三极管问题
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-06-30
关于三极管的问题。
2、三极管在黑色的管上面就标着"PNP"或者是"NPN"一共有三只脚
3、三极管基极所加电压为正极
4、有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
5、三极管的开关过程和二极管一样，管子内部也存在着电荷的建立与消失过程。因此，饱和与截止两种状态的转换也需要一定的时间才能完成。
假如在图3.5(a)所示电路的输入端输入一个理想的矩形波电压，那么，在理想情况下，iC和UCE的波形应该如图3.7(a)所示。但实际转换过程中iC和UCE的波形如图3.7(b)所示，无论从截止转向导通还是从导通转向截止都存在一个逐渐变化的过程。
6、对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量，。
但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流
放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。
假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。
所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。
如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。
在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。
如果某一天，天气很旱，江水没有了，也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门，并使之开启，但因为没有水流的存在，所以，并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。
饱和区是一样的，因为此时江水达到了很大很大的程度，管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的击穿。
在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。
7、一般供电供直流电
8、硅管为铝质铁皮，锗管为褐色，半圆状
9、参数不够，无法计算
你呀，该补点脑黄金了。
my god !
关于三极管的问题
答：推荐你读读晶体管原理。三极管的放大原理 以NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大 一般要求的工作条件：BE结正偏置，硅管一般放大时0.6-0.7V左右，实际工作时通过电阻分压或控制基级电阻来实现，CB结反偏，一般这个电压会比 BE 结电压高几倍以上。在集电级一般是需要串联电阻或感性负载的...
三极管问题
答：1、正偏是指三极管的电流是有方向性的，和二极管一样，只能顺流，不能倒置 2、三极管在黑色的管上面就标着"PNP"或者是"NPN"一共有三只脚 3、三极管基极所加电压为正极 4、有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于...
关于三极管工作状态的问题?
答：下图的三极管处于什么工作状态？他们的回答，都是错误的。这个三极管的 BC 结，已经损坏。什么工作状态，都没有了。根本就不能工作！！！哪里还有“什么工作状态”！！！别忘了采纳。
物理小白求救 关于三极管的相关问题
答：1、三极管也可以在负电压下工作，比如PNP性三极管可以集电极通过负载连接负电源，发射极通过负反馈电阻接地，这样就会出现-11（集电极），-6（发射极），-6.7（基极）这样的电位关系。2、PN结合电池并无关系，当P端加正电压、N端加负电压并且超过PN结的导通电压（硅管0.5V左右，锗管0.3V左右），PN结...
三极管稳压问题
答：正确的说法是：1.这个电路输出端电压等于稳压管电压减去三极管BE间的电压;2.当输出电压有倾向增大时，发射级电位升高，引起三极管集电极电流减小，这相当于三极管的内阻增大了，因而三极管集电极与发射级之间的电压就增大了，这样输出电压就不会增大，从而达到输出电压稳定的目的。
关于三极管原理的老问题,回答要通俗啊
答：老生常谈，还是简要说一下它的工作原理。以放大时的NPN管为例：放大时发射结正偏，有大量电子从发射极经过发射结进入基区，由于基区为P型半导体，在基区这些电子一部分与基区的多子空穴复合，由于这种复合，基极不断提供空穴来补充基区复合掉的空穴，这个电流就是基极电流。三极管要求基区的宽度极小，...
三极管常见故障及判别方法?
答：一般为击穿,用万用表测量,如CE电压差接近0即可断定
关于三极管的问题。
答：1、三极管导通压降0.7V，这种说法很不严谨。一般的硅三极管，发射结（BE）的导通压降是0.7V，而其他CE，BC之间未必是这个数值。2、你研究导通条件，要抓住核心，三极管有两个PN结，一个发射结，一个集电结，不过是NPN还是PNP，你就抓住：（1）放大：发射结正偏，集电结反偏。（2）饱和：两个都...
三极管的几条问题(电子高手请进
答：发表点愚见，1、所谓发射极正偏，比如NPN的三极管，b极是P，发射极是N，我们知道二极管的特性单向导通P到N，若P大于N就是正偏，（即b极的对地电压大于E极的对地电压就是正偏，反之就是反偏）集电极反偏是相对b极来说的。2、高低电位一般是以地作为参考点来说的。3、电流方向跟电子的运动有关...
三极管击穿原因
答：问题一：三极管击穿的原因 三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。还有一种击穿是流过集电结的电流过大，引起集电结...
