稳压三极管有什么参数？
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-07-02
稳压三极管有什么参数？
av---电压温度系数
a---温度系数
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
Cib---共基极输入电容
Cic---集电结势垒电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cjo---零偏压结电容
Cjv---偏压结电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cn---中和电容（外电路参数）
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Coe---共发射极输出电容
Co---零偏压电容
Co---输出电容
Cp---并联电容（外电路参数）
Cre---共发射极反馈电容
Cs---管壳电容或封装电容
CTC---电容温度系数
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct---总电容
Cvn---标称电容
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
D---占空比
ESB---二次击穿能量
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
fT---特征频率
f---频率
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hFE---共发射极静态电流放大系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
IAGC---正向自动控制电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
ICM---最大输出平均电流
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IDR---晶闸管断态平均重复电流
ID---暗电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
IEM---发射极峰值电流
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
IF（AV）---正向平均电流
IF(ov)---正向过载电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IFMP---正向脉冲电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
iF---正向总瞬时电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
Iop---工作电流
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IP---峰点电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
Irp---反向恢复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
ir---反向恢复电流
iR---反向总瞬时电流
ISB---二次击穿电流
Is---稳流二极管稳定电流
IV---谷点电流
Izk---稳压管膝点电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
n---电容变化指数；电容比
PB---承受脉冲烧毁功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pc---集电极耗散功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
PGM---门极峰值功率
PG---门极平均功率
Pi---输入功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
Pn---噪声功率
Pomax---最大输出功率
Posc---振荡功率
Po---输出功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Ptot---总耗散功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
Q---优值（品质因素）
r δ---衰减电阻
R(th)ja----结到环境的热阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r(th)---瞬态电阻
rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RE---射频电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RG---信号源内阻
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
RL---负载电阻
RL---负载电阻（外电路参数）
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth---热阻
Rth----热阻
Rz(ru)---动态电阻
Ta---环境温度
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tc---壳温
td---延迟时间
td----延迟时间
tfr---正向恢复时间
tf---下降时间
tf---下降时间
tgt---门极控制极开通时间
tg---电路换向关断时间
Tjm---最大允许结温
Tjm---最高结温
Tj---结温
toff---关断时间
toff---关断时间
ton---开通时间
ton---开通时间
trr---反向恢复时间
tr---上升时间
tr---上升时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
Tstg---贮存温度
ts---存储时间
ts---存贮时间
Ts---结温
V n---噪声电压
V v---谷点电压
V（BR）---击穿电压
VAGC---正向自动增益控制电压
VB2B1---基极间电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VB---反向峰值击穿电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCB---集电极-基极（直流）电压
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
Vc---整流输入电压
VDRM---断态重复峰值电压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEB---饱和压降
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VF（AV）---正向平均电压
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VGT---门极触发电压
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
Vn---中心电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vo---交流输入电压
Vp---穿通电压。
Vp---峰点电压
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VSB---二次击穿电压
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
Vth---阀电压（门限电压）
Vz---稳定电压
δvz---稳压管电压漂移
η---单结晶体管分压比或效率
λp---发光峰值波长
我还以为你说的是稳压二极管呢...
