三极管的问题
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-06-28
关于三极管的导通问题。
图1、晶体三极管（NPN）的结构
图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形闪嘶��缌鱅bo根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
二、三极管的特性曲线
1、输入特性
图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。
2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。
3）三极管输入电阻，定义为:
rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为：
rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）
rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。
2、输出特性
输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为数）从图2（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
截止区 当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：
Icbo=(1+β)Icbo
常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。
饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。
图2、三极管的输入特性与输出特性
截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时，工作点落在截止区。
三、三极管的主要参数
1、直流参数
（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。
（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。
（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
（4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：
β1=Ic/Ib
2、交流参数
（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即：
β= △Ic/△Ib
一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。
（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即：
α=△Ic/△Ie
因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用
α与β之间的关系：
α= β/（1+β）
β= α/（1-α）≈1/（1-α）
（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：
fβ≈（1-α）fα
（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。
3、极限参数
（1）集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。
（2）集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。
（3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。
（4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。
（5）集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc＜PCM。
PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM。
穿透电流是的击穿电流,就是集电极与发射极反向击穿的电流。
三极管的电流放大条件：发射极为正向偏置，集电结为反向偏置。在放大区内工作。
输出特性表示Ic（集极电流）随Uce（集射电压）的变化关系的曲线关系。
模拟电子技术里有，，可以下点视频资料听听老师怎么讲。。。
三极管有三个区域，当发射极为正向偏置，集电结为反向偏置时，放大区即可
达到
关于三极管的一些问题
答：对NPN三极管来说，当基极电位比发射极高时发射结就处于正向偏置，当基极电位比集电极低时集电结处于反向偏置，如果是PNP管上述说法反过来。NPN三极管处于放大状态时电流从发射极流出，如果是PNP管从集电极流出。实际上硅管发射结正向偏置电压在达到0.6V时才能正常进行放大，但截止和放大的分界线还是Ube=0。
关于三极管的问题。
答：1、三极管导通压降0.7V，这种说法很不严谨。一般的硅三极管，发射结（BE）的导通压降是0.7V，而其他CE，BC之间未必是这个数值。2、你研究导通条件，要抓住核心，三极管有两个PN结，一个发射结，一个集电结，不过是NPN还是PNP，你就抓住：（1）放大：发射结正偏，集电结反偏。（2）饱和：两个都...
关于三极管原理的老问题,回答要通俗啊
答：老生常谈，还是简要说一下它的工作原理。以放大时的NPN管为例：放大时发射结正偏，有大量电子从发射极经过发射结进入基区，由于基区为P型半导体，在基区这些电子一部分与基区的多子空穴复合，由于这种复合，基极不断提供空穴来补充基区复合掉的空穴，这个电流就是基极电流。三极管要求基区的宽度极小，...
关于交流电路中三极管的问题
答：不能这样理解。首先，交流信号是“驮载”于直流信号之上的，但交流信号的峰值一般都比直流的值要小，所以其代数和的值不会为负值，也就是说方向不会发生变化。其次，就算有时候交流信号（的负值）大于直流信号，由于导致了“发射结正偏，集电结反偏”的条件不被满足，所以三极管只可能截止，而不会如您...
三极管击穿原因
答：问题三：三极管为什么会被击穿 三极管击穿分为高压击穿和热击穿等，三极管PN结、CE之间正反向都有一定的耐压值，超过其耐压值，三极管被击穿（短路或断路）；三极管还有最高工作温度，当工作温度高于此值时，发生热击穿。问题四：为什么基极电流过大，三极管会击穿？ 憨常情况下基极电流与三极管的击穿关系...
三极管常见故障及判别方法?
答：一般为击穿,用万用表测量,如CE电压差接近0即可断定
关于三极管的特性问题
答：三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。一、 三颠倒，找基极 大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同...
三极管问题
答：1、正偏是指三极管的电流是有方向性的，和二极管一样，只能顺流，不能倒置 2、三极管在黑色的管上面就标着"PNP"或者是"NPN"一共有三只脚 3、三极管基极所加电压为正极 4、有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于...
物理小白求救 关于三极管的相关问题
答：1、三极管也可以在负电压下工作，比如PNP性三极管可以集电极通过负载连接负电源，发射极通过负反馈电阻接地，这样就会出现-11（集电极），-6（发射极），-6.7（基极）这样的电位关系。2、PN结合电池并无关系，当P端加正电压、N端加负电压并且超过PN结的导通电压（硅管0.5V左右，锗管0.3V左右），PN结...
电子技术中三极管问题
答：三级管分两种，PNP和NPN。一般常用的多数是NPN型的。三极管分三个电极：集电极（c），基极（b)，发射极（e）。用普通47型万用表置欧姆档*1K（电阻）检测判断：将黑表棒搭任意一个引脚，红表棒去分别搭另外两个电极，逐个尝试，直到都通，约几十千欧。则黑表棒所搭为基极，且 管型 为NPN型。若...
