晶体管放大电路的图解法
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-08-08
晶体管放大电路图解法
根据你的IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)的式子，我大概能想出电路图的样子，一点也不矛盾，当有RE和没有RE时IB是不一样的，
有RE时，我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*RB
无RE时，我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*{β*RE+RE+RB}
当对于三极管的输入特性曲线是没有变化的，由于有没有RE的关系使得上两式与输入特性曲线交点不一样，当然也确定的特性曲线和负载线相交的点也不一样。及时在饱和区也应该能画的出来。
楼主，有什么问题再联系吧，我再看了一遍，感觉楼主有点表达不明，可能问题我哪里没理解，若是这样，再联系吧...
楼主若懂了，记得采纳，不是赞成，还有记得楼主自己说的追加分数啊
楼主问题意思是：假设晶体管T工作在放大区，由近似分析得到IBQ，用T输出特性曲线和输出回路负载线以及IBQ得到的交点却又恰好可能在饱和区，这样的前后矛盾。
如果楼主意思是我所描述的，
那么
第一：图解法是最为准确的解法，精度取决于你晶体管输入、输出特性曲线的测试。
图解法整个流程应该是：
输入回路负载线与T输入特性曲线交点求出IBQ，
再由输出特性曲线以及输出回路负载线及IBQ读出晶体管是工作在什么状态，以及UCE和ICQ
这样精度是高，但是测试输入输出特性曲线的过程麻烦。
第二：近似分析
假定T是在放大区，IC≈βIB（忽略了一些因素所得，学半导体原理的同学才能完全搞清楚，我也不懂，学模电更多是学怎么用，及知道怎么近似，近似是忽略什么）
UBE≈0.7V（其实是在0.7V左右，如果输入回路直流电源够大，可以直接将UBE压降看成0.7V，如果电源更大，甚至可以忽略，这是看你要的精度）
再结合输入回路电路图即可求出IB，
再求出IC，
结合输出回路电路图即可求出UCE。
结合UCE判断你的假设正不正确。
这样能快速分析晶体管的状态，但是存在着一定无处，有可能分析出来的结果在临界饱和或者截止附近，容易判断出错。如果是这种情况的话，要么还是用图解法再分析一次，要么就用上你的电表测试吧。
个人觉得，楼主是将两种方法混在了一起（也不是说不能这样），但你既然用了近似分析，就要承担近似分析带来的误差，如果出现楼主所描述情况，最好就单纯图解法，或者实际量一下。
来自一个模电初学者的理解。。。。
老司机们轻喷。。。。
（PS：楼主最后结合图解得出ICQ，UCE和直接输出回路分析得出ICQ，UCE是一样道理，如果得出UCE小于UBE（小的程度大一点，那么误差可以忽略），认为就是在饱和区了）
晶体管怎样放大电流和电压?
答：NPN：Ic+Ib=Ie，Ic=β.Ib PNP：Ie+Ib=Ic，Ic=β.Ib β为晶体管放大倍数。以上是之前的答案。答案是误，对于他人造成的误会，在此表示由衷的歉意。此外，也对给我提出不同意见的朋友表示感谢。为此，补充下面图纸供参考。下面是我2022.01.25的修改答案示意图。PNP电路图与传统的画法有点不一样。
晶体管放大电路如图,画出它的直流通路,交流通路,微变等效电路。
答：直流通路画法：电容开路。交流通路画法：电容电源短路。微变电路图画法，在交流通路基础上，三极管be间为电阻rbe、ce间为受控电流源。
如何画出放大电路的微变等效电路
答：1、先画出晶体管的微变等效电路 当输入信号很小时，在静态工作点附近的工作段可认为是直线。当Uce是常数时，ΔUвE与ΔIв之比称为晶体管的输入电阻。在小信号放大区，rье是常数。因此，晶体管的基极与发射极之间可用rье等效替代。在小信号放大区β是常数，对交流分量可写成ic=βiь，这表示...
测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并...
答：首先Ube一般比较小，所以两个图的上端肯定是c。上图的|Ube|是0.7，下图的是0.2，硅管的Uon比锗管高，所以上图为硅管，下图为锗。上图：如果左端为b，管子为NPN，那么发射结正偏，集电结反偏，Ube>Uon，符合放大工作条件。反过来，如果左端为e，管子为PNP，发射结正偏，集电结也是正偏，饱和...