稳压三极管就是三端稳压管,具体有以下参数:
参数一：输出电压
最简单的一个参数，就是稳压器的输出电压，能稳定在多少V，7805输出电压稳定在5V 参数二：线性调整率
稳压器的输入电压一般都比较宽，在该范围内，输入如果变化输出电压的变化有多大呢？该参数就是描述这种变化的一个参数。很显然输出电压的变化是越小越好了，一般都是几毫伏。
拿7805作为例子来说吧，参考Data Sheet就可以知道，在常温，输出500mA电流的情况下，输入电压在7~25V之间变化的时候，输出电压的变化典型值为3mV，最大值为50mV 参数三：负载调整率
负载发生变化时，输出电压也会相应的发生变化，一般是负载越重，输出电压会有所下降，负载越轻输出电压会有所上升。负载调整率就是反应这种变化的一个量。
看7805的Data Sheet可知，在负载变化在5mA~1.5A时，输出电压的变化范围在10~50mV
参数四：静态电流
对于线性稳压器来说是一个非常重要的参数。该电流为驱动大功率调整管所必须的，它不流向负载，而是直接流向地，因此该电流是越小越好。看7805的Data Sheet可知，在负载小于1A的情况下，静态电流为8mA。为什么要强调负载呢，因为静态电流的大小与负载有关。
参数五：静态电流变化量
静态电流大小与负载大小有关，所以在负载发生变化的情况下，静态电流的变化到底有多大？看7805的Data Sheet可知，在负载变化范围在5mA~1A时，静态电流的变化为0.5mA（静态电流增大）
参数六：输出噪声电压
三端稳压块输出噪声电压都是一些高频噪声（低频噪声被衰减了）看7805的Data Sheet可知，在10Hz~100kHz频率范围内输出噪声电压为40uV
参数七：纹波抑制比
三端稳压块的另一个非常重要的参数，很多人都不注意它，低频电路可以不关心这个参数，高频电路这个参数就显得非常重要了。看7805的Data Sheet可知，在负载电流小于1A的情况下，120kHz点的纹波抑制比最小为62dB，典型值为80dB。一般的Data Sheet给出的纹波抑制比都是在120Hz。频率越高，纹波抑制比一般会变小。
参数八：电压降下量（Drop Out Voltage）
三端稳压块都是降压的，输出电压和输入电压的差就是电压的降下量。电压降下量是越小越好，因为它与功耗有关。看7805的Data Sheet可知，负载为1A的时候，电压降下量为2V，也就是说要维持5V的输出，输入电压必须在7V以上。
参数九：输出电抗
同样是一个跟频率有关的参数，频率越高，输出电抗会有所增大。看7805的Data Sheet可知，在1kHz的时候，输出抵抗为8m欧
参数十：短路保护电流
如果负载电流大于该电流，过流保护电路启动，输出电压会迅速降低。7805的Data Sheet可知，该电流为2.1A
参数十一：尖峰输出保护电流
负载即使是瞬间也不能达到的电流，如果大于该电流，过流保护电路也会启动，输出电压迅速降低。看7805的Data Sheet可知，该电流为2.4A
参数十二：维持输出所需要的最小输入电压
为了保证输出性能，输入电压必须大于该值。看7805的Data Sheet可知，该电压为7.5V 三端稳压块的主要参数就这么多，都是一些非常简单的参数，知道的越详细越好。
数十三：正常工作温度
TO-220,1.5A的78/79系列根据负载决定自身的温度,负载电流越大温度就越高,反之则低
.温度范围在0-125摄氏度.
好简单，你把表笔放在输入和输出两端，正向时一般大于几十K反向时几K，如果是断路或短路就是坏的，温度吗，不好说，因为一般的硅管它的硅片可以承受270度以上的温度，但散热片的温度就不能这么高了，一般不超过100度，实践中有的管子温度高的焊锡都溶了，拿下来还是可以用。
万用表量量三极管特性，一般是BC和BE是导通的，有个正向，也就是说，你的三极管有一个脚和其他两个脚是单向导通的，如果发现不是这样，那么就坏了。
稳压二极管又叫稳压管，其主要参数列在下方：
（1）稳定电压Vz：稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性， 例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。
（2）耗散功率PM：反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。
最大耗散功率PZM：是稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时，PN结的功率损耗为：PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax。
（3）稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax 稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；最小稳定电流：稳压二极管工作于稳定电压时所需的最小反向电流；最大稳定电流：稳压二极管允许通过的最大反向电流。
(4)动态电阻rZ：其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rz=△VZ/△IZ
(5)稳定电压温度系数：温度的变化将使VZ改变，在稳压管中，当|VZ| ＞7 V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。
当|VZ|＜4V时，VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。
当4V＜|VZ|＜7V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。
MC7812BT是什么,类似三极管,详细参数是多少?一般应用在什么电路里?