你目前对于三极管的认识，只是初级没有入门的情况。一般来讲假如希望利用晶体管放大，就让晶体管存在一个集电极电流，这时的基极电流就叫做偏置电流，这时调节基极电流，集电极电流会具有很好的反应，跟着具有大小的变化。
利用晶体管做开关，一般是基极给予足够的电流，足够基极电流在小范围变化，变化使晶体管退出饱和导通。要使它关断就需要基极连接低电位。
很多人可是研究晶体管过于注意基极电压变化，好像没有什么帮助，因为晶体管是电流型导通元件。
要想提高对于晶体管的认识不可能通过这几句话得到提高，还需要具有很多的试验经验才会具有根本提高。
先求出此电路的Ib：=(Vce-0.7)/R1≈0.3mA。再求出此电路的最大Ic：（此时，可假设此晶体管是短路的）=Vc/R2≈1.6mA。再反推求出此电路中的晶体管要达到Ic=1.6mA时所需的放大倍数Hfe：
=Ic/Ib≈5.3倍。以上的计算说明：当这个晶体管的放大倍数大于5.3时，此晶体管就能处于饱和状态。由于晶体管存在饱和压降，此压降值一般为0.1~0.3V，所以此电路通电后，三个电极的电位应该是Vb>Vc>Ve。这也说明此晶体管已经进入饱和状态。结论：此电路能够进入饱和状态。
图1、晶体三极管（NPN）的结构
图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形闪嘶��缌鱅bo根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
二、三极管的特性曲线
1、输入特性
图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。
2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。
3）三极管输入电阻，定义为:
rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为：
rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）
rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。
2、输出特性
输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为数）从图2（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
截止区 当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：
Icbo=(1+β)Icbo
常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。
饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。
图2、三极管的输入特性与输出特性
截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时，工作点落在截止区。
三、三极管的主要参数
1、直流参数
（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。
（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。
（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
（4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：
β1=Ic/Ib
2、交流参数
（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即：
β= △Ic/△Ib
一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。
（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即：
α=△Ic/△Ie
因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用
α与β之间的关系：
α= β/（1+β）
β= α/（1-α）≈1/（1-α）
（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：
fβ≈（1-α）fα
（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。
3、极限参数
（1）集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。
（2）集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。
（3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。
（4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。
（5）集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc＜PCM。
PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM。
穿透电流是的击穿电流,就是集电极与发射极反向击穿的电流。
三极管的电流放大条件：发射极为正向偏置，集电结为反向偏置。在放大区内工作。
输出特性表示Ic（集极电流）随Uce（集射电压）的变化关系的曲线关系。
模拟电子技术里有，，可以下点视频资料听听老师怎么讲。。。
三极管有三个区域，当发射极为正向偏置，集电结为反向偏置时，放大区即可
达到
答：对NPN三极管来说，当基极电位比发射极高时发射结就处于正向偏置，当基极电位比集电极低时集电结处于反向偏置，如果是PNP管上述说法反过来。NPN三极管处于放大状态时电流从发射极流出，如果是PNP管从集电极流出。实际上硅管发射结正向偏置电压在达到0.6V时才能正常进行放大，但截止和放大的分界线还是Ube=0。
答：1、三极管导通压降0.7V，这种说法很不严谨。一般的硅三极管，发射结（BE）的导通压降是0.7V，而其他CE，BC之间未必是这个数值。2、你研究导通条件，要抓住核心，三极管有两个PN结，一个发射结，一个集电结，不过是NPN还是PNP，你就抓住：（1）放大：发射结正偏，集电结反偏。（2）饱和：两个都...
答：老生常谈，还是简要说一下它的工作原理。以放大时的NPN管为例：放大时发射结正偏，有大量电子从发射极经过发射结进入基区，由于基区为P型半导体，在基区这些电子一部分与基区的多子空穴复合，由于这种复合，基极不断提供空穴来补充基区复合掉的空穴，这个电流就是基极电流。三极管要求基区的宽度极小，...
答：不能这样理解。首先，交流信号是“驮载”于直流信号之上的，但交流信号的峰值一般都比直流的值要小，所以其代数和的值不会为负值，也就是说方向不会发生变化。其次，就算有时候交流信号（的负值）大于直流信号，由于导致了“发射结正偏，集电结反偏”的条件不被满足，所以三极管只可能截止，而不会如您...
答：问题三：三极管为什么会被击穿 三极管击穿分为高压击穿和热击穿等，三极管PN结、CE之间正反向都有一定的耐压值，超过其耐压值，三极管被击穿（短路或断路）；三极管还有最高工作温度，当工作温度高于此值时，发生热击穿。问题四：为什么基极电流过大，三极管会击穿？ 憨常情况下基极电流与三极管的击穿关系...
答：一般为击穿,用万用表测量,如CE电压差接近0即可断定
答：三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。一、 三颠倒，找基极 大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同...
答：1、正偏是指三极管的电流是有方向性的，和二极管一样，只能顺流，不能倒置 2、三极管在黑色的管上面就标着"PNP"或者是"NPN"一共有三只脚 3、三极管基极所加电压为正极 4、有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于...
答：1、三极管也可以在负电压下工作，比如PNP性三极管可以集电极通过负载连接负电源，发射极通过负反馈电阻接地，这样就会出现-11（集电极），-6（发射极），-6.7（基极）这样的电位关系。2、PN结合电池并无关系，当P端加正电压、N端加负电压并且超过PN结的导通电压（硅管0.5V左右，锗管0.3V左右），PN结...
答：三级管分两种，PNP和NPN。一般常用的多数是NPN型的。三极管分三个电极：集电极（c），基极（b)，发射极（e）。用普通47型万用表置欧姆档*1K（电阻）检测判断：将黑表棒搭任意一个引脚，红表棒去分别搭另外两个电极，逐个尝试，直到都通，约几十千欧。则黑表棒所搭为基极，且 管型 为NPN型。若...
