p型半导体和n型半导体的异同点有哪些

下面，我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。

P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

扩展资料

半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

以GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础，其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中，蓝色发光二极管LED率先实现商品化生产 成功开发蓝光LED和LD之后，科研方向转移到GaN紫外光探测器上 GaN材料在微波功率方面也有相当大的应用市场。氮化镓半导体开关被誉为半导体芯片设计上一个新的里程碑。美国佛罗里达大学的科学家已经开发出一种可用于制造新型电子开关的重要器件，这种电子开关可以提供平稳、无间断电源。

参考资料

半导体-百度百科

p型半导体和n型半导体是两种常见的半导体，它们的主要区别在于掺杂的杂质离子不同。

异同点如下：

• 区别：p型半导体中，掺入少量的三价杂质（如硼、铝等），形成p型空穴掺杂；n型半导体中，掺入少量的五价杂质（如磷、砷等），形成n型电子掺杂。

• 导电性：p型半导体中，电子是空穴携带的，空穴是主要的导电贡献，导电性相对较弱；n型半导体中，电流主要由自由电子贡献，导电性相对较强。

• 能带结构：p型半导体内的能带结构中，价带上的能级有一些被杂质原子夺走，形成了带隙，在有外部电场作用下，空穴会被电场加速向电极移动；n型半导体内的能带结构中，导带下的能级有一些被杂质原子赠予，这些电子可以自由移动，当外部电场作用下，电子会被电场加速向电极移动。

• 原子排列：p型半导体中，杂质原子加入后，夺走了一部分的电子就会在闲置位置留下一些空穴，空穴或者是少了一个电子的原子都是正离子，也就是说p型半导体中主要的杂质原子带有正电荷；n型半导体中，杂质原子加入后，贡献了一个或者几个电子，使得晶格中多了一些自由电子，n型半导体中大部分杂质原子带有负电荷。