答：◆ MC7812BT是三端集成稳压电路。详细参数如下：MC7812BT，采用 TO-220-3封装方式。制造商: ON Semiconductor产品种类: 线性稳压器 - 标准极性: Positive（即输出正压）输出端数量: 1输出类型: Fixed （即固定输出，不可调）输出电压: 12 V输出电流: 2.2 A (Typ)线路调整率: 240 mV 负载调节:...
1N5388BRLG稳压三极管响应频率是多少?
答：1N5388BRLG是一款三极管稳压器,其数据手册上没有明确给出其响应频率的参数。但是,根据典型的三极管稳压器的性能,我们可以大致估算其响应频率应在几 kHz 以下。三极管稳压器的响应频率主要受以下几个因素限制:1. 三极管本身的频率响应:一般小信号三极管的切断频率在几十MHz,足够快,不会成为限制因素。2. ...
请问:二极管和三极管的测试性能参数条件分别有哪些?
答：管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时，有可能会出现，当管子截止时，UCE＞UBR（CEO）导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。4、温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三...
A1725三级管是三端稳压集成块吗?
答：①、关于以上这A1725属于Si-PNP型三极管，其该三极管参数是//耐压：80V//电流：6A//功率：30W//频率：20MHz//放大倍数：160倍//此管可直接用：BD244B、BD544C等三极管代换。仅供参考！
稳压三极管L7824CV CC06A 615这些数字是什么意思?麻烦各位师兄师姐帮 ...
答：关键是7824这几个字，78是78系列的正输出1A稳压集成电路（不是三极管哦），24是输出的稳压值。例如7505，是+5V的；7812是+12V的。79系列的是负输出1A稳压集成电路，如7905是-5V的，7918是-18V的。前面的L与后面的CV是定义生产商及改型的字符，至于CC06A 615之类的产品编号，这都与用户无关了。就...
那位老师有c123三极管的参数?基极触发电压时多大?
答：这个三极管是NPN型内接了偏置电阻的，可以等效成一个三端稳压，基极最低启动电压1.1V。
三极管MMBT3094的参数
答：晶体管极性:NPN 电压, Vceo:40V 截止频率 ft, 典型值:300MHz 功耗, Pd:350mW 集电极直流电流:200mA 直流电流增益 hFE:300 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:1A 功耗:350mW 器件标记:BT3904 噪声因子(NF), 最大:5dB 封装类型:SOT-23 总功率, Ptot:350mW 晶体管数:1 晶体管类型:通用小...
LA7806三端稳压三极管如何使用
答：三极管做稳压管用，一般是在应急维修的时候才用，说简单一点就是半导体稳压管是利用PN结击穿后,在功耗允许范围内,其电压不随击穿电流而改变这一特性而制作的。所以原则上讲，所有具有稳定击穿特性的半导体器件，绝大多数均可代做稳压管使用。 通常已习惯于按半导体主要用途分类后予以专用，误认为放大管仅能...
如何在三极管上的数字看出参数
答：三极管上没有标参数，只有型号。可以用型号查参数。一般参数有Uce(ce极最大电压) Ice （ce极最大电流） Pc（自身耗散功率）。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体...
三极管和稳压管的计算
答：1.5v时基极电流：(1.5-0.7)/10=0.08ma Uo=12-0.08*100*1= 4 V 不超过稳压管的稳定电压，因此对输出电压无影响 2.5V时基极电流：(2.5-0.7)/10=0.18ma Uo=12-0.18*100*1<0 所以三极管饱和 Uo=0.4 V RC短路，12V电压加在稳压管两端，即使三极管分流也不行，仍将烧坏稳压管...