1、三极管导通压降0.7V，这种说法很不严谨。
一般的硅三极管，发射结（BE）的导通压降是0.7V，而其他CE，BC之间未必是这个数值。
2、你研究导通条件，要抓住核心，三极管有两个PN结，一个发射结，一个集电结，不过是NPN还是PNP，你就抓住：
（1）放大：发射结正偏，集电结反偏。
（2）饱和：两个都正偏；
（3）截止：两个都反偏。
就可以了。至于具体电压，要根据管子类型分析。
NPN的话，发射结正偏，也就是Ub>Ue，而且要大0.7V左右，集电结反偏，你的Uc>Ub是可以的。
这时候就可以判断，三极管处于放大状态了。
另外，按经验，可以将UCE>1V作为附加条件。
图A中的集电极输出是低电平，三极管基极电流接近2.7ma，完全饱和导通，集电极输出在有负载时是低电平。
图B中发射极不会有高电平（3V3）的输出，由于PNP管基极、射极同电位，没有电流不能工作，射极输出如果没有负载几乎就是100+4.7K电阻通过的电流，可以忽略不计，想输出电压必须把基极4.7K电阻接到集电极即可。
2、三极管在黑色的管上面就标着"PNP"或者是"NPN"一共有三只脚
3、三极管基极所加电压为正极
4、有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
5、三极管的开关过程和二极管一样，管子内部也存在着电荷的建立与消失过程。因此，饱和与截止两种状态的转换也需要一定的时间才能完成。
假如在图3.5(a)所示电路的输入端输入一个理想的矩形波电压，那么，在理想情况下，iC和UCE的波形应该如图3.7(a)所示。但实际转换过程中iC和UCE的波形如图3.7(b)所示，无论从截止转向导通还是从导通转向截止都存在一个逐渐变化的过程。
6、对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量，。
但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流
放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。
假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。
所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。
如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。
在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。
如果某一天，天气很旱，江水没有了，也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门，并使之开启，但因为没有水流的存在，所以，并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。
饱和区是一样的，因为此时江水达到了很大很大的程度，管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的击穿。
在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。
7、一般供电供直流电
8、硅管为铝质铁皮，锗管为褐色，半圆状
9、参数不够，无法计算
你呀，该补点脑黄金了。
my god !
答：推荐你读读晶体管原理。三极管的放大原理 以NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大 一般要求的工作条件：BE结正偏置，硅管一般放大时0.6-0.7V左右，实际工作时通过电阻分压或控制基级电阻来实现，CB结反偏，一般这个电压会比 BE 结电压高几倍以上。在集电级一般是需要串联电阻或感性负载的...
答：1、正偏是指三极管的电流是有方向性的，和二极管一样，只能顺流，不能倒置 2、三极管在黑色的管上面就标着"PNP"或者是"NPN"一共有三只脚 3、三极管基极所加电压为正极 4、有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于...
答：下图的三极管处于什么工作状态？他们的回答，都是错误的。这个三极管的 BC 结，已经损坏。什么工作状态，都没有了。根本就不能工作！！！哪里还有“什么工作状态”！！！别忘了采纳。
答：1、三极管也可以在负电压下工作，比如PNP性三极管可以集电极通过负载连接负电源，发射极通过负反馈电阻接地，这样就会出现-11（集电极），-6（发射极），-6.7（基极）这样的电位关系。2、PN结合电池并无关系，当P端加正电压、N端加负电压并且超过PN结的导通电压（硅管0.5V左右，锗管0.3V左右），PN结...
答：正确的说法是：1.这个电路输出端电压等于稳压管电压减去三极管BE间的电压;2.当输出电压有倾向增大时，发射级电位升高，引起三极管集电极电流减小，这相当于三极管的内阻增大了，因而三极管集电极与发射级之间的电压就增大了，这样输出电压就不会增大，从而达到输出电压稳定的目的。
答：老生常谈，还是简要说一下它的工作原理。以放大时的NPN管为例：放大时发射结正偏，有大量电子从发射极经过发射结进入基区，由于基区为P型半导体，在基区这些电子一部分与基区的多子空穴复合，由于这种复合，基极不断提供空穴来补充基区复合掉的空穴，这个电流就是基极电流。三极管要求基区的宽度极小，...
答：一般为击穿,用万用表测量,如CE电压差接近0即可断定
答：1、三极管导通压降0.7V，这种说法很不严谨。一般的硅三极管，发射结（BE）的导通压降是0.7V，而其他CE，BC之间未必是这个数值。2、你研究导通条件，要抓住核心，三极管有两个PN结，一个发射结，一个集电结，不过是NPN还是PNP，你就抓住：（1）放大：发射结正偏，集电结反偏。（2）饱和：两个都...
答：发表点愚见，1、所谓发射极正偏，比如NPN的三极管，b极是P，发射极是N，我们知道二极管的特性单向导通P到N，若P大于N就是正偏，（即b极的对地电压大于E极的对地电压就是正偏，反之就是反偏）集电极反偏是相对b极来说的。2、高低电位一般是以地作为参考点来说的。3、电流方向跟电子的运动有关...
答：问题一：三极管击穿的原因 三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。还有一种击穿是流过集电结的电流过大，引起集电结...
