为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大？
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-05-17
什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压各约是多少？
为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?
答：所以Ge管开启电压更低。
为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?
答：与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。
什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压...
答：所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和空穴的漂移作用，其内部本身就具有一定的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单向导电性，其实就是给PN结加上外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把...
比较硅二极管与锗二极管的死区电压、正向管压降、反向电流及反向电阻...
答：正向管压降硅二极管一般为0.7V，而锗二极管一般为0.3V。反向电流硅二极管一般为几微安到几毫安，而锗二极管一般为几毫安到几十毫安。反向电阻硅二极管一般为几十兆欧姆，而锗二极管一般为几百兆欧姆。因此，在这些参数方面，硅二极管通常比锗二极管具有更大的死区电压、更大的正向管压降、更小的反向电流...
硅二极管与锗二极管区别!
答：硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同 3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏...
硅晶体管与锗晶体管有什么异同?
答：硅晶体管和锗晶体管都具有电流放大作用，所不同的是硅晶体管的死区电压比锗晶体管大；硅晶体管的导通电压约为0.7V，锗晶体管的导通电压约为0.3V；硅晶体管的反向电流比锗晶体管小得多；硅晶体管允许的最高工作温度比锗晶体管高；硅晶体管比锗晶体管稳定性好。
比较硅二极管与锗二极管的死区锻压、正向管压降、反向电流及反向电阻...
答：硅二极管死区电压约0.5伏,锗的0.1伏,正向压降硅0.6~0.7伏,锗0.2~0.3伏,硅反向电流小,耐压高,锗相反.都是这样的 在截止时稳压二极管提供可稳定电压的值 限流二极管提供电流通过的值 在导通是他们上面的压降和电流都很小 稳压二极管在三角形上面的横直线上撇下来一点 ...
为什么和硅相比,锗二极管受温度影响更大,和死区电压又有什么关系。_百...
答：锗二极管的温度性能和死区电压之间 其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小（死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数（负的）的乘积）。因为锗禁带宽度小，所以电子更活跃，受温度的影响更大，外在表现就是温度稳定性差...
比较硅二极管与锗二极管的死区锻压、正向管压降、反向电流及反向电阻...
答：硅二极管死区电压约0.5伏，锗的0.1伏，正向压降硅0.6~0.7伏，锗0.2~0.3伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。都是这样的 在截止时稳压二极管提供可稳定电压的值 限流二极管提供电流通过的值 在导通是他们上面的压降和电流都很小 稳压二极管在三角形上面的横直线上撇下来一点 ...
揭秘死区电压:二极管背后的奥秘
答：你是否曾经对二极管的工作原理感到好奇?让我们一起探讨一下死区电压这个概念,了解它对于理解二极管的工作原理的重要性。死区电压的定义死区电压是指使管子停止导通的电压值。硅管和锗管的死区电压各有不同,硅管的典型值为0.75V,而锗管的典型值为0.35V。死区电压的产生原理死区电压主要归因于PN结内部的自建电场...
所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和空穴的漂移作用，其内部本身就具有一定的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单向导电性，其实就是给PN结加上外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。
在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。
工作原理
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。
晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
硅：0.6~0.7V 锗：0.2~0.3V。
与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。~能不能再补充说明？ 补充： "锗的ni"ni 是什么？ 满意答案一粒米8级2009-03-081） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多，故硅管的反向饱和电流Is很小。 2） 在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。○Οο海оΟ 的感言： 基体改进剂是？ 麻烦回一下~ 2009-03-08其他回答(2)ZZ10级2009-03-08你说的没错呀。答：所以Ge管开启电压更低。
答：与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。
答：所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和空穴的漂移作用，其内部本身就具有一定的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单向导电性，其实就是给PN结加上外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把...
答：正向管压降硅二极管一般为0.7V，而锗二极管一般为0.3V。反向电流硅二极管一般为几微安到几毫安，而锗二极管一般为几毫安到几十毫安。反向电阻硅二极管一般为几十兆欧姆，而锗二极管一般为几百兆欧姆。因此，在这些参数方面，硅二极管通常比锗二极管具有更大的死区电压、更大的正向管压降、更小的反向电流...
答：硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同 3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏...
答：硅晶体管和锗晶体管都具有电流放大作用，所不同的是硅晶体管的死区电压比锗晶体管大；硅晶体管的导通电压约为0.7V，锗晶体管的导通电压约为0.3V；硅晶体管的反向电流比锗晶体管小得多；硅晶体管允许的最高工作温度比锗晶体管高；硅晶体管比锗晶体管稳定性好。
答：硅二极管死区电压约0.5伏,锗的0.1伏,正向压降硅0.6~0.7伏,锗0.2~0.3伏,硅反向电流小,耐压高,锗相反.都是这样的 在截止时稳压二极管提供可稳定电压的值 限流二极管提供电流通过的值 在导通是他们上面的压降和电流都很小 稳压二极管在三角形上面的横直线上撇下来一点 ...
答：锗二极管的温度性能和死区电压之间 其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小（死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数（负的）的乘积）。因为锗禁带宽度小，所以电子更活跃，受温度的影响更大，外在表现就是温度稳定性差...
答：硅二极管死区电压约0.5伏，锗的0.1伏，正向压降硅0.6~0.7伏，锗0.2~0.3伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。都是这样的 在截止时稳压二极管提供可稳定电压的值 限流二极管提供电流通过的值 在导通是他们上面的压降和电流都很小 稳压二极管在三角形上面的横直线上撇下来一点 ...
答：你是否曾经对二极管的工作原理感到好奇?让我们一起探讨一下死区电压这个概念,了解它对于理解二极管的工作原理的重要性。死区电压的定义死区电压是指使管子停止导通的电压值。硅管和锗管的死区电压各有不同,硅管的典型值为0.75V,而锗管的典型值为0.35V。死区电压的产生原理死区电压主要归因于PN结内部的自建电场...