稳压二极管又叫稳压管，其主要参数列在下方：
（1）稳定电压Vz：稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性，
例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。
（2）耗散功率PM：反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。
最大耗散功率PZM：是稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时，PN结的功率损耗为：PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax。
（3）稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax
稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；最小稳定电流：稳压二极管工作于稳定电压时所需的最小反向电流；最大稳定电流：稳压二极管允许通过的最大反向电流。
(4)动态电阻rZ：其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
rz=△VZ/△IZ
(5)稳定电压温度系数：温度的变化将使VZ改变，在稳压管中，当|VZ|
＞7
V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。
当|VZ|＜4V时，VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。
当4V＜|VZ|＜7V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。
用TL431（2.5V的基准电压源）通过外部分压电阻得到4.4--4.6V的输出电压，后接一个大电流三极管射极跟随器，其输出电压将是3.8--4V。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
理论原理
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
av---电压温度系数
a---温度系数
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
Cib---共基极输入电容
Cic---集电结势垒电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cjo---零偏压结电容
Cjv---偏压结电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cn---中和电容（外电路参数）
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Coe---共发射极输出电容
Co---零偏压电容
Co---输出电容
Cp---并联电容（外电路参数）
Cre---共发射极反馈电容
Cs---管壳电容或封装电容
CTC---电容温度系数
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct---总电容
Cvn---标称电容
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
D---占空比
ESB---二次击穿能量
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
fT---特征频率
f---频率
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hFE---共发射极静态电流放大系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
IAGC---正向自动控制电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
ICM---最大输出平均电流
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IDR---晶闸管断态平均重复电流
ID---暗电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
IEM---发射极峰值电流
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
IF（AV）---正向平均电流
IF(ov)---正向过载电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IFMP---正向脉冲电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
iF---正向总瞬时电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
Iop---工作电流
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IP---峰点电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
Irp---反向恢复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
ir---反向恢复电流
iR---反向总瞬时电流
ISB---二次击穿电流
Is---稳流二极管稳定电流
IV---谷点电流
Izk---稳压管膝点电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
n---电容变化指数；电容比
PB---承受脉冲烧毁功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pc---集电极耗散功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
PGM---门极峰值功率
PG---门极平均功率
Pi---输入功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
Pn---噪声功率
Pomax---最大输出功率
Posc---振荡功率
Po---输出功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Ptot---总耗散功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
Q---优值（品质因素）
r δ---衰减电阻
R(th)ja----结到环境的热阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r(th)---瞬态电阻
rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RE---射频电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RG---信号源内阻
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
RL---负载电阻
RL---负载电阻（外电路参数）
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth---热阻
Rth----热阻
Rz(ru)---动态电阻
Ta---环境温度
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tc---壳温
td---延迟时间
td----延迟时间
tfr---正向恢复时间
tf---下降时间
tf---下降时间
tgt---门极控制极开通时间
tg---电路换向关断时间
Tjm---最大允许结温
Tjm---最高结温
Tj---结温
toff---关断时间
toff---关断时间
ton---开通时间
ton---开通时间
trr---反向恢复时间
tr---上升时间
tr---上升时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
Tstg---贮存温度
ts---存储时间
ts---存贮时间
Ts---结温
V n---噪声电压
V v---谷点电压
V（BR）---击穿电压
VAGC---正向自动增益控制电压
VB2B1---基极间电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VB---反向峰值击穿电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCB---集电极-基极（直流）电压
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
Vc---整流输入电压
VDRM---断态重复峰值电压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEB---饱和压降
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VF（AV）---正向平均电压
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VGT---门极触发电压
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
Vn---中心电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vo---交流输入电压
Vp---穿通电压。
Vp---峰点电压
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VSB---二次击穿电压
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
Vth---阀电压（门限电压）
Vz---稳定电压
δvz---稳压管电压漂移
η---单结晶体管分压比或效率
λp---发光峰值波长
我还以为你说的是稳压二极管呢...