基本晶体管放大电路分析
答：环境温度的变化对基本共射放大电路的静态工作点至关重要。当电源电压(Vcc/)和极基偏置电阻(Rb/)设定后，基极偏置电流(IB/)相对稳定。然而，温度上升会促使晶体管参数ICBO、ICEO、β值上升，导致输出特性曲线向上移动，静态工作点Q随之沿负载线移至Q'，主要表现为集电极电流(IC/)的增加，如图所示。理想...
单级放大器有哪几种类型,请分别画出它们的晶体管级电路图
答：有三种类型，分别是共射、共集和共基。见附图
晶体管放大电路的图解法
答：根据你的IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)的式子，我大概能想出电路图的样子，一点也不矛盾，当有RE和没有RE时IB是不一样的，有RE时，我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*RB 无RE时，我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*{β*RE+RE+RB} 当对于三极管的输入特性曲线是没有变化的，由于有没有RE的...
放大电路及相应的晶体管输出特性如图所示,直流负载线和Q点也标在图上...
答：1、根据图纸,VCC=12V,UCEQ=4V,ICQ=4mA,IBQ=40uA,所以直流放大系数B(懒得打希腊字母贝塔,用B代替)=ICQ /IBQ=100.RC=(VCC-UCEQ)/ICQ=20K,Rb=(VCC-UBEQ)/IBQ=282.5K。2、百度上图很麻烦,你自己画一条好了,过Q点,画斜率为-(1/(RC//RL)=-(1/4.615)的直线。3、最大不失真电压输出是看两个值: ...
晶体管放大电路的三种接法是怎样的?
答：晶体管放大电路的三种接法分比为共射接法，共基接法，共集接法，他们的区别为：共射接法为基极和发射极构成输入回路，集电极和发射极构成输出回路。共射电路既能放大电流又能放大电压，输入输出电阻居三种电路之中，输出电阻较大，频带较窄。常用作为低频电压放大电路的单元电路。共基接法为发射极和...
晶体管放大电路
答：如题，Ic=（Ucc-Uce）/Rc （1）在晶体管输出特性曲线上可以看到，当Ib不变时，Ic=Ib*β也是不变的。所以，在式（1）中，当Rc改变时，是通过Uce的同时改变（见输出特性曲线），来保持Ic的不变的。
这样并不与图解法相违背。虽然假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管工作在放大区，但是若求出的IB对应的那根特性曲线和负载线相交在饱和区，就说明工作点设置不合理，就应该加大RB，重新计算，直到IB对应的那根特性曲线和负载线相交在放大区为止。对于分压偏置放大器，可以加大RB1，同样可以减小IB，使工作点进入管子输出特性曲线的放大区。
图解法直观，方便，可直观的看到三极管各点的工作情况，缺点是不精确；估算法相对精确一些，但需要算，没有前一种直观。
楼主，我来说一下吧：根据你的IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)的式子，我大概能想出电路图的样子，一点也不矛盾，当有RE和没有RE时IB是不一样的，
有RE时，我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*RB
无RE时，我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*{β*RE+RE+RB}
当对于三极管的输入特性曲线是没有变化的，由于有没有RE的关系使得上两式与输入特性曲线交点不一样，当然也确定的特性曲线和负载线相交的点也不一样。及时在饱和区也应该能画的出来。
楼主，有什么问题再联系吧，我再看了一遍，感觉楼主有点表达不明，可能问题我哪里没理解，若是这样，再联系吧...
