为什么现在很少见到锗二极管或三极管了,而硅晶体管却很常见。

kuaidi.ping-jia.net  作者:佚名   更新日期:2024-06-25
如何判别晶体管(半导体三极管)是硅管还是锗管

一只标志不清的晶体管三极管,可以用万用表判断它的极性,确定它是硅管还是锗管,并同时区分它的管脚。对于一般小功率管,判断时一般只宜用Rx1K档.步骤如下:
1. 正测与反测 将红黑表笔测晶体管的任意两脚电阻,再红黑表笔互换仍测这两脚电阻,两次测量电阻读数不同,我们把电阻读数较小的那次测量叫正测,我们把电阻读数较大的那次测量叫反测。
2. 确定基极 将晶体管三只管脚编上号1.2.3. 万用表作三种测量,即1-2, 2-3,3-1,每种又分正测和反测。这六次测量中, 有三次属正测, 且电阻读数个不相同。找出正测电阻最大的那只管脚,例如1-2,另一支管脚3便是基极。这是由于不论管或管,都为两个二极管反向连接而成(如附图)。发射极,集电极与基极间的正测电阻即一般二极管正向电阻,很小。当两表笔接集电极和发射极时,其阻值远大于一般二极管正向电阻。
3. 判别极性 黑表笔接已确定的基极,红表笔接另一任意极,若为正测,则为NPN管,若为反测,则为PNP管。这是因为黑表笔接万用表内电池正端,如为正测,黑表笔接的是P端,晶体管属NPN型。如为反测,黑表笔接的是N端,晶体管属PNP型。
4. 确定集电极和发射极对集电极和发射极作正测。在正测时,对NPN管黑表笔接的是集电极,对PNP管,黑表笔接的是发射极。这是因为不论正测或反测,都有一个PN结处于反向,电池电压大部分降落在反向的PN结上。发射结正偏,集电路反偏时流过的电流较大,呈现的电阻较小。所以对NPN管,当集,射间电阻较小时,集电极接的是电池正极,即接的是黑表笔。对PNP管,当集,射间的电阻较小时,发射极接的是黑表笔。
5. 判别是硅管还是锗管 对发射极基极做正测, 若指针偏转了1/2--3/5,是硅管。若指针偏转了4/5以上,是锗管。这是因为电阻挡对基——射极作正测时, 加在基射间的电压是Ube=(1-n/N)E, E=1.5v是电池电压,N是有线性刻度的某一直流电压的总分格数,n是表针在该刻度线上偏转的分格数。通常硅管U=0.6~0.7v, 锗管Ube=0.2~0.3v。因此在测试时, 对硅管, n/N约为1/2-3/5;对锗管, n/N约为4/5以上。 另外,对于一般小功率的判别,万用表不宜采用Rx10或Rx1挡。以500型万用表测硅管来说明,该表内阻在Rx10挡是100欧,对硅管b.e极作正测是,电流达Ibe=(1.5v-0.7v)/100欧=8mA,? 测锗管时电流还要大,用Rx1挡电流更大,有可能损坏晶体管。至于Rx1k挡,该挡电池电压较高,常见的有1v,12v,15v,22.5v等几种,反测时有可能造成PN结击穿,故此挡也应慎用。

测判三极管的口诀
三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测判方法,笔者总结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。
一、 三颠倒,找基极

大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管,图1是它们的电路符号和等效电路。

测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。由图可见,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电池的正极。

假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。

二、 PN结,定管型

找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。

三、 顺箭头,偏转大

找出了基极b,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。

(1) 对于NPN型三极管,穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理,用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。

(2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c(参看图1、图3可知)。

四、 测不出,动嘴巴

若在“顺箭头,偏转大”的测量过程中,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时,就要“动嘴巴”了。具体方法是:在“顺箭头,偏转大”的两次测量中,用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b,仍用“顺箭头,偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用,目的是使效果更加明显。

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电子技术发展的里程碑——晶体管

谈到晶体管,也许很多人会感到很陌生.然而,就是小小的晶体管的发明给电子学带来了一场革命.这场革命发展之迅速、波及范围之广泛,完全超出了人们的想象.

