如何观察和测量二极管的反向饱和电流Is及温度对它的影响？
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-06-28
温度升高时，二极管的反向饱和电流是增大还是减小?
一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
扩展资料：
晶体管的反向电流包括：ICBO和ICEO。
1、ICBO：
ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。
2、ICEO：
ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。
二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好像通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流．其他器件中也有类似的情况． 其根本在于PN结的单向导电性。 反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。
当然是采用瞬间高低温转换柜。达到目标值与时间时。进行额定电流测量。但一定要做好防护避免崩溃爆炸造成损伤。
如何观察和测量二极管的反向饱和电流Is及温度对它的影响?
答：二极管的反向电流：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率...
...漏电流与反向电压的关系式是什么,二极管漏电流与反向饱和电流...
答：首先，漏电流的大小是由反向饱和电流和施加的反向电压共同决定的。理想情况下，两者相等，但现实中的二极管，PN结内部可能存在其他泄漏路径，如表面污垢等，这使得实际漏电流往往大于饱和电流。例如，SS34肖特基二极管在25℃时，图1揭示了其漏电流随反向电压变化的规律：从6uA到40uA，对应着0到40V的电压区...
二极管测试参数定义?
答：VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。...
晶体管特性图示仪晶体管特性图示仪的原理
答：当电压从0逐渐增大，电流会遵循二极管方程规律增加。在300K环境下，二极管的导通电压约为26mV。通过“电压扫描”，利用仪器的“X轴作用”和“Y轴作用”旋钮调整扫描原点，测量正向特性时，原点在屏幕左下角；反向特性则在右上角，扫描电压需选择负极性。电压和电流经过放大后，控制光点在X轴和Y轴上的移...
二极管特性的研究实验步骤
答：当二极管加反向电压VR时，只要VR小于其击穿电压，则二极管内只有少数载流子VR作用下形成反向饱和电流IR，由于反向饱和电流IR比正向电流IF小很多，可以认为二极管在加反向电压时是截止的。当二极管的反向电压增加到一定大小后，反向电流出现急剧增大的现象，这一现象称为“反向击穿”。
如何检测二极管
答：(d)观察二极管外壳,带有银色带一端为负极。 B.检测最高反向击穿电压。对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。 2、检测双向触发二极管 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的...
怎样用二极管的伏安特性来分析电路的好坏?
答：2、二极管伏安的反向特性，理想的二极管，不论反向电压多大，反向都无电流。实际的二极管，反向截止时，也是有电流的，这个电流叫做反向饱和电流。在电压没有达到反向击穿电压时，二极管的电流一直等于方向饱和电流。但是当电压大到一定程度，二极管被反向击穿，电流急剧增大。 反向击穿分齐纳击穿和雪崩击穿两种...
贴片二极管正负极判断
答：锗管为0.1—0.3左右。二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本上保持不变，这时的电流称为反向饱和电流。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
光敏二极管的工作原理
答：光敏二极管的工作原理是光敏二极管工作时加有反向电压，没有光照时，其反向电阻很大，只有很微弱的反向饱和电流。一般来说，我们所常见的光敏二极管也叫作光电二极管，这种光敏二极管其实是与半导体二极管在结构上面是非常类似的。我们可以仔细观察一下，光敏二极管的管芯，就是一个已经具有了光敏特征的一种PN结...
贴片二极管正负极判断
答：当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
本视频介绍了二极管的温度特性。
二极管的反向饱和电流Is受温度影响，工程上一般用式 Is(t)=Is(t0)2^[(t-t0)/10] 近似估算，式中t0为参考温度。上式表明温度每升高10℃时，Is(即本征激发的载流子浓度值ni)增大一倍。
二极管的反向电流：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
扩展资料：
晶体管的反向电流包括：ICBO和ICEO。
1、ICBO：
ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。
2、ICEO：
ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。
二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好像通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流．其他器件中也有类似的情况． 其根本在于PN结的单向导电性。 反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。
当然是采用瞬间高低温转换柜。达到目标值与时间时。进行额定电流测量。但一定要做好防护避免崩溃爆炸造成损伤。
答：二极管的反向电流：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率...
答：首先，漏电流的大小是由反向饱和电流和施加的反向电压共同决定的。理想情况下，两者相等，但现实中的二极管，PN结内部可能存在其他泄漏路径，如表面污垢等，这使得实际漏电流往往大于饱和电流。例如，SS34肖特基二极管在25℃时，图1揭示了其漏电流随反向电压变化的规律：从6uA到40uA，对应着0到40V的电压区...
答：VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。...
答：当电压从0逐渐增大，电流会遵循二极管方程规律增加。在300K环境下，二极管的导通电压约为26mV。通过“电压扫描”，利用仪器的“X轴作用”和“Y轴作用”旋钮调整扫描原点，测量正向特性时，原点在屏幕左下角；反向特性则在右上角，扫描电压需选择负极性。电压和电流经过放大后，控制光点在X轴和Y轴上的移...
答：当二极管加反向电压VR时，只要VR小于其击穿电压，则二极管内只有少数载流子VR作用下形成反向饱和电流IR，由于反向饱和电流IR比正向电流IF小很多，可以认为二极管在加反向电压时是截止的。当二极管的反向电压增加到一定大小后，反向电流出现急剧增大的现象，这一现象称为“反向击穿”。
答：(d)观察二极管外壳,带有银色带一端为负极。 B.检测最高反向击穿电压。对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。 2、检测双向触发二极管 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的...
答：2、二极管伏安的反向特性，理想的二极管，不论反向电压多大，反向都无电流。实际的二极管，反向截止时，也是有电流的，这个电流叫做反向饱和电流。在电压没有达到反向击穿电压时，二极管的电流一直等于方向饱和电流。但是当电压大到一定程度，二极管被反向击穿，电流急剧增大。 反向击穿分齐纳击穿和雪崩击穿两种...
答：锗管为0.1—0.3左右。二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本上保持不变，这时的电流称为反向饱和电流。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
答：光敏二极管的工作原理是光敏二极管工作时加有反向电压，没有光照时，其反向电阻很大，只有很微弱的反向饱和电流。一般来说，我们所常见的光敏二极管也叫作光电二极管，这种光敏二极管其实是与半导体二极管在结构上面是非常类似的。我们可以仔细观察一下，光敏二极管的管芯，就是一个已经具有了光敏特征的一种PN结...
答：当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
