晶闸管调速电路的问题
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-07-06
晶闸管调速电路常见故障中,工作电动机不转可能是?
该双向二极管可以去掉，去掉后，电容充放电可以触发可控硅，只是触发能力很差，在很低的充电电压和电流下导通，可控硅处于欠触发状态，触发的过程中会导致可控硅压降过大、发热大等问题。如可控硅选择很小的IGT档位使其很灵敏，不要DB3可以正常工作，但可控硅因自身的IGT太灵敏会导致可控硅误导通机率变大。
所以加了DB3，DB3是28V才双向导通的二极管；电容持续充电到28V，达到DB3击穿耐压，且DB3在28V导通后呈现负电阻特性，这时候可以形成很大的电流，可控硅瞬间打开，压降瞬间达到很低，发热低。且可控硅自身的IGT很大也可以工作，相对安全可靠。
你好：
——★1、“晶闸管前面的双向二极管”，需要一定的电压（电容充电的电压）才能导通、触发可控硅。
——★2、“用根导线来代替”双向二极管不妥：电容充电电压稍微增加就会触发可控硅，控制特性会变劣。（如果可行的话，就不会研制双向二极管了）
当然可以，可加一个1K-10K的电阻，因为稳压管是起保护作用的，即在驱动电压过高时防止栅源击穿，但一般情况下不会出问题，完全可以用电阻替代。
加双向稳压管一般适用于开关器件需要反向关断电压的场合，像大功率应用，为了保证器件可靠关断，就要加反向关断电压，一般在-5V-（-10）之间，防止器件误导通，这时候就需要加双向稳压管，防止反向电压过高击穿栅极
晶闸管调速电路的问题
答：在很低的充电电压和电流下导通，可控硅处于欠触发状态，触发的过程中会导致可控硅压降过大、发热大等问题。如可控硅选择很小的IGT档位使其很灵敏，不要DB3可以正常工作，但可控硅因自身的IGT太灵敏会导致可控硅误导通机率变大。
共久调压调速器晶闸管过热故障
答：故障原因有：过电流、过电压、负载不均衡。1、过电流：晶闸管在电路中承受的电流超过其额定值时，会导致晶闸管过热。2、过电压：晶闸管在电路中承受的电压超过其额定值时，会导致晶闸管过热。3、负载不均衡：在多路电路中，晶闸管所承担的负载不均衡会导致晶闸管过热。
晶闸管调速电路的问题
答：——★2、“用根导线来代替”双向二极管不妥：电容充电电压稍微增加就会触发可控硅，控制特性会变劣。（如果可行的话，就不会研制双向二极管了）
晶闸管调速电路常见故障中,工作电动机不转可能是?
答：晶闸管没有输出电压。
双向晶闸管调速电路,为么要加个双向二极管啊,如图直接用一根导线来代...
答：不能换。 双向二极管 比如 DB3 它是有一个电压导通值的。图中 灯和上面的电阻 和 可调电阻 对电容C 充电。当电压升到DB3的导通电压值的时候 。DB3导通电容经过R2 DB3 G C 放电。这里 电灯亮。这个时候电容是不会充电的。在电容放完电。又恢复前面的过程。。。调电阻RP 是对电容充电的快慢...
晶闸管调速
答：一C1是起移相作用的定时触发电容，VD叫做触发双向二极管。VS才是双向可控硅。C2和R4组成吸收电路，用于保护可控硅。二每一个设计人员都是希望设计越简单越好，因为原件少损坏因素也少。但是当太简单的电路达不到使用效果的时候，就必须用增加原件来改善性能来达到目的。
在晶闸管整流器-电动机开环调速系统中,为什么转速随负载增加而降低...
答：【答案】： 负载增加意味着负载转矩变大，电机减速，并且在减速过程中，反电动势减小，于是电枢电流增大，从而使电磁转矩增加，达到与负载转矩平衡，电机不再减速，保持稳定。故负载增加，稳态时，电机转速会较增加之前降低。
晶闸管调速的原理是什么?
答：晶闸管串级调速系统主要由主电路、触发器、电流检测环节和速度调节器构成。当主电路中的晶闸管被触发导通时，电动机得到相应的电压并产生转矩，从而驱动负载运行。通过改变晶闸管的导通角，即控制晶闸管的导通时间，可以改变电动机端电压的大小，进而实现对电动机转速的调节。具体来说，当需要提高电动机转速时...
晶闸管电动机如何实现无级调速?
答：在电机起动或低速运行时，由于反电动势小，可能会遇到换流问题。为解决这一问题，一种方法是采用电流断续法，即在换流时使电流降为零，再重新触发，实现相间切换。这种方法适用于低速电机，频率较低的场合。另一种方法是采用交流晶闸管电机，即交-交系统，通过电源电压直接进行换流。这种方法适用于频率较...