现在晶体管和微型电路几乎无所不能,无处不在.小到人们日常生活中的助听器、收音机、录音机和电视机,大到实验室仪器、工业生产及国防设备、计算机、机器人、宇宙飞盘等,都离不开晶体管.可以毫不夸张地说,晶体管奠定了现代电子技术的基础.

可是,晶体管究竟是什么样的?它又是怎样发明出来的?必不可少的一步——电子管的问世1883年,闻名世界的大发明家爱迪生发明了第一只白炽照明灯.电灯的发明,给一直生活在黑暗之中的人们送去了光明和温暖.就在这个过程中,爱迪生还发现了一个奇特的现象:一块烧红的铁会散发出电子云.后人称之为爱迪生效应.1884年的一天,一位叫弗莱明的英国发明家,远涉重洋,风尘仆仆地来到美国,拜会了他慕名已久的爱迪生.就在这两位大发明家的会见中,爱迪生再次展示了爱迪生效应.遗憾的是,由于当时技术条件的限制,不论是爱迪生,还是弗莱明,都对这一效应百思不得其解,不知道利用这一效应能做些什么.

20世纪初,有线电报问世了.这一发明给人们带来了很多便利.有线电报发出的信号是高频无线电波,收信台必须进行整流,才能从听筒中听出声音来.当时的整流器结构复杂,功效又差,亟待改进.正在研究高频整流器的弗莱明灵机一动,他想,如果把爱迪生效应应用在检波器上,结果会怎样呢?就这样,引出了一个新的发明.

1904年弗莱明在真空中加热的电丝(灯丝)前加了一块板极,从而发明了第一只电子管.他把这种装有两个极的电子管称为二极管.利用新发明的电子管,可以给电流整流,使电话受话器或其它记录装置工作起来.如今,打开一架普通的电子管收音机,我们很容易看到灯丝烧得红红的电子管.它是电子设备工作的心脏,是电子工业发展的起点.

弗莱明的二极管是一项崭新的发明.它在实验室中工作得非常好.可是,不知为什么,它在实际用于检波器上却很不成功,还不如同时发明的矿石检波器可靠.因此,对当时无线电的发展没有产生什么冲击.

此后不久,贫困潦倒的美国发明家德福雷斯特,在二极管的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板,从而发明了第一只真空三极管.这一小小的改动,竟带来了意想不到的结果.它不仅反应更为灵敏、能够发出音乐或声音的振动,而且,集检波、放大和振荡三种功能于一体.因此,许多人都将三极管的发明看作电子工业真正的诞生起点.德福雷斯特自己也非常惊喜,认为“我发现了一个看不见的空中帝国”.电子管的问世,推动了无线电电子学的蓬勃发展.到1960年前后,西方国家的无线电工业年产10亿只无线电电子管.电子管除应用于电话放大器、海上和空中通讯外,也广泛渗透到家庭娱乐领域,将新闻、教育节目、文艺和音乐播送到千家万户.就连飞机、雷达、火箭的发明和进一步发展,也有电子管的一臂之力.

三条腿的魔术师电子管在电子学研究中曾是得心应手的工具.电子管器件历时40余年一直在电子技术领域里占据统治地位.但是,不可否认,电子管十分笨重,能耗大、寿命短、噪声大,制造工艺也十分复杂.因此,电子管问世不久,人们就在努力寻找新的电子器件.第二次世界大战中,电子管的缺点更加暴露无遗.在雷达工作频段上使用的普通的电子管,效果极不稳定.移动式的军用器械和设备上使用的电子管更加笨拙,易出故障.因此,电子管本身固有的弱点和迫切的战时需要,都促使许多科研单位和广大科学家,集中精力,迅速研制成功能取代电子管的固体元器件.

早在30年代,人们已经尝试着制造固体电子元件.但是,当时人们多数是直接用模仿制造真空三极管的方法来制造固体三极管.因此这些尝试毫无例外都失败了.

