路面的磁通量都会产生变化。
2、感应的电流越大则所产生的热量就越高，煮熟食物所需的时间就越短。要使感应电流越大，则穿越金属面的磁通变化量也就要越大，当然磁场强度也就要越强。这样一来，原先通过交流电的线圈就需要越多匝数缠绕在一起。
要看每天累积使用时间的长短。
这个功率的电磁炉，满负荷工作时候，每工作一个小时就要用2.2度电。
正常来说，按照每累计使用时间2小时计算，平均工作功率1600W计算，则每天的用电量是3.2度左右，而一个月的用电量就是100度左右。
场效应管分类 型号 简介 封装
DISCRETE
MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92
DISCRETE
MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23
DISCRETE
MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9520 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9540 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9610 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF9620 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P
DISCRETE
MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P
DISCRETE
MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P
DISCRETE
MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFR9020TF D-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFU410A 500V I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK
DISCRETE
MOS FET IRFZ20A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFZ30 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFZ40 TO-220
DISCRETE
MOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220
DISCRETE
MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F
DISCRETE
MOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220
DISCRETE
MOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220
DISCRETE
MOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK
DISCRETE
MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP
DISCRETE
MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP
DISCRETE
MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP
DISCRETE
MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH60N10 TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK
DISCRETE
MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P)
DISCRETE
MOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P)
DISCRETE
MOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F
DISCRETE
MOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P)
如有出入请明示，争取完善、正确！
答：这是大功率高耐压开关管，用来将220V交流整流出来的300V左右的直流，变换成高频交流电，加载到感应线圈上，然后通过电磁感应在锅底中产生高频涡流，是锅底发热。
答：这是现在常用的N沟道场效应管，Id为2A，耐压值为600V，你可以用常用的IRF820替换。
答：这个是一个场效应管，其基本参数如下：漏源电压：Vds=55V 漏极电流：Id=17A 功率：Ptot=45W 结温：Tj=175C 漏极与源极内阻：Rds=70mΩ 具体参数请查看IRFZ24N的使用手册。
答：BSN304是N沟道D-MOS管，具体参数:vds=300v Id=250ma ptot=1w vgso=20v代换型号有：IRF710 720 730 740 IRF820 830等，代换时应在D-S极加一快恢复阻尼二极管。
答：场效应管分类 型号 简介 封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530...
答：2SD350 D2027、2SD348 行输出管 2SD380 D209、2SD348 行输出管 2SD869 2SD993、2SD898B 行输出管 C3150 C3151、C3152 开关管 BU508A BU508D、C3893、C3895、C3897 开关管 彩显中易损场效应管主要参数表 型号 功率Pcm/W 最大电流IDM/A D-S极间耐压 价格 2SK534 100W 5A 800V 2SK538 100 ...
答：3DA5371是NPN的，180伏1.5安培 15瓦，可以用2SC2344代替；3CA2050是PNP 的数据一样的。http://www.21icsearch.com/preview.shtml?id=91DE3EE95250A537 http://www.21icsearch.com/preview.shtml?id=F6313CD3E9145362 参考资料：http://www.21ic.com/ ...
答：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、...
