场效应管工作原理是什么？
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-07-02
大功率场效应管，3isc可以定制
关于场效应管的工作原理，网上（包括百度百科）都是这么说：“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”，其实这句话就是一个病句，很拗口，让人很难理解；
下面指出这句话“病”在哪里；①“用”和“以”两字重复，“用”和“以”字都是用对象甲来做成对象乙的意思，例如“用（以）变频器来控制电机转速”；但是“用以”的意思就完全不同了，“用以”的意思是对象甲用以做成对象乙，例如“变频器用以控制电机转速”，如果你说“用以变频器控制电机转速”是不是觉得非常拗口，非常不好理解？拗口就对了，因为这就是一个病句；
②“漏极-源极间流经沟道的ID”和这句话最后的“ID”重复，例如“电机转速，用（以）变频器来控制电机转速”，是不是觉得这句也很拗口，很别扭？正确的说法是“电机转速，用变频器来控制”或者是“用变频器来控制电机转速”；
综上所述：这句话应该是“漏极-源极间流经沟道的ID，用（以）栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压来控制”或者是“用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压来控制漏极-源极间流经沟道的ID”，这才是场效应管工作原理的正确描述
场效应管工作原理是什么?
答：场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所...
求解MOS场效应管的构造原理,和工作原理,越详细越好,谢谢。
答：是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM — 最大漏源电流。是...
场效应管的工作原理是什么?
答：场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种...
场效应管的工作的原理是什么
答：场效应管（Field-EffectTransistor，FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制一个电场来控制传导。FET有三个极，包括源极（S）、漏极（D）和门极（G）。当在门极施加电场时，会在门极-源极处产生一个电动势差，这会使得在源极和漏极之间的电子流受到控制。因此，通过调整门极电压，可以控制在...
什么是场效应管及其工作原理
答：1. 场效应管的工作原理及应用领域 场效应管是一种电子器件，利用电场控制电流流动的特性而得名。它由源极、栅极和漏极组成，在不同的电压下，通过改变栅极电场强弱来调节漏极电流。场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和高增益等优点，被广泛应用于放大电路的设计、数字逻辑电路和功率放大器等方面。在...
场效应管工作原理
答：场效应管是一种半导体器件，它可以将控制电场转换为放大电流，从而实现电子信号的放大。场效应管的工作原理可以分为以下几个步骤：1.PN结的形成 场效应管的基本结构由P型半导体和N型半导体组成，它们之间形成了PN结。当PN结处于正向偏置时，电子从N型半导体向P型半导体流动，同时空穴从P型半导体向N型半导体...
场效应管是个什么东西?原理作用都是什么?
答：1.场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。2.场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道...
场效应管的原理
答：一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构,每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。 1、结型场效应管(JFET) (1)结构原理 它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极,又在硅棒的两侧各做一个P区,形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来,称为栅极Go这样就构成了...
场效应管工作原理
答：场效应管工作原理用一句话说，就是漏极与源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容容量可以较小，...
场效应管原理
答：我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常...
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
扩展资料：
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
关于场效应管的工作原理，网上（包括百度百科）都是这么说：“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”，其实这句话就是一个病句，很拗口，让人很难理解；
下面指出这句话“病”在哪里；①“用”和“以”两字重复，“用”和“以”字都是用对象甲来做成对象乙的意思，例如“用（以）变频器来控制电机转速”；但是“用以”的意思就完全不同了，“用以”的意思是对象甲用以做成对象乙，例如“变频器用以控制电机转速”，如果你说“用以变频器控制电机转速”是不是觉得非常拗口，非常不好理解？拗口就对了，因为这就是一个病句；
②“漏极-源极间流经沟道的ID”和这句话最后的“ID”重复，例如“电机转速，用（以）变频器来控制电机转速”，是不是觉得这句也很拗口，很别扭？正确的说法是“电机转速，用变频器来控制”或者是“用变频器来控制电机转速”；
综上所述：这句话应该是“漏极-源极间流经沟道的ID，用（以）栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压来控制”或者是“用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压来控制漏极-源极间流经沟道的ID”，这才是场效应管工作原理的正确描述
场效应管你内部结构，工作原理和电路中的几种用法
答：场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所...
答：是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM — 最大漏源电流。是...
答：场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种...
答：场效应管（Field-EffectTransistor，FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制一个电场来控制传导。FET有三个极，包括源极（S）、漏极（D）和门极（G）。当在门极施加电场时，会在门极-源极处产生一个电动势差，这会使得在源极和漏极之间的电子流受到控制。因此，通过调整门极电压，可以控制在...
答：1. 场效应管的工作原理及应用领域 场效应管是一种电子器件，利用电场控制电流流动的特性而得名。它由源极、栅极和漏极组成，在不同的电压下，通过改变栅极电场强弱来调节漏极电流。场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和高增益等优点，被广泛应用于放大电路的设计、数字逻辑电路和功率放大器等方面。在...
答：场效应管是一种半导体器件，它可以将控制电场转换为放大电流，从而实现电子信号的放大。场效应管的工作原理可以分为以下几个步骤：1.PN结的形成 场效应管的基本结构由P型半导体和N型半导体组成，它们之间形成了PN结。当PN结处于正向偏置时，电子从N型半导体向P型半导体流动，同时空穴从P型半导体向N型半导体...
答：1.场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。2.场效应管工作原理就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道...
答：一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构,每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。 1、结型场效应管(JFET) (1)结构原理 它的结构及符号见图1。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极,又在硅棒的两侧各做一个P区,形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来,称为栅极Go这样就构成了...
答：场效应管工作原理用一句话说，就是漏极与源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容容量可以较小，...
答：我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常...