年6月的一天,在美国贝尔实验室的一个房间里,一架样式很普通的收音机正在播放着轻柔的音乐,许多参观者在它面前驻足不前.为什么大家都对这台收音机情有独钟呢?原来这是第一架不用电子管,而代之以一种新的固体元件——晶体管的收音机.虽然人们对这架收音机显露出浓厚的兴趣.然而,他们对晶体管本身却不以为然.美国《纽约先驱论坛报》的记者在报道中写道:“这一器件还在实验室阶段,工程师们都认为它在电子工业中的革新是有限的.”事实上,晶体管发明以后,在不长的时间内,它的深远影响便很快地显示出来.它在电子学领域完成了一场真正的革命.

什么是晶体管呢?通俗地说,晶体管是半导体做的固体电子元件.像金银铜铁等金属,它们导电性能好,叫做导体.木材、玻璃、陶瓷、云母等不易导电,叫做绝缘体.导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,就叫半导体.晶体管就是用半导体材料制成的.这类材料最常见的便是锗和硅两种.

半导体是19世纪末才发现的一种材料.当时人们并没有发现半导体的价值,也就没有注重半导体的研究.直到二次大战中,由于雷达技术的发展,半导体器件——微波矿石检波器的应用日趋成熟,在军事上发挥了重要作用,这才引起了人们对半导体的兴趣.许多科学家都投入到半导体的深入研究中.经过紧张的研究工作,美国物理学家肖克利、巴丁和布拉顿三人捷足先登,合作发明了晶体管——一种三个支点的半导体固体元件.晶体管被人们称为“三条腿的魔术师”.它的发明是电子技术史中具有划时代意义的伟大事件,它开创了一个崭新的时代——固体电子技术时代.他们三人也因研究半导体及发现晶体管效应而共同获得1956年最高科学奖——诺贝尔物理奖.

肖克利小组与晶体管美国人威廉·肖克利,1910年2月13日生于伦敦,曾在美国麻省理工学院学习量子物理,1936年得到该校博士学位后,进入久负盛名的贝尔实验室工作.贝尔实验室是电话发明人贝尔创立的.在电子、特别在通讯领域是最有名气的研究所,号称“研究王国”.早在1936年,当时的研究部主任,后来的贝尔实验室总裁默文·凯利就对肖克利说过,为了适应通讯不断增长的需要,将来一定会用电子交换取代电话系统的机械转换.这段话给肖克利留下了不可磨灭的印象,激起他满腔热情,把毕生精力投入到推进电子技术进步的事业中.沃尔特·布拉顿也是美国人,1902年2月10日出生在中国南方美丽的城市厦门,当时他父亲受聘在中国任教.布拉顿是实验专家,1929年获得明尼苏达大学的博士学位后,进入贝尔研究所从事真空管研究工作.温文儒雅的美国人巴丁是一个大学教授的儿子,1908年在美国威斯康星州的麦迪逊出生,相继于1928年和1929年在威斯康星大学获得两个学位.后来又转入普林斯顿大学攻读固体物理,1936年获得博士学位.1945年来到贝尔实验室工作.默文·凯利是一位颇有远见的科技管理人员.他从30年代起,就注意寻找和采用新材料及依据新原理工作的电子放大器件.在第二次世界大战前后,敏锐的科研洞察力促使他果断地决定加强半导体的基础研究,以开拓电子技术的新领域.于是,1945年夏天,贝尔实验室正式决定以固体物理为主要研究方向,并为此制定了一个庞大的研究计划.发明晶体管就是这个计划的一个重要组成部分.1946年1月,贝尔实验室的固体物理研究小组正式成立了.这个小组以肖克利为首,下辖若干小组,其中之一包括布拉顿、巴丁在内的半导体小组.在这个小组中,活跃着理论物理学家、实验专家、物理化学家、线路专家、冶金专家、工程师等多学科多方面的人才.他们通力合作,既善于汲取前人的有益经验,又注意借鉴同时代人的研究成果,博采众家之长.小组内部广泛开展有益的学术探讨.“有新想法,新问题,就召集全组讨论,这是习惯”.在这样良好的学术环境中,大家都充满热情,完全沉醉在理论物理领域的研究与探索中.

开始,布拉顿和巴丁在研究晶体管时,采用的是肖克利提出的场效应概念.场效应设想是人们提出的第一个固体放大器的具体方案.根据这一方案,他们仿照真空三极管的原理,试图用外电场控制半导体内的电子运动.但是事与愿违,实验屡屡失败.

