CMOS反相器P管的宽长比为什么比N管的大
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-05-04
CMOS反相器P管的宽长比为什么比N管的大
这是和载流子有关，P管是空穴导电，N管电子导电，电子的迁移率大于空穴，同样的电场下，N管的电流大于P管，因此要增大P管的宽长比，使之对称，这样才能使得两者上升时间下降时间相等、高低电平的噪声容限一样、充电放电的时间相等。
CMOS反相器的特点是：
(1) 静态功耗极低。在稳定时，CMOS反相器工作在工作区Ⅰ和工作区Ⅴ，总有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流。
(2) 抗干扰能力较强。由于其阈值电平近似为0.5VDD，输入信号变化时，过渡变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力增强。
(3) 电源利用率高。VOH=VDD，同时由于阈值电压随VDD变化而变化，所以允许VDD有较宽的变化范围，一般为+3～+18V。
(4) 输入阻抗高，带负载能力强。
pmos 迁移率低
CMOS反相器P管的宽长比为什么比N管的大
答：CMOS反相器P管的宽长比比N管的大的原因是：这是和载流子有关，P管是空穴导电，N管电子导电，电子的迁移率大于空穴，同样的电场下，N管的电流大于P管，因此要增大P管的宽长比，使之对称，这样才能使得两者上升时间下降时...
为什么倒相器P管宽长比要比N管宽长比大
答：因此在设计CMOS反相器版图时，P管的宽长比必须设计得比N管大一些。
为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大??
答：为了达到NMOS与PMOS的对称性，所以要把PMOS的宽长比设的更大一些；原因：PMOS的空穴的迁移率远远小于NMOS的电子的迁移率，在要求同样的导电时间下，只有把PMOS的宽长比设的更大一些，才能达到要求！
CMOS反相器P管的宽长比为什么比N管的大
答：迁移率低 如果对你有帮助，望采纳。
cmos反相器的宽长比怎么选
答：cmos反相器的宽长比可选nmos的两倍。根据查询相关资料，为了使得噪声容限达到1/2VDD可选择pmos的宽长比为nmos的两倍。具体设多少则根据要求定了，宽长比大的话寄生电容就大，速度就会慢。
为什么coms中pmos晶体管的宽长比与nmos晶体管的宽长比的比值约为3
答：由于mobility不一样，同样大小的Pmos和Nmos，Pmos驱动能力要弱。所以在反向器中，通常把Pmos做成2～3倍于Nmos的大小，这样P/N驱动能力相同，方向器转折电压大概为VDD/2.这个也跟通道的长度有关，微米工艺和纳米工艺也不太一...
inv宽长比为什么要两倍
答：为了实现与反相器的等时延,在P管和N管长度相等的情况下,需要其管子宽度为INV的两倍。
mos管的宽长比是什么
答：mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。MOS晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通...
反相器为什么可以提升带负载能力?说简单点,帮助理解,谢谢~
答：总得来说，反相器尺寸越大（如果照平衡设计原则，即让上拉和下拉速度相同，那么P管和N管的宽长比之比是他们迁移率之比的反比），带负载能力就越强，但是有一个问题，它自己尺寸的增大，相当于增大了前级电路的负载，因此...
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答：26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?(仕兰微电子) 和载流子有关,P管是空穴导电,N管电子导电,电子的迁移率大于空穴,同样的电场下,N管的电流大于P管,因此要增大P管的宽长比,使之对称,这样才能使得两者...
你好！
pmos
迁移率低
如果对你有帮助，望采纳。
因为P沟道MOS管中的载流子是空穴，而N沟道MOS管的载流子是电子。与电子相比，空穴载流子体积大速度慢，也就相当于P管电阻率较大。P管与N管的沟道长度都是相同的，为了使P管的总电阻与N管的电阻基本相等，就必须加大P管的沟道宽度。因此在设计CMOS反相器版图时，P管的宽长比必须设计得比N管大一些。
CMOS反相器P管的宽长比比N管的大的原因是：这是和载流子有关，P管是空穴导电，N管电子导电，电子的迁移率大于空穴，同样的电场下，N管的电流大于P管，因此要增大P管的宽长比，使之对称，这样才能使得两者上升时间下降时间相等、高低电平的噪声容限一样、充电放电的时间相等。
CMOS反相器的特点是：
(1) 静态功耗极低。在稳定时，CMOS反相器工作在工作区Ⅰ和工作区Ⅴ，总有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流。
(2) 抗干扰能力较强。由于其阈值电平近似为0.5VDD，输入信号变化时，过渡变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力增强。
(3) 电源利用率高。VOH=VDD，同时由于阈值电压随VDD变化而变化，所以允许VDD有较宽的变化范围，一般为+3～+18V。
(4) 输入阻抗高，带负载能力强。
pmos 迁移率低
答：CMOS反相器P管的宽长比比N管的大的原因是：这是和载流子有关，P管是空穴导电，N管电子导电，电子的迁移率大于空穴，同样的电场下，N管的电流大于P管，因此要增大P管的宽长比，使之对称，这样才能使得两者上升时间下降时...
答：因此在设计CMOS反相器版图时，P管的宽长比必须设计得比N管大一些。
答：为了达到NMOS与PMOS的对称性，所以要把PMOS的宽长比设的更大一些；原因：PMOS的空穴的迁移率远远小于NMOS的电子的迁移率，在要求同样的导电时间下，只有把PMOS的宽长比设的更大一些，才能达到要求！
答：迁移率低 如果对你有帮助，望采纳。
答：cmos反相器的宽长比可选nmos的两倍。根据查询相关资料，为了使得噪声容限达到1/2VDD可选择pmos的宽长比为nmos的两倍。具体设多少则根据要求定了，宽长比大的话寄生电容就大，速度就会慢。
答：由于mobility不一样，同样大小的Pmos和Nmos，Pmos驱动能力要弱。所以在反向器中，通常把Pmos做成2～3倍于Nmos的大小，这样P/N驱动能力相同，方向器转折电压大概为VDD/2.这个也跟通道的长度有关，微米工艺和纳米工艺也不太一...
答：为了实现与反相器的等时延,在P管和N管长度相等的情况下,需要其管子宽度为INV的两倍。
答：mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。MOS晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通...
答：总得来说，反相器尺寸越大（如果照平衡设计原则，即让上拉和下拉速度相同，那么P管和N管的宽长比之比是他们迁移率之比的反比），带负载能力就越强，但是有一个问题，它自己尺寸的增大，相当于增大了前级电路的负载，因此...
答：26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大?(仕兰微电子) 和载流子有关,P管是空穴导电,N管电子导电,电子的迁移率大于空穴,同样的电场下,N管的电流大于P管,因此要增大P管的宽长比,使之对称,这样才能使得两者...
