本人在学习电力电子器件的时候遇到几个问题，希望各路大神可以不理赐教！！
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-06-30
问个电力电子器件的问题~！！！
2、除了GTR以外，其它器件都会有擎住效应。其中，对于晶闸管和GTO，这个效应是正常的，而对MOS或者IGBT，这个效应是具有破坏性的；
3、道理上是的，但是实际上二次击穿总是单方向的；
5、是的，对于全控器件（MOS IGBT GTR），它们导通时，为了维持导通，需要施加一定的门极（栅极）电压。而对于晶闸管，只要确定它导通，门极信号是可以取消的。
1、寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。GTR是双极性器件，在导通时施加反压可能导致截止，也不利于安全运行；
2、除了GTR以外，其它器件都会有擎住效应。其中，对于晶闸管和GTO，这个效应是正常的，而对MOS或者IGBT，这个效应是具有破坏性的；
3、道理上是的，但是实际上二次击穿总是单方向的；
5、是的，对于全控器件（MOS IGBT GTR），它们导通时，为了维持导通，需要施加一定的门极（栅极）电压。而对于晶闸管，只要确定它导通，门极信号是可以取消的。
对回答者的回答先做出表示再进一步探索新问题。
到上是的，但是实际上二次击穿总是单方向的。
自己到实验室去做一下不就知道了
本人在学习电力电子器件的时候遇到几个问题,希望各路大神可以不理赐教...
答：MOS管有可能因为漏源电压变化率过大或者漏极电流过大而产生失控的后果。晶闸管包括GTO是有二次击穿的问题。晶闸管串联时，并联电阻由于半导体器件非线性和参数离散性，所以起不到动态均压的作用，只能起到静态均压的作用。电力电子器件主要工作在饱和区或截止区，这时损耗较小，但栅极电压（门极电压）对主...
本人在学习电力电子器件的时候遇到几个问题,希望各路大神可以不理赐教...
答：1、寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。GTR是双极性器件，在导通时施加反压可能导致截止，也不利于安全运行；2、除了GTR以外，其它器件都会有擎住效应。其中，对于晶闸管和GTO，这个效应是正常的，而对MOS或者IGBT，这个效应是具有...
电力电子实训心得
答：晶闸管导通需要满足两个条件，一是阳极加正向电压，二是门极有触发。在焊接元器件时要特别小心，不要马虎，一马虎就要出错，特别是稳压管，晶闸管和单极晶体管，单极晶体管的三个管脚焊接错误，在通电后观察就不会产生触发波形，就不能达到实习的要求。我在焊接电路时就遇到了这种情况，焊接完成后，通电后...
电力电子器件知识大全
答：全控型器件的代表 GTO，大功率的控制利器；GTR，耐压高、电流大的开关；MOSFET和IGBT，集成优势显著，MOSFET在小型化和速度上占优，IGBT则结合了两者优点。电力电子器件的演进并未止步，从SIT的高频大功率解决方案，到IGCT的高性能挑战GTO，再到模块化和智能集成的突破，每一步都见证着技术的进步。未来展...
电力电子器件
答：进一步分类，按驱动信号的波形，有脉冲触发型和电平控制型。前者通过脉冲信号控制器件状态，后者则依赖于持续的电平信号维持器件工作状态。技术进步的驱动力</ 电力电子器件的创新与进步，推动了电能质量治理设备的发展，使得我们能够享受更稳定、高效的电力供应。它们在现代电力系统中的角色无可替代，是实现...
电力电子器件在发展中存在的问题?
答：首先遇到的问题是制造业方面的问题，具体来说，当时制造业不发达，性能很优越的管子制造不出来，直到金闸管的横空出世，电力电子行业有了质的飞跃。二十年前，电力电子学又遭遇新的问题，那就是开关器件的控制问题，当时微处理技术不发达，各种控制信号完全跟不上应用的需要，因此电力电子的技术是跟随计算机...
电力电子技术主要应用在哪些方面?
答：2、变频（交流变交流）变频就是改变供电频率，从而调节负载，起到降低功耗，减小损耗，延长设备使用寿命等作用。3、逆变（直流变交流）逆变是把直流电变成交流电称为逆变。逆变电路可用于构成各种交流电源，在工业中得到广泛应用。4、斩波（直流变直流）将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电。也称为...
常用全控型电力电子器件有哪几种?
答：1. 在电力电子领域，常见的全控型器件包括：- 门极可关断晶闸管（GTO）：这种器件可以通过施加门极脉冲电流来实现开通和关断，属于电流控制型全控器件。- 电力晶体管（GTR）：GTR同样属于电流控制型器件。- 电力场效应晶体管（FET）：通常指的是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），为了与普通MOSFET...
关于电力电子元器件的问题(高手进)
答：电力电子器件分类：可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶闸管为半控型器件，承受电压和电流容量在所有器件中最高；电力二极管为不可控器件，结构和原理简单，工作可靠；还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流驱动型器件，IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。断路器...
学好电力电子技术有什么窍门?
答：建立扎实的基础知识：电力电子技术是建立在电子学、电路理论、控制理论等基础上的，因此，要学好电力电子技术，首先要掌握好这些基础知识。可以通过阅读教材、参加培训课程、观看在线视频等方式学习这些基础知识。理解基本原理：电力电子技术的基本原理包括半导体器件的工作原理、电力电子变换器的工作原理、控制策略...