人们得到的效应比预期的要小得多.人们困惑了,为什么理论与实际总是矛盾的呢?

问题究竟出在那里呢?经过多少个不眠之夜的苦苦思索,巴丁又提出了一种新的理论——表面态理论.这一理论认为表面现象可以引起信号放大效应.表面态概念的引入,使人们对半导体的结构和性质的认识前进了一大步.布拉顿等人乘胜追击,认真细致地进行了一系列实验.结果,他们意外地发现,当把样品和参考电极放在电解液里时,半导体表面内部的电荷层和电势力发生了改变,这不正是肖克利曾经预言过的场效应吗?这个发现使大家十分振奋.在极度兴奋中,他们加快了研究步伐,利用场效应又反复进行了实验.谁知,继续实验中突然发生了与以前截然不同的效应.这接踵而至的新情况大大出乎实验者的预料.

人们的思路被打断了,制作实用器件的原计划不能不改变了,渐趋明朗的形势又变得扑朔迷离了.然而肖克利小组并没有知难而退.他们紧紧循着茫茫迷雾中的一丝光亮,改变思路,继续探索.经过多次地分析、计算、实验,1947年12月23日,人们终于得到了盼望已久的“宝贝”.这一天,巴丁和布拉顿把两根触丝放在锗半导体晶片的表面上,当两根触丝十分靠近时,放大作用发生了.世界第一只固体放大器——晶体管也随之诞生了.在这值得庆祝的时刻,布拉顿按捺住内心的激动,仍然一丝不苟地在实验笔记中写道:“电压增益100,功率增益40,电流损失1/2.5……亲眼目睹并亲耳听闻音频的人有吉布尼、摩尔、巴丁、皮尔逊、肖克利、弗莱彻和包文.”在布拉顿的笔记上,皮尔逊、摩尔和肖克利等人分别签上了日期和他们的名字表示认同.

巴丁和布拉顿实验成功的这种晶体管,是金属触丝和半导体的某一点接触,故称点接触晶体管.这种晶体管对电流、电压都有放大作用.

晶体管发明之后基于严谨的科学态度,贝尔实验室并没有立即发表肖克利小组的研究成果.他们认为,还需要时间弄清晶体管的效应,以便编写论文和申请专利.此后一段时间里,肖克利等人在极度紧张的状态中忙碌地工作着.他们心中隐藏着一丝忧虑.如果别人也发明了晶体管并率先公布了,他们的心血就付之东流了.他们的担心绝非多虑,当时许多科学家都在潜心于这一课题的研究.1948年初,在美国物理学会的一次会议上,柏杜大学的布雷和本泽报告了他们在锗的点接触方面所进行的实验及其发现.当时贝尔实验室发明晶体管的秘密尚未公开,它的发明人之一——布拉顿此刻就端坐在听众席上.布拉顿清楚地意识到布雷等人的实验距离晶体管的发明就差一小步了.因此,会后布雷与布拉顿聊天时谈到他们的实验时,布拉顿立刻紧张起来.他不敢多开口,只让对方讲话,生怕泄密给对方,支吾几句就匆匆忙忙地走开了.后来,布雷曾惋惜地说过:“如果把我的电极靠近本泽的电极,我们就会得到晶体管的作用,这是十分明白的.”由此可见,当时科学界的竞争是多么的激烈!实力雄厚的贝尔实验室在这场智慧与技能的角逐中,也不过略胜一筹.

晶体管发明半年以后,在1948年6月30日,贝尔实验室首次在纽约向公众展示了晶体管.这个伟大的发明使许多专家不胜惊讶.然而,对于它的实用价值,人们大都表示怀疑.当年7月1日的《纽约时报》只以8个句子、201个文字的短讯形式报道了本该震惊世界的这条新闻.在公众的心目中,晶体管不过是实验室的珍品而已.估计只能做助听器之类的小东西,不可能派上什么大用场.

