200分 浙江省2009年10月高等教育自学考试单片机原理及应用试题的答案,填空选择原因和过程特别是最后一题
kuaidi.ping-jia.net 作者:佚名 更新日期:2024-09-10
浙江省2009年1月高等教育自学考试单片机原理及应用试题
1)选 B.PSW
2)选 C.P2
3)选 C.方式2
4)选 A.在片内RAM
5)选 A.-3.6V~-25V,我们书上是说-3V~-15V为逻辑1
7)不太懂什么意思,没写明白
11)有5个中断源
13)不知道
17)8051片内RAM有128字节,地址范围为00H-7FH。其中,低32个单元用作工作寄存器。20H-2FH这16个单元是位寻址区。后面80个单元是通用数据缓冲区。
18)ROM即只读存储器,是一种写入信息后不易改变的存储器。断电后,ROM中的信息不会丢失。分类:掩膜ROM,用户程序由芯片生产厂写入;EPROM,用户程序通过写入装置写入,通过紫外线照射擦除;FlashROM,用户程序可以电写入或擦除。
19)定时时间与装的初值、工作方式、晶振频率有关。
下面的题目回答起来好难,而且我编程一般用C语言,很少用汇编,就不太熟了。
1,B PSW=programm state word程序状态字
2,C P0作8位数据线和低位地址线,P2口作为高位地址线
3,D
4,A
5, A RS-232C采用负逻辑
7, 40个引脚的单片机p3.7位~RD时,从外设读数据
11,5个,0 外部中断0;1定时器/计数器0中断;2 外部中断1;3 定时器/计数器1中断4 串口中断;
12,用定时器
17,00H~7FH:片内RAM直接寻址区
20H~2FH:片内RAM位寻址区
3fH~FFH: 片内RAM间接寻址区
18, ROM=read only memory只读存储器;PROM,出厂时写好;
EPROM可以紫外线擦除;EEPROM可以电擦除
19,与晶振、TH/TL的初值、单片机工作方式有关
20,RESET:复位输入线、PA0~PA7:端口A输入输出线、PB0~PB7:端口B输入输出线、PC0~PC7:端口C输入输出线、CS:片选信号线、RD:读信号线、WR:写入信号、D0~D7:三态双向数据总线。
21,软件延时,要占用CPU处理时间;定时器延时,定时可能不够准
下面的汇编看起来就要花点心思了
abcabcabc
大哥
怎么这么多题目呀
我的天呀,太难了
“上 学吧资料分 享中心” 有很多自学考试单片机的资料和试题,是一个很不错的网站。我经常去的,你也可以去考试大看看
D,理论题
呵呵,对单片机比较熟悉,我来回答一下。1)选 B.PSW
2)选 C.P2
3)选 C.方式2
4)选 A.在片内RAM
5)选 A.-3.6V~-25V,我们书上是说-3V~-15V为逻辑1
7)不太懂什么意思,没写明白
11)有5个中断源
13)不知道
17)8051片内RAM有128字节,地址范围为00H-7FH。其中,低32个单元用作工作寄存器。20H-2FH这16个单元是位寻址区。后面80个单元是通用数据缓冲区。
18)ROM即只读存储器,是一种写入信息后不易改变的存储器。断电后,ROM中的信息不会丢失。分类:掩膜ROM,用户程序由芯片生产厂写入;EPROM,用户程序通过写入装置写入,通过紫外线照射擦除;FlashROM,用户程序可以电写入或擦除。
19)定时时间与装的初值、工作方式、晶振频率有关。
下面的题目回答起来好难,而且我编程一般用C语言,很少用汇编,就不太熟了。
1,B PSW=programm state word程序状态字
2,C P0作8位数据线和低位地址线,P2口作为高位地址线
3,D
4,A
5, A RS-232C采用负逻辑
7, 40个引脚的单片机p3.7位~RD时,从外设读数据
11,5个,0 外部中断0;1定时器/计数器0中断;2 外部中断1;3 定时器/计数器1中断4 串口中断;
12,用定时器
17,00H~7FH:片内RAM直接寻址区
20H~2FH:片内RAM位寻址区
3fH~FFH: 片内RAM间接寻址区
18, ROM=read only memory只读存储器;PROM,出厂时写好;
EPROM可以紫外线擦除;EEPROM可以电擦除
19,与晶振、TH/TL的初值、单片机工作方式有关
20,RESET:复位输入线、PA0~PA7:端口A输入输出线、PB0~PB7:端口B输入输出线、PC0~PC7:端口C输入输出线、CS:片选信号线、RD:读信号线、WR:写入信号、D0~D7:三态双向数据总线。
21,软件延时,要占用CPU处理时间;定时器延时,定时可能不够准
下面的汇编看起来就要花点心思了
abcabcabc
大哥
怎么这么多题目呀
我的天呀,太难了