晶闸管、电力二极管、gtr、igbt、mosfet
你一点也不懂，就应该虚心学习，到现场去，不要偷懒坐在办公室里依样画葫芦，是学不好的。
1、寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。GTR是双极性器件，在导通时施加反压可能导致截止，也不利于安全运行；2、除了GTR以外，其它器件都会有擎住效应。其中，对于晶闸管和GTO，这个效应是正常的，而对MOS或者IGBT，这个效应是具有破坏性的；
3、道理上是的，但是实际上二次击穿总是单方向的；
5、是的，对于全控器件（MOS IGBT GTR），它们导通时，为了维持导通，需要施加一定的门极（栅极）电压。而对于晶闸管，只要确定它导通，门极信号是可以取消的。
1、寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。GTR是双极性器件，在导通时施加反压可能导致截止，也不利于安全运行；
2、除了GTR以外，其它器件都会有擎住效应。其中，对于晶闸管和GTO，这个效应是正常的，而对MOS或者IGBT，这个效应是具有破坏性的；
3、道理上是的，但是实际上二次击穿总是单方向的；
5、是的，对于全控器件（MOS IGBT GTR），它们导通时，为了维持导通，需要施加一定的门极（栅极）电压。而对于晶闸管，只要确定它导通，门极信号是可以取消的。
对回答者的回答先做出表示再进一步探索新问题。
到上是的，但是实际上二次击穿总是单方向的。
自己到实验室去做一下不就知道了
答：MOS管有可能因为漏源电压变化率过大或者漏极电流过大而产生失控的后果。晶闸管包括GTO是有二次击穿的问题。晶闸管串联时，并联电阻由于半导体器件非线性和参数离散性，所以起不到动态均压的作用，只能起到静态均压的作用。电力电子器件主要工作在饱和区或截止区，这时损耗较小，但栅极电压（门极电压）对主...
答：1、寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。GTR是双极性器件，在导通时施加反压可能导致截止，也不利于安全运行；2、除了GTR以外，其它器件都会有擎住效应。其中，对于晶闸管和GTO，这个效应是正常的，而对MOS或者IGBT，这个效应是具有...
答：晶闸管导通需要满足两个条件，一是阳极加正向电压，二是门极有触发。在焊接元器件时要特别小心，不要马虎，一马虎就要出错，特别是稳压管，晶闸管和单极晶体管，单极晶体管的三个管脚焊接错误，在通电后观察就不会产生触发波形，就不能达到实习的要求。我在焊接电路时就遇到了这种情况，焊接完成后，通电后...
答：全控型器件的代表 GTO，大功率的控制利器；GTR，耐压高、电流大的开关；MOSFET和IGBT，集成优势显著，MOSFET在小型化和速度上占优，IGBT则结合了两者优点。电力电子器件的演进并未止步，从SIT的高频大功率解决方案，到IGCT的高性能挑战GTO，再到模块化和智能集成的突破，每一步都见证着技术的进步。未来展...
答：进一步分类，按驱动信号的波形，有脉冲触发型和电平控制型。前者通过脉冲信号控制器件状态，后者则依赖于持续的电平信号维持器件工作状态。技术进步的驱动力</ 电力电子器件的创新与进步，推动了电能质量治理设备的发展，使得我们能够享受更稳定、高效的电力供应。它们在现代电力系统中的角色无可替代，是实现...
答：首先遇到的问题是制造业方面的问题，具体来说，当时制造业不发达，性能很优越的管子制造不出来，直到金闸管的横空出世，电力电子行业有了质的飞跃。二十年前，电力电子学又遭遇新的问题，那就是开关器件的控制问题，当时微处理技术不发达，各种控制信号完全跟不上应用的需要，因此电力电子的技术是跟随计算机...
答：2、变频（交流变交流）变频就是改变供电频率，从而调节负载，起到降低功耗，减小损耗，延长设备使用寿命等作用。3、逆变（直流变交流）逆变是把直流电变成交流电称为逆变。逆变电路可用于构成各种交流电源，在工业中得到广泛应用。4、斩波（直流变直流）将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电。也称为...
答：1. 在电力电子领域，常见的全控型器件包括：- 门极可关断晶闸管（GTO）：这种器件可以通过施加门极脉冲电流来实现开通和关断，属于电流控制型全控器件。- 电力晶体管（GTR）：GTR同样属于电流控制型器件。- 电力场效应晶体管（FET）：通常指的是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），为了与普通MOSFET...
答：电力电子器件分类：可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶闸管为半控型器件，承受电压和电流容量在所有器件中最高；电力二极管为不可控器件，结构和原理简单，工作可靠；还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流驱动型器件，IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。断路器...
答：建立扎实的基础知识：电力电子技术是建立在电子学、电路理论、控制理论等基础上的，因此，要学好电力电子技术，首先要掌握好这些基础知识。可以通过阅读教材、参加培训课程、观看在线视频等方式学习这些基础知识。理解基本原理：电力电子技术的基本原理包括半导体器件的工作原理、电力电子变换器的工作原理、控制策略...