的确,当时的点接触晶体管同矿石检波器一样,利用触须接点,很不稳定,噪声大,频率低,放大功率小,性能还赶不上电子管,制作又很困难.难怪人们对它无动于衷.然而,物理学家肖克利等人却坚信晶体管大有前途,它的巨大潜力还没有被人们所认识.于是,在点接触式晶体管发明以后,他们仍然不遗余力,继续研究.又经过一个多月的反复思索,肖克利瘦了,眼中也布满了血丝.一个念头却在心中越来越明晰了,那就是以往的研究之所以失败,根本原因在于人们不顾一切地盲目模仿真空三极管.这实际上走入了研究的误区.晶体管同电子管产生于完全不同的物理现象,这就暗示晶体管效应有其独特之处.明白了这一点,肖克利当即决定暂时放弃原来追求的场效应晶体管,集中精力实现另一个设想——晶体管的放大作用.正确的思想终于开出了最美的花朵.1948年11月,肖克利构思出一种新型晶体管,其结构像“三明治”夹心面包那样,把N型半导体夹在两层P型半导体之间.这是一个多么富有想象力的设计啊!可惜的是,由于当时技术条件的限制,研究和实验都十分困难.直到1950年,人们才成功地制造出第一个PN结型晶体管.

电子技术发展史上一座里程碑晶体管的出现,是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩.同电子管相比,晶体管具有诸多优越性:①晶体管的构件是没有消耗的.无论多么优良的电子管,都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化.由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题.随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍,称得起永久性器件的美名.②晶体管消耗电子极少,仅为电子管的十分之一或几十分之一.它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子.一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去,这对电子管收音机来说,是难以做到的.③晶体管不需预热,一开机就工作.例如,晶体管收音机一开就响,晶体管电视机一开就很快出现画面.电子管设备就做不到这一点.开机后,非得等一会儿才听得到声音,看得到画面.显然,在军事、测量、记录等方面,晶体管是非常有优势的.④晶体管结实可靠,比电子管可靠100倍,耐冲击、耐振动,这都是电子管所无法比拟的.另外,晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,可用于设计小型、复杂、可靠的电路.晶体管的制造工艺虽然精密,但工序简便,有利于提高元器件的安装密度.正因为晶体管的性能如此优越,晶体管诞生之后,便被广泛地应用于工农业生产、国防建设以及人们日常生活中.1953年,首批电池式的晶体管收音机一投放市场,就受到人们的热烈欢迎,人们争相购买这种收音机.接着,各厂家之间又展开了制造短波晶体管的竞赛.此后不久,不需要交流电源的袖珍“晶体管收音机”开始在世界各地出售,又引起了一个新的消费热潮.

由于硅晶体管适合高温工作,可以抵抗大气影响,在电子工业领域是最受欢迎的产品之一.从1967年以来,电子测量装置或者电视摄像机如果不是“晶体管化”的,那么就别想卖出去一件.轻便收发机,甚至车载的大型发射机也都晶体管化了.

另外,晶体管还特别适合用作开关.它也是第二代计算机的基本元件.人们还常常用硅晶体管制造红外探测器.就连可将太阳能转变为电能的电池——太阳能电池也都能用晶体管制造.这种电池是遨游于太空的人造卫星的必不可少的电源.晶体管这种小型简便的半导体元件还为缝纫机、电钻和荧光灯开拓了电子控制的途径.从1950年至1960年的十年间,世界主要工业国家投入了巨额资金,用于研究、开发与生产晶体管和半导体器件.例如,纯净的锗或硅半导体,导电性能很差,但加入少量其它元素(称为杂质)后,导电性能会提高许多.但是要想把定量杂质正确地熔入锗或硅中,必须在一定的温度下,通过加热等方法才能实现.而一旦温度高于摄氏75度,晶体管就开始失效.为了攻克这一技术难关,美国政府在工业界投资数百万美元,以开展这项新技术的研制工作.在这样雄厚的财政资助下,没过多久,人们便掌握了这种高熔点材料的提纯、熔炼和扩散的技术.特别是晶体管在军事计划和宇宙航行中的威力日益显露出来以后,为争夺电子领域的优势地位,世界各国展开了激烈的竞争.为实现电子设备的小型化,人们不惜成本,纷纷给电子工业以巨大的财政资助.

