比较TTL电路和CMOS电路的主要特点
集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间看，要么PMOS导通，要么NMOS导通，要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。
TTL全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。
集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。
CMOS是Complementary
Metal
Oxide
Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间看，要么PMOS导通，要么NMOS导通，要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。
TTL全称Transistor-Transistor
Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar
Junction
Transistor
即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。
1. TTL逻辑电平即Transistor-Transistor Logic。最小输出高电平VOHmin：2.4V ，输出低电平VOLmax：0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V 输出低电平是0.2V。最小输入高电平VIHmin：2.0V ，最大输入低电平VILmax：0.8V ；它的噪声容限是0.4V。
2. CMOS逻辑电平即Complementary metal-oxide-semiconductor 。逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3. 电平转换电路： 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5vcmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
4. OC门即集电极开路门电路；OD门即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5. TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产 生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
答：【答案】：TTL电路速度高、逻辑电平摆幅大、抗干扰能力和负载能力较强。有中速、高速、超高速和低功耗等系列产品可供选用。CMOS电路功耗低、抗干扰能力强、电源电压利用率高。
答：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于...
答：1、CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路）2、COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差 4、CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）5、CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CM...
答：1.电平上限和下限定义样CMOS具有更大抗噪区域 同5伏供电ttl般1.7V和3.5V样子CMOS般 2.2V,2.9V样子准确仅供参考 2电流驱动能力样ttl般提供25毫安驱动能力而 CMOS般10毫安左右 3需要电流输入大小也样般ttl需要2.5毫安左右CMOS 几乎需要电流输入 3多器件都兼容ttl和CMOSdatasheet会有说明考虑 速度和...
答：TTL 电路不使用的输入端悬空为高电平 另外,CMOS 集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像 TTL 集成电路那样严格。 用 TTL 电平他们就可以兼容(二)TTL 电平是 5V,CMOS 电平一般是 12V。因为TTL 电路电源电压是 5V,CMOS 电路电源电压一般是 12V。5V 的电平不能触发 CMOS 电路,12V 的电平会...
答：TTL和CMOS的主要区别不仅在于电压范围，还在于它们的电平标准和性能指标，如输入输出阈值（VIL, VIH, VOL, VOH）的匹配，这对电路稳定性和兼容性至关重要。在实际应用中，TTL电路对输入负载较为敏感，若不适当处理，可能导致损坏，而CMOS则需要钳位、去耦和限流电阻来保护输入端。TTL门电路的特殊之处在于...
答：TTL电路和CMOS电路的区别主要表现在：(1)TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。(2)TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns)，但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。CO...
答：1、高低电平不同。TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V，CMOS电平Vcc可达到12V 。3、电路输出电平不同。CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。4、电路不使用的输入端不同。CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。TTL电路不使用的输入端悬空为高电平。6、电平使用不...
答：一、主体不同 1、TTL电路：是晶体管-晶体管逻辑电路。2、CMOS电路：是互补型金属氧化物半导体电路。二、特点不同 1、TTL电路：采用双极型工艺制造，具有高速度低功耗和品种多等特点。2、CMOS电路：静态功耗低,每门功耗为纳瓦级；逻辑摆幅大近似等于电源电压；抗干扰能力强，直流噪声容限达逻辑摆幅的35...
答：CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和TTL（Transistor-Transistor Logic）是两种不同的电路技术。它们的主要区别在于它们的功耗、速度和噪声特性不同，具体分析如下：首先，功耗方面，TTL电路的功耗比CMOS电路高得多。TTL电路在开关时产生较大的瞬态电流，这会导致功耗增加。相比之下，CMOS电路功耗较...