稳压三极管就是三端稳压管,具体有以下参数:
参数一：输出电压
最简单的一个参数，就是稳压器的输出电压，能稳定在多少V，7805输出电压稳定在5V 参数二：线性调整率
稳压器的输入电压一般都比较宽，在该范围内，输入如果变化输出电压的变化有多大呢？该参数就是描述这种变化的一个参数。很显然输出电压的变化是越小越好了，一般都是几毫伏。
拿7805作为例子来说吧，参考Data Sheet就可以知道，在常温，输出500mA电流的情况下，输入电压在7~25V之间变化的时候，输出电压的变化典型值为3mV，最大值为50mV 参数三：负载调整率
负载发生变化时，输出电压也会相应的发生变化，一般是负载越重，输出电压会有所下降，负载越轻输出电压会有所上升。负载调整率就是反应这种变化的一个量。
看7805的Data Sheet可知，在负载变化在5mA~1.5A时，输出电压的变化范围在10~50mV
参数四：静态电流
对于线性稳压器来说是一个非常重要的参数。该电流为驱动大功率调整管所必须的，它不流向负载，而是直接流向地，因此该电流是越小越好。看7805的Data Sheet可知，在负载小于1A的情况下，静态电流为8mA。为什么要强调负载呢，因为静态电流的大小与负载有关。
参数五：静态电流变化量
静态电流大小与负载大小有关，所以在负载发生变化的情况下，静态电流的变化到底有多大？看7805的Data Sheet可知，在负载变化范围在5mA~1A时，静态电流的变化为0.5mA（静态电流增大）
参数六：输出噪声电压
三端稳压块输出噪声电压都是一些高频噪声（低频噪声被衰减了）看7805的Data Sheet可知，在10Hz~100kHz频率范围内输出噪声电压为40uV
参数七：纹波抑制比
三端稳压块的另一个非常重要的参数，很多人都不注意它，低频电路可以不关心这个参数，高频电路这个参数就显得非常重要了。看7805的Data Sheet可知，在负载电流小于1A的情况下，120kHz点的纹波抑制比最小为62dB，典型值为80dB。一般的Data Sheet给出的纹波抑制比都是在120Hz。频率越高，纹波抑制比一般会变小。
参数八：电压降下量（Drop Out Voltage）
三端稳压块都是降压的，输出电压和输入电压的差就是电压的降下量。电压降下量是越小越好，因为它与功耗有关。看7805的Data Sheet可知，负载为1A的时候，电压降下量为2V，也就是说要维持5V的输出，输入电压必须在7V以上。
参数九：输出电抗
同样是一个跟频率有关的参数，频率越高，输出电抗会有所增大。看7805的Data Sheet可知，在1kHz的时候，输出抵抗为8m欧
参数十：短路保护电流
如果负载电流大于该电流，过流保护电路启动，输出电压会迅速降低。7805的Data Sheet可知，该电流为2.1A
参数十一：尖峰输出保护电流
负载即使是瞬间也不能达到的电流，如果大于该电流，过流保护电路也会启动，输出电压迅速降低。看7805的Data Sheet可知，该电流为2.4A
参数十二：维持输出所需要的最小输入电压
为了保证输出性能，输入电压必须大于该值。看7805的Data Sheet可知，该电压为7.5V 三端稳压块的主要参数就这么多，都是一些非常简单的参数，知道的越详细越好。
数十三：正常工作温度
TO-220,1.5A的78/79系列根据负载决定自身的温度,负载电流越大温度就越高,反之则低
.温度范围在0-125摄氏度.