自从1904年弗莱明发明真空二极管,1906年德福雷斯特发明真空三极管以来,电子学作为一门新兴学科迅速发展起来.但是电子学真正突飞猛进的进步,还应该是从晶体管发明以后开始的.尤其是PN结型晶体管的出现,开辟了电子器件的新纪元,引起了一场电子技术的革命.在短短十余年的时间里,新兴的晶体管工业以不可战胜的雄心和年轻人那样无所顾忌的气势,迅速取代了电子管工业通过多年奋斗才取得的地位,一跃成为电子技术领域的排头兵.现代电子技术的基础诚然,电子管的发明使电子设备发生了革命性变化.但是电子管体大易碎,费电又不可靠.因此,晶体管的问世被誉为本世纪最伟大的发明之一,它解决了电子管存在的大部分问题.可是单个晶体管的出现,仍然不能满足电子技术飞速发展的需要.随着电子技术应用的不断推广和电子产品发展的日趋复杂,电子设备中应用的电子器件越来越多.比如二次世界大战末出现的B29轰炸机上装有1千个电子管和1万多个无线电元件.电子计算机就更不用说了.1960年上市的通用型号计算机有10万个二极管和2.5万个晶体管.一个晶体管只能取代一个电子管,极为复杂的电子设备中就可能要用上百万个晶体管.一个晶体管有3条腿,复杂一些的设备就可能有数百万个焊接点,稍一不慎,就极有可能出现故障.为确保设备的可靠性,缩小其重量和体积,人们迫切需要在电子技术领域来一次新的突破.1957年苏联成功地发射了第一颗人造卫星.这一震惊世界的消息引起了美国朝野的极大震动,它严重挫伤了美国人的自尊心和优越感,发达的空间技术是建立在先进的电子技术基础上的.为夺得空间科技的领先地位,美国政府于1958年成立了国家航空和宇航局,负责军事和宇航研究,为实现电子设备的小型化和轻量化,投入了天文数字的经费.就是在这种激烈的军备竞赛的刺激下,在已有的晶体管技术的基础上,一种新兴技术诞生了,那就是今天大放异彩的集成电路.有了集成电路,计算机、电视机等与人类社会生活密切相关的设备不仅体积小了,功能也越来越齐全了,给现代人的工作、学习和娱乐带来了极大便利.那么,什么是集成电路呢?集成电路是在一块几平方毫米的极其微小的半导体晶片上,将成千上万的晶体管、电阻、电容、包括连接线做在一起.真正是立锥之地布千军.它是材料、元件、晶体管三位一体的有机结合.

集成电路的问世是离不开晶体管技术的,没有晶体管就不会有集成电路.本质上,集成电路是最先进的晶体管——外延平面晶体制造工艺的延续.集成电路设想的提出,同晶体管密切相关.1952年,英国皇家雷达研究所的一位著名科学家达默,在一次会议上曾指出:“随着晶体管的出现和对半导体的全面研究,现在似乎可以想象,未来电子设备是一种没有连接线的固体组件.”虽然达默的设想并未付诸实施,但是他为人们的深入研究指明了方向.

后来,一个叫基尔比的美国人步达默的后尘,走上了研究固体组件这条崎岖的小路.基尔比毕业于伊利诺斯大学电机工程系.1952年一个偶然机会,基尔比参加了贝尔实验室的晶体管讲座.富于创造性的基尔比一下子就被晶体管这个小东西迷住了.

当时,他在一家公司负责一项助听器研究计划.心系晶体管的基尔比不由自主地想把晶体管用在助听器上,他果然获得了成功.他研究出一种简便的方法,将晶体管直接安装在塑料片上,并用陶瓷密封.初步的成功使他对晶体管的兴趣与日俱增.为寻求更大的发展,基尔比于1958年5月进入得克萨斯仪器公司.当时,公司正参与美国通信部队的一项微型组件计划.基尔比非常希望能在这一计划中一显身手.强烈的自尊促使他决心凭自己的智慧和努力进入这一计划.于是,他常常一个人埋头在工厂,思考采用半导体制造整个电路的途径.记不清多少次苦苦思索,多少回实验,多少次挫折,经过长时间的孤军奋战,到1959年,一块集成电路板终于在基尔比的手中诞生了.

