高二物理题 求大神指点

第5题，多选，高二物理，还有就是我不会读x-E的图，求大神指点

描述电场中各点电势随着x的分布规律的φ-x图，需要明确：

1、电场方向，按照“沿着电场方向电势降低”
2、电场强度的大小:E=U/Δx，其中U是x1、x2之间的电势差；Δx=x2-x1是这两点之间沿着场强方向的距离，又根据U=φ1-φ2=-(φ2-φ1）=-Δφ-->E=-Δφ/Δx:因此，φ-x函数曲线的斜率绝对值表示场强大小。

把正电荷从x1沿+x方向移动到x4，因为从x1到x2电势降低（从图像上直接给出），所以此过程电荷的电势能减小；x2->x3，电势继续降低，所以电荷电势能减小，从x3->x4，电势升高，所以电荷电势能增加，并且从图上可知，x2和x4电势相等，所以电荷只有在这两点电势能相等。

如上分析，从x1到x4，电荷的电势能先减小后增加。

所给图不清晰，但是上述分析足够回答。

题目中缺一个晶体管用的材料这个条件，如果是锗半导体材料的晶体管，基极－发射极电压约0.25V（常按0.3V计算），硅材料半导体晶体管基极－发射极电压约0.65V（常按0.7V计算）
下面按硅晶体管考虑计算：
由RB1、RB2分压比是4/1，和电源电压是25V得知基极电位约5V，则发射极电压约4.3V，发射极电阻为1.5kΩ，
则发射极电流约为2.87mA，
基极电流＝发射/（β＋1）＝40.4μA，
集电极电流＝发射极电流－基极电流＝2.83mA，
UCE＝25V－2.87mA×1.5kΩ－2.83mA×3.3kΩ＝11.36V

场强是由产生这个场强的场源电荷以及距离场源电荷的距离决定的，跟放不放试探电荷没有关系，试探电荷放在电场中会受到电场力，放在场强大的地方受到的电场力力就大。
希望对你有帮助！

场强是电场的本身性质，放入电荷受到的电场力 这是因果关系