门限电压和阈值电压一样么

门限电压和阈值电压是一样，只是叫法不同。根据查询相关资料显示，门限电压和阈值电压是一样，只是叫法不同，都是输出产生跃变时的输入电压。

硅二极管与锗二极管的性质有什么不同?
答：2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压...

什么是阈值电压?
答：阈值电压和关断电压的定义如下：1、阈值电压是指在半导体器件的传输特性曲线中，输出电流随输入电压改变而发生急剧变化转折区的中点对应的输入电压。被视为半导体器件正常工作所需的关键参数之一。当输入电压超过或达到阈值电压时...

mosfet工作原理
答：MOSFET是由硅晶体制成的晶体管。它有一个沟道，两个掺杂的P型或N型半导体区域和一个上面覆盖着非导电的氧化层的金属栅极。MOSFET在没有电压的情况下是关闭状态。 当栅极与源极之间的电压小于阈值电压时（也称为门限电压）...

threshold voltage是什么意思
答：threshold voltage 阈值电压; 阈电压; 门限电压; 临界电压;网络 临阈电压; 开启电压; 阈值电平;双语例句 A quasi-two dimentional analytical model of threshold voltage for non-uniform doped short channel MOSFET is ...

什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压...
答：在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗...

为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?
答：2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压...

为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?
答：你说的没错呀。300K下,Si的禁带宽度是1.12eV,GeSi的禁带宽度是0.67eV，所以本征Ge的载流子浓度远高于Si的，其反向饱和电流密度I0也更大。I = I0 * [exp(qV/(kT)) - 1]所以Ge管开启电压更低。

阀值电压是什么意思
答：我们把比较器输出电压U0从一个图3单门限比较器图4单门限比较器的传输特性电平跳到另一个电平时相应的输出电压称为阈值电压 当10%线偏振光不能透过检偏振片时,对应的外加电压称为阈值电压.当90%线偏振光不能透过检偏振片...

硅二极管的截止电压小于错二极管的截止电压对吗?
答：2）在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于...

典型MOS管的阈值电压是多少
答：此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。阈值...