好简单，你把表笔放在输入和输出两端，正向时一般大于几十K反向时几K，如果是断路或短路就是坏的，温度吗，不好说，因为一般的硅管它的硅片可以承受270度以上的温度，但散热片的温度就不能这么高了，一般不超过100度，实践中有的管子温度高的焊锡都溶了，拿下来还是可以用。
万用表量量三极管特性，一般是BC和BE是导通的，有个正向，也就是说，你的三极管有一个脚和其他两个脚是单向导通的，如果发现不是这样，那么就坏了。
稳压二极管又叫稳压管，其主要参数列在下方：
（1）稳定电压Vz：稳定电压就是稳压二极管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改变，既是同一型号的稳压二极管，稳定电压值也有一定的分散性， 例如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6～7.5V。
（2）耗散功率PM：反向电流通过稳压二极管的PN结时，要产生一定的功率损耗，PN结的温度也将升高。根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。
最大耗散功率PZM：是稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时，PN结的功率损耗为：PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax。
（3）稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax 稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；最小稳定电流：稳压二极管工作于稳定电压时所需的最小反向电流；最大稳定电流：稳压二极管允许通过的最大反向电流。
(4)动态电阻rZ：其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rz=△VZ/△IZ
(5)稳定电压温度系数：温度的变化将使VZ改变，在稳压管中，当|VZ| ＞7 V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。
当|VZ|＜4V时，VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。
当4V＜|VZ|＜7V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。
答：◆ MC7812BT是三端集成稳压电路。详细参数如下：MC7812BT，采用 TO-220-3封装方式。制造商: ON Semiconductor产品种类: 线性稳压器 - 标准极性: Positive（即输出正压）输出端数量: 1输出类型: Fixed （即固定输出，不可调）输出电压: 12 V输出电流: 2.2 A (Typ)线路调整率: 240 mV 负载调节:...
答：1N5388BRLG是一款三极管稳压器,其数据手册上没有明确给出其响应频率的参数。但是,根据典型的三极管稳压器的性能,我们可以大致估算其响应频率应在几 kHz 以下。三极管稳压器的响应频率主要受以下几个因素限制:1. 三极管本身的频率响应:一般小信号三极管的切断频率在几十MHz,足够快,不会成为限制因素。2. ...
答：管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时，有可能会出现，当管子截止时，UCE＞UBR（CEO）导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。4、温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三...
答：①、关于以上这A1725属于Si-PNP型三极管，其该三极管参数是//耐压：80V//电流：6A//功率：30W//频率：20MHz//放大倍数：160倍//此管可直接用：BD244B、BD544C等三极管代换。仅供参考！
答：关键是7824这几个字，78是78系列的正输出1A稳压集成电路（不是三极管哦），24是输出的稳压值。例如7505，是+5V的；7812是+12V的。79系列的是负输出1A稳压集成电路，如7905是-5V的，7918是-18V的。前面的L与后面的CV是定义生产商及改型的字符，至于CC06A 615之类的产品编号，这都与用户无关了。就...
答：这个三极管是NPN型内接了偏置电阻的，可以等效成一个三端稳压，基极最低启动电压1.1V。
答：晶体管极性:NPN 电压, Vceo:40V 截止频率 ft, 典型值:300MHz 功耗, Pd:350mW 集电极直流电流:200mA 直流电流增益 hFE:300 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SMD标号:1A 功耗:350mW 器件标记:BT3904 噪声因子(NF), 最大:5dB 封装类型:SOT-23 总功率, Ptot:350mW 晶体管数:1 晶体管类型:通用小...
答：三极管做稳压管用，一般是在应急维修的时候才用，说简单一点就是半导体稳压管是利用PN结击穿后,在功耗允许范围内,其电压不随击穿电流而改变这一特性而制作的。所以原则上讲，所有具有稳定击穿特性的半导体器件，绝大多数均可代做稳压管使用。 通常已习惯于按半导体主要用途分类后予以专用，误认为放大管仅能...
答：三极管上没有标参数，只有型号。可以用型号查参数。一般参数有Uce(ce极最大电压) Ice （ce极最大电流） Pc（自身耗散功率）。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体...
答：1.5v时基极电流：(1.5-0.7)/10=0.08ma Uo=12-0.08*100*1= 4 V 不超过稳压管的稳定电压，因此对输出电压无影响 2.5V时基极电流：(2.5-0.7)/10=0.18ma Uo=12-0.18*100*1<0 所以三极管饱和 Uo=0.4 V RC短路，12V电压加在稳压管两端，即使三极管分流也不行，仍将烧坏稳压管...