单相异步电动机通过晶闸管调速时是否会产生电磁干扰
答：单相异步电动机通过晶闸管调速时是会产生电磁干扰。单相异步电动机通过晶闸管调速时恒转矩变频调速适用于恒转矩负载。恒功率变频调速适用于电动机的调速要高于额定转速，而电源电压又不能提高的场合。
晶闸管没有输出电压。
一C1是起移相作用的定时触发电容，VD叫做触发双向二极管。VS才是双向可控硅。C2和R4组成吸收电路，用于保护可控硅。二每一个设计人员都是希望设计越简单越好，因为原件少损坏因素也少。但是当太简单的电路达不到使用效果的时候，就必须用增加原件来改善性能来达到目的。
该双向触发二极管通常使用DB3，加DB3的作用，不是因为保护栅极，而是为了提高触发能量。该双向二极管可以去掉，去掉后，电容充放电可以触发可控硅，只是触发能力很差，在很低的充电电压和电流下导通，可控硅处于欠触发状态，触发的过程中会导致可控硅压降过大、发热大等问题。如可控硅选择很小的IGT档位使其很灵敏，不要DB3可以正常工作，但可控硅因自身的IGT太灵敏会导致可控硅误导通机率变大。
所以加了DB3，DB3是28V才双向导通的二极管；电容持续充电到28V，达到DB3击穿耐压，且DB3在28V导通后呈现负电阻特性，这时候可以形成很大的电流，可控硅瞬间打开，压降瞬间达到很低，发热低。且可控硅自身的IGT很大也可以工作，相对安全可靠。
你好：
——★1、“晶闸管前面的双向二极管”，需要一定的电压（电容充电的电压）才能导通、触发可控硅。
——★2、“用根导线来代替”双向二极管不妥：电容充电电压稍微增加就会触发可控硅，控制特性会变劣。（如果可行的话，就不会研制双向二极管了）
当然可以，可加一个1K-10K的电阻，因为稳压管是起保护作用的，即在驱动电压过高时防止栅源击穿，但一般情况下不会出问题，完全可以用电阻替代。
加双向稳压管一般适用于开关器件需要反向关断电压的场合，像大功率应用，为了保证器件可靠关断，就要加反向关断电压，一般在-5V-（-10）之间，防止器件误导通，这时候就需要加双向稳压管，防止反向电压过高击穿栅极
答：在很低的充电电压和电流下导通，可控硅处于欠触发状态，触发的过程中会导致可控硅压降过大、发热大等问题。如可控硅选择很小的IGT档位使其很灵敏，不要DB3可以正常工作，但可控硅因自身的IGT太灵敏会导致可控硅误导通机率变大。
答：故障原因有：过电流、过电压、负载不均衡。1、过电流：晶闸管在电路中承受的电流超过其额定值时，会导致晶闸管过热。2、过电压：晶闸管在电路中承受的电压超过其额定值时，会导致晶闸管过热。3、负载不均衡：在多路电路中，晶闸管所承担的负载不均衡会导致晶闸管过热。
答：——★2、“用根导线来代替”双向二极管不妥：电容充电电压稍微增加就会触发可控硅，控制特性会变劣。（如果可行的话，就不会研制双向二极管了）
答：晶闸管没有输出电压。
答：不能换。 双向二极管 比如 DB3 它是有一个电压导通值的。图中 灯和上面的电阻 和 可调电阻 对电容C 充电。当电压升到DB3的导通电压值的时候 。DB3导通电容经过R2 DB3 G C 放电。这里 电灯亮。这个时候电容是不会充电的。在电容放完电。又恢复前面的过程。。。调电阻RP 是对电容充电的快慢...
答：一C1是起移相作用的定时触发电容，VD叫做触发双向二极管。VS才是双向可控硅。C2和R4组成吸收电路，用于保护可控硅。二每一个设计人员都是希望设计越简单越好，因为原件少损坏因素也少。但是当太简单的电路达不到使用效果的时候，就必须用增加原件来改善性能来达到目的。
答：【答案】： 负载增加意味着负载转矩变大，电机减速，并且在减速过程中，反电动势减小，于是电枢电流增大，从而使电磁转矩增加，达到与负载转矩平衡，电机不再减速，保持稳定。故负载增加，稳态时，电机转速会较增加之前降低。
答：晶闸管串级调速系统主要由主电路、触发器、电流检测环节和速度调节器构成。当主电路中的晶闸管被触发导通时，电动机得到相应的电压并产生转矩，从而驱动负载运行。通过改变晶闸管的导通角，即控制晶闸管的导通时间，可以改变电动机端电压的大小，进而实现对电动机转速的调节。具体来说，当需要提高电动机转速时...
答：在电机起动或低速运行时，由于反电动势小，可能会遇到换流问题。为解决这一问题，一种方法是采用电流断续法，即在换流时使电流降为零，再重新触发，实现相间切换。这种方法适用于低速电机，频率较低的场合。另一种方法是采用交流晶闸管电机，即交-交系统，通过电源电压直接进行换流。这种方法适用于频率较...
答：单相异步电动机通过晶闸管调速时是会产生电磁干扰。单相异步电动机通过晶闸管调速时恒转矩变频调速适用于恒转矩负载。恒功率变频调速适用于电动机的调速要高于额定转速，而电源电压又不能提高的场合。
