P型和N型半导体有什么区别？

N型和P型半导体之间的主要区别在于它们的电导率和电荷载流子。

半导体的电导率由其电荷载流子的密度和迁移率决定。在N型半导体中，掺杂过程引入的额外电子是主要的电荷载流子。这些电子在晶格内相对自由地移动，有助于N型材料的高导电性。

在P型半导体中，主要的电荷载流子是掺杂过程产生的空穴。虽然空穴通常被称为正电荷载流子，但重要的是要注意它们实际上是价带中没有电子。尽管如此，空穴的行为就好像它们是带正电的粒子一样，允许它们穿过晶格并有助于P型材料的导电性。

N型半导体具有丰富的自由电子，这有助于其高导电性。另一方面，P型半导体具有过多的带正电的空穴，导致与N型相比导电性较低。电荷载流子的这种差异导致电子设备中的行为形成对比。N型半导体允许电子轻松流动，而P型半导体促进空穴的移动。

半导体制冷的物理基础

（1）帕尔贴效应：当电流通过由不同材料导体组成的回路时，在导体的连接处，会发生吸热和放热现象。这时吸收和放出的热量就是帕尔贴热。回路的一端为吸热，而另一端为放热。

（2）塞贝克效应：将两种不同的材料和温度的导体相连接并组成回路时，这个回路之中就会产生电流，这就叫做塞贝克效应，这与帕尔贴效应是相逆的。

（3）焦尔效应：焦尔效应是指当通过电流时，金属导体内部的热量与通过金属导体的电流平方成正比。

（4）汤姆逊效应：当不同金属材料组成的闭合回路接入电流时，不仅会有赛贝尔效应和帕尔帖效应，还会产生一种汤姆逊效应，产生的热为汤姆逊热。

（5）傅里叶效应：在金属材料中，沿着某固定方向的热传导过程叫做傅里叶效应，热传导是不可逆的，且垂直方向的面积与垂直方向上温度差的乘积成正比。

以上内容参考：百度百科-P型和N型半导体