楼主若懂了，记得采纳，不是赞成，还有记得楼主自己说的追加分数啊
楼主问题意思是：假设晶体管T工作在放大区，由近似分析得到IBQ，用T输出特性曲线和输出回路负载线以及IBQ得到的交点却又恰好可能在饱和区，这样的前后矛盾。
如果楼主意思是我所描述的，
那么
第一：图解法是最为准确的解法，精度取决于你晶体管输入、输出特性曲线的测试。
图解法整个流程应该是：
输入回路负载线与T输入特性曲线交点求出IBQ，
再由输出特性曲线以及输出回路负载线及IBQ读出晶体管是工作在什么状态，以及UCE和ICQ
这样精度是高，但是测试输入输出特性曲线的过程麻烦。
第二：近似分析
假定T是在放大区，IC≈βIB（忽略了一些因素所得，学半导体原理的同学才能完全搞清楚，我也不懂，学模电更多是学怎么用，及知道怎么近似，近似是忽略什么）
UBE≈0.7V（其实是在0.7V左右，如果输入回路直流电源够大，可以直接将UBE压降看成0.7V，如果电源更大，甚至可以忽略，这是看你要的精度）
再结合输入回路电路图即可求出IB，
再求出IC，
结合输出回路电路图即可求出UCE。
结合UCE判断你的假设正不正确。
这样能快速分析晶体管的状态，但是存在着一定无处，有可能分析出来的结果在临界饱和或者截止附近，容易判断出错。如果是这种情况的话，要么还是用图解法再分析一次，要么就用上你的电表测试吧。
个人觉得，楼主是将两种方法混在了一起（也不是说不能这样），但你既然用了近似分析，就要承担近似分析带来的误差，如果出现楼主所描述情况，最好就单纯图解法，或者实际量一下。
来自一个模电初学者的理解。。。。
老司机们轻喷。。。。
（PS：楼主最后结合图解得出ICQ，UCE和直接输出回路分析得出ICQ，UCE是一样道理，如果得出UCE小于UBE（小的程度大一点，那么误差可以忽略），认为就是在饱和区了）
从本期视频开始，逐步讲解晶体管差动式放大电路，以及后期的带有恒流源电路的差动式放大电路。
答：NPN：Ic+Ib=Ie，Ic=β.Ib PNP：Ie+Ib=Ic，Ic=β.Ib β为晶体管放大倍数。以上是之前的答案。答案是误，对于他人造成的误会，在此表示由衷的歉意。此外，也对给我提出不同意见的朋友表示感谢。为此，补充下面图纸供参考。下面是我2022.01.25的修改答案示意图。PNP电路图与传统的画法有点不一样。
答：直流通路画法：电容开路。交流通路画法：电容电源短路。微变电路图画法，在交流通路基础上，三极管be间为电阻rbe、ce间为受控电流源。
答：1、先画出晶体管的微变等效电路 当输入信号很小时，在静态工作点附近的工作段可认为是直线。当Uce是常数时，ΔUвE与ΔIв之比称为晶体管的输入电阻。在小信号放大区，rье是常数。因此，晶体管的基极与发射极之间可用rье等效替代。在小信号放大区β是常数，对交流分量可写成ic=βiь，这表示...
答：首先Ube一般比较小，所以两个图的上端肯定是c。上图的|Ube|是0.7，下图的是0.2，硅管的Uon比锗管高，所以上图为硅管，下图为锗。上图：如果左端为b，管子为NPN，那么发射结正偏，集电结反偏，Ube>Uon，符合放大工作条件。反过来，如果左端为e，管子为PNP，发射结正偏，集电结也是正偏，饱和...
答：环境温度的变化对基本共射放大电路的静态工作点至关重要。当电源电压(Vcc/)和极基偏置电阻(Rb/)设定后，基极偏置电流(IB/)相对稳定。然而，温度上升会促使晶体管参数ICBO、ICEO、β值上升，导致输出特性曲线向上移动，静态工作点Q随之沿负载线移至Q'，主要表现为集电极电流(IC/)的增加，如图所示。理想...
答：有三种类型，分别是共射、共集和共基。见附图
答：根据你的IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)的式子，我大概能想出电路图的样子，一点也不矛盾，当有RE和没有RE时IB是不一样的，有RE时，我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*RB 无RE时，我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*{β*RE+RE+RB} 当对于三极管的输入特性曲线是没有变化的，由于有没有RE的...
答：1、根据图纸,VCC=12V,UCEQ=4V,ICQ=4mA,IBQ=40uA,所以直流放大系数B(懒得打希腊字母贝塔,用B代替)=ICQ /IBQ=100.RC=(VCC-UCEQ)/ICQ=20K,Rb=(VCC-UBEQ)/IBQ=282.5K。2、百度上图很麻烦,你自己画一条好了,过Q点,画斜率为-(1/(RC//RL)=-(1/4.615)的直线。3、最大不失真电压输出是看两个值: ...
答：晶体管放大电路的三种接法分比为共射接法，共基接法，共集接法，他们的区别为：共射接法为基极和发射极构成输入回路，集电极和发射极构成输出回路。共射电路既能放大电流又能放大电压，输入输出电阻居三种电路之中，输出电阻较大，频带较窄。常用作为低频电压放大电路的单元电路。共基接法为发射极和...
答：如题，Ic=（Ucc-Uce）/Rc （1）在晶体管输出特性曲线上可以看到，当Ib不变时，Ic=Ib*β也是不变的。所以，在式（1）中，当Rc改变时，是通过Uce的同时改变（见输出特性曲线），来保持Ic的不变的。