同年3月,这一产品被拿到无线电工程师协会上展出.得克萨斯公司当时的副总裁谢泼德自豪地宣布,这是“硅晶体管后得克萨斯仪器公司最重要的开发成果”.在晶体管技术基础上迅速发展起来的集成电路,带来了微电子技术的突飞猛进.

微电子技术的不断进步,极大降低了晶体管的成本,在1960年,生产1只晶体管要花10美元,而今天,1只嵌入集成电路里的晶体管的成本还不到1美分.这使晶体管的应用更为广泛了.

不仅如此,微电子技术通过微型化、自动化、计算机化和机器人化,将从根本上改变人类的生活.它正在冲击着人类生活的许多方面:劳动生产、家庭、政治、科学、战争与和平.

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锗管耐压低,结受温度影响变化大,电流导通小,而硅管就不同了,结受温度变化影响极小,电流导通大,耐压高,除硅二三极管外,常用大电流二极管,可控硅管等,现代大规模集成电路,芯片,太阳能电池板等大量使用。

锗晶体管性能较差,因而少见了。

  • 为什么现在很少见到锗二极管或三极管了,而硅晶体管却很常见。
    答:锗管耐压低,结受温度影响变化大,电流导通小,而硅管就不同了,结受温度变化影响极小,电流导通大,耐压高,除硅二三极管外,常用大电流二极管,可控硅管等,现代大规模集成电路,芯片,太阳能电池板等大量使用。
  • 求锗二极管
    答:其实硅管在电流比较小的时候,压降会小于0.6
  • 硅二极管为什么后来可以全面代替了锗二极管
    答:由于当时的技术和材料的原因,才生产了锗二极管。但因为反向耐压太小,工作电流也很小等诸多缺陷,才被硅二极管所代替了。这也是电子技术发展的必然。在生产硅二极和三极管的当时,还不能生产集成电路呢,可现在,集成电路成了最基本的电子器件了,这才是电子技术不断飞速的发展过程。
  • 三极管型号S9012是锗的吗
    答:你面对型号,从左到右,引脚依次是:e、b、c。现在锗三极管已经很少了。以前常用的锗三极管有3AX31、3AG1、3AG21,常用的锗检波二极管是2AP9。这些锗管现在很难买到。你可以从老式收音机内拆得。你要是想获得锗检波二极管建议你在淘宝网上购买1N60二极管即可。前天我在网上看到有卖。价格0.1元一个。
  • ...低反向电流的二极管型号能提供几个吗?如锗二极管。
    答:现在这些锗管已不太好买了,这些锗管以前最常用的就是2AP9,2AP10(它们是国产的,检波电流不高于20mA,耐压在20V以下),1N60(是美国生产的锗检波二极管,耐压高于前二个),这些管现在不大好买,建议你从一些老式收音机或录音机内拆得,我收藏了近十个专门用于搞实验。你也可以用3AG1/21/22这些锗...
  • 检波二极管在哪些电器有拆?
    答:其也是锗二极管,价格为0.1元一个,其可以代替上述锗二极管,性能很不错。另外,你也可以使用现在常用的硅开关二极管1N4148来检波,只是其检波效率没有锗二极管高,并且小信号时,检波失真也稍大一些。有兴趣,你也可以用3AG1这类锗三极管的发射结或集电结来代替锗二极管检波,性能也很不错。
  • 三极管和二极管的区别
    答:晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。二极管,(英语:Diode),电子元件...
  • 二极管的主要材料是什么?
    答:半导体:常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。主要材料:元素半导体:锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体:包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ...
  • 如何判断三极管是硅管还是锗管?
    答:楼上正解,还可以从型号上区别,国产的以3A**、3B**开头的三极管,以2A**、2B**开头的二极管都是锗管。以3C**、3D**开头的三极管,以2C**、2D**开头的二极管都是硅管,现在硅管很普遍,锗管较少。
  • 为何CPU只用硅,而不用能耗更低的锗制作?
    答:P、N两种半导体面对面放在一起会怎样?放在一起就形成了PN结,它具有单向导电性,电流只能从这一头流向另一头。一个PN结就可以形成半导体元器件中最简单的二极管,它同时也是构成三极管、场效应管等众多半导体元器件的基础结构。给PN结加正向电压(P区接正极、N区接负极),多数载流子将在外电场力的驱动下...