【华秋干货铺】电源PCB设计汇总

华秋干货铺：RK3588电源PCB设计详解

在PCB设计中，为RK3588打造高效稳定的电源电路至关重要。以下是关于关键电源模块的详细设计要点：

• 滤波电容布局: 为VDD_CPU_BIG提供去耦，靠近管脚背面放置，同时确保GND PAD靠近中心GND，实现最佳电荷存储和地线完整性。


• 电源引脚设计: 每个VDD_CPU_BIG0/1需预留过孔，顶层采用10mil宽的井字形走线，确保电流路径无阻。


• 覆铜规则: VDD_CPU_BIG的路径需保持宽广，避免严重分割，每个PIN脚应有充足路径，过孔数量建议超过12个，以降低压降。


• 换层策略: VDD电源过孔充足，与GND过孔数量保持一致，以均衡电源负载。


• 电源平面管理: 避免过孔对电源宽度的干扰，确保电源的有效覆盖，保持电源信号的纯净。


• VDD_LOGIC设计: 类似于VDD_CPU_BIG，覆铜宽度和去耦电容位置同样不容忽视，确保逻辑信号的稳定。


• VDD_GPU设计: 覆铜、过孔和GND过孔遵循上述原则，线宽要求在120mil-200mil之间，确保GPU供电的高效。

在过孔安排上，优先考虑电源和地层的连通性，同时保持信号线的规整性。确保CPU电源PIN脚连接路径充足，VDD_GPU需多打电源过孔，去耦电容的GND过孔数量与之匹配，去耦电容位置如图所示，线宽10mil，覆铜可减小压降，建议至少14个过孔。

VDD_NPU和VDD_CPU_LIT遵循类似原则，电源过孔分别大于7个和9个，线宽要求一致，GND过孔建议分别≧9个和≧9个，去耦电容布局要考虑到每个管脚对应一个过孔，线宽10mil，线宽300-500mil，同样通过覆铜来降低压降。

D管脚位置: 图形清晰显示，其他电容应沿电源路径紧密布局。

VDD_CPU_LIT的走线策略是井字形布线，线宽10mil，核心区域线宽120mil，外围扩展至300mil，双层覆铜提供额外的电源稳定性。

电源过孔建议，VDD_CPU_LIT需≧9个，VDD_VDENC则需要≧8个，集中在30-40mil的范围内，确保信号传输的高效。

VDD_VDENC: 覆铜宽大，路径充足，换层时务必增加过孔，去耦电容的位置如图所示，保证电源质量。

VCC_DDR: 布局类似，去耦电容接近芯片中心，线宽和过孔数量需一致，优化信号完整性。

连接LPDDR4x时，VCC_DDR线宽要求根据区域分别为CPU>120mil和外围>200mil，覆铜优先，以确保内存信号的准确传输。

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