200分 浙江省2009年10月高等教育自学考试单片机原理及应用试题的答案，填空选择原因和过程特别是最后一题
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-09-10
浙江省2009年1月高等教育自学考试单片机原理及应用试题
1）选 B.PSW
2）选 C.P2
3）选 C.方式2
4）选 A.在片内RAM
5）选 A.-3.6V～-25V，我们书上是说-3V～-15V为逻辑1
7）不太懂什么意思，没写明白
11）有5个中断源
13）不知道
17）8051片内RAM有128字节，地址范围为00H-7FH。其中，低32个单元用作工作寄存器。20H-2FH这16个单元是位寻址区。后面80个单元是通用数据缓冲区。
18）ROM即只读存储器，是一种写入信息后不易改变的存储器。断电后，ROM中的信息不会丢失。分类：掩膜ROM，用户程序由芯片生产厂写入；EPROM，用户程序通过写入装置写入，通过紫外线照射擦除；FlashROM，用户程序可以电写入或擦除。
19）定时时间与装的初值、工作方式、晶振频率有关。
下面的题目回答起来好难，而且我编程一般用C语言，很少用汇编，就不太熟了。
1，B PSW=programm state word程序状态字
2，C P0作8位数据线和低位地址线，P2口作为高位地址线
3，D
4，A
5, A RS-232C采用负逻辑
7, 40个引脚的单片机p3.7位~RD时，从外设读数据
11，5个，0 外部中断0；1定时器/计数器0中断；2 外部中断1；3 定时器/计数器1中断4 串口中断；
12，用定时器
17，00H~7FH：片内RAM直接寻址区
20H~2FH：片内RAM位寻址区
3fH~FFH: 片内RAM间接寻址区
18, ROM=read only memory只读存储器；PROM，出厂时写好；
EPROM可以紫外线擦除；EEPROM可以电擦除
19，与晶振、TH/TL的初值、单片机工作方式有关
20，RESET:复位输入线、PA0～PA7:端口A输入输出线、PB0～PB7:端口B输入输出线、PC0～PC7:端口C输入输出线、CS:片选信号线、RD:读信号线、WR:写入信号、D0～D7:三态双向数据总线。
21，软件延时，要占用CPU处理时间；定时器延时，定时可能不够准
下面的汇编看起来就要花点心思了
abcabcabc
大哥
怎么这么多题目呀
我的天呀，太难了
“上 学吧资料分 享中心” 有很多自学考试单片机的资料和试题，是一个很不错的网站。我经常去的，你也可以去考试大看看
D，理论题
呵呵，对单片机比较熟悉，我来回答一下。1）选 B.PSW
2）选 C.P2
3）选 C.方式2
4）选 A.在片内RAM
5）选 A.-3.6V～-25V，我们书上是说-3V～-15V为逻辑1
7）不太懂什么意思，没写明白
11）有5个中断源
13）不知道
17）8051片内RAM有128字节，地址范围为00H-7FH。其中，低32个单元用作工作寄存器。20H-2FH这16个单元是位寻址区。后面80个单元是通用数据缓冲区。
18）ROM即只读存储器，是一种写入信息后不易改变的存储器。断电后，ROM中的信息不会丢失。分类：掩膜ROM，用户程序由芯片生产厂写入；EPROM，用户程序通过写入装置写入，通过紫外线照射擦除；FlashROM，用户程序可以电写入或擦除。
19）定时时间与装的初值、工作方式、晶振频率有关。
下面的题目回答起来好难，而且我编程一般用C语言，很少用汇编，就不太熟了。
1，B PSW=programm state word程序状态字
2，C P0作8位数据线和低位地址线，P2口作为高位地址线
3，D
4，A
5, A RS-232C采用负逻辑
7, 40个引脚的单片机p3.7位~RD时，从外设读数据
11，5个，0 外部中断0；1定时器/计数器0中断；2 外部中断1；3 定时器/计数器1中断4 串口中断；
12，用定时器
17，00H~7FH：片内RAM直接寻址区
20H~2FH：片内RAM位寻址区
3fH~FFH: 片内RAM间接寻址区
18, ROM=read only memory只读存储器；PROM，出厂时写好；
EPROM可以紫外线擦除；EEPROM可以电擦除
19，与晶振、TH/TL的初值、单片机工作方式有关
20，RESET:复位输入线、PA0～PA7:端口A输入输出线、PB0～PB7:端口B输入输出线、PC0～PC7:端口C输入输出线、CS:片选信号线、RD:读信号线、WR:写入信号、D0～D7:三态双向数据总线。
21，软件延时，要占用CPU处理时间；定时器延时，定时可能不够准
下面的汇编看起来就要花点心思了
abcabcabc
大哥
怎么这么多题目呀
我的天呀，太难了
