mos管是什么原理？起什么作用？
作用目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
工作原理 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫 做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。分别为电流控制器件和电压控制器件。FET的增益等于它的跨导 (transconductance)gm， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端栅（称为gate），通过投影一个电场在一个绝缘层（氧 化物SIO2)上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体（只是一个电容的作用），所以FET管的GATE电流非常小（电容的电流损耗）。 最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管 （MOSFET）（metal oxide semicondutor field effect transistor）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
MOS管的原理：
它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
作用：
1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、可以用作可变电阻。
4、可以方便地用作恒流源。
5、可以用作电子开关。
简介：
mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
结构特点：
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
n沟道mos管
p沟道mos管
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
工作原理：
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图：
作用：
由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
mos管是什么东西呢
mos管的作用如下：
1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。
2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；
3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。
4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。
答：1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、可以用作可变电阻。4、可以方便地用作恒流源。5、可以用作电子开关。简介：mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。...
答：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图：作用：由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用...
答：MOS管主要分为两大类型：增强型和耗尽型，依据沟道极性又可分为N沟道（NMOS）和P沟道（PMOS），它们各有特点。工作原理如同开关，漏极PN结在反向偏置时，栅极电压决定了电导通道的开启或关闭。形象比喻：想象一下，当漏极源极间电压为反向时，正的栅极电压就像是在导电桥上积聚电子，电流便开始流动。N...
答：1、pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。2、pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。因此当半导体内加反向偏压时（即加在p型和n型之间的电压），空穴由原来的s极漂移到e电极而电子由原来...
答：MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。其中金属栅极是控制电路的关键，它被放置在氧化物层上面，与半导体基底隔开。当栅极施加电压时，会在氧化物层和半导体基底之间形成一个电场，这个...
答：工作原理：金氧半场效晶体管在结构上以一个金属—氧化物层—半导体的电容为核心（现在的金氧半场效晶体管多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样的结构正好等于一个电容器，氧化层为电容器中介电质，而电容值由氧化...
答：点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电 流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW 的电力电子装置。2.功率MOSFET 的结构和工作原理 功率MOSFET 的种类：按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽...
答：MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，主要用于放大、开关和调节电流。MOS管的工作原理是通过控制栅极与源极之间的电场来控制源极和漏极之间的电流。MOS管由金属栅极、绝缘层和半导体基片组成。当在栅极上施加一个电压时，栅极下方的绝缘层会形成一个电场，这个电场会影响半导体...
答：MOS管是一种场效应晶体管，主要由金属氧化物半导体材料构成。这种器件具有输入电阻高、噪声小、热稳定性好等特性。其核心结构包括源极、漏极和介于两者之间的沟道。通过调节特定电压可以改变沟道的导电状态，从而控制电流的通断。以下是关于MOS管的详细解释：1. 基本结构和工作原理：- MOS管的核心结构包括...
答：MOS管（金属氧化物半导体管）是一种电子元器件，具有高电阻比和较低的漏电流，常用于制造电路板和集成电路。MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图...
