mos管工作原理

MOS管工作原理是什么？

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID
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不一样。
MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。
MOS管比较抽象，是因为绝大部分学校对于MOS的教学比较粗糙，很少教。
MOS管特别怕静电，要是不小心，就容易坏，比三极管要难使用。
三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。
MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。它们是电流控制装置和电压控制装置。FET的增益等于其跨导)gm，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。

此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低。

只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

扩展资料

PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。

当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：

VGS<VTN (NMOS)，

VGS>VTP (PMOS)，

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

简单的说MOS管通过沟道导电，沟道上的栅极偏压不同可以控制沟道导电电阻，从而达到饱和导通或者完全关闭(夹断)。具体的在模拟电子线路或者半导体技术的书上讲的详细。

mos管工作原理
答：mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的...

mos管的作用及原理
答：其中金属栅极是控制电路的关键，它被放置在氧化物层上面，与半导体基底隔开。当栅极施加电压时，会在氧化物层和半导体基底之间形成一个电场，这个电场会影响半导体中的载流子浓度，从而控制电路的电流。MOS管的工作原理可以分为三个阶段：截止区、线性区和饱和区。在截止区，栅极电压较低，无法形成足够的电场...

场效应管工作原理
答：简单解释一下MOS场效应管的工作原理。MOS 场效应管也被称为MOSFET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它普通有耗尽型和加强型两种。本文运用的为加强型MOS 场效应管，其内部构造见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P...

MOS管的工作原理 MOS管的工作原理是什么
答：1、pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。2、pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。因此当半导体内加反向偏压时（即加在p型和n型之间的电压），空穴由原来的s极漂移到e电极而电子由原来...

mos管工作原理
答：mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。所以mos管可以称为FET的高级形式。mos管常用于切换或放大信号。随着施加的电压量改变电导率的能力可用于...

mos管的作用及原理
答：MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，主要用于放大、开关和调节电流。MOS管的工作原理是通过控制栅极与源极之间的电场来控制源极和漏极之间的电流。MOS管由金属栅极、绝缘层和半导体基片组成。当在栅极上施加一个电压时，栅极下方的绝缘层会形成一个电场，这个电场会影响半导体...

mos管工作原理通俗易懂是什么?
答：发生表面电导的变化是因为施加的场将电子可用的能级改变到距离表面相当大的深度，这反过来又改变了表面区域中能级的占有率。对这种效应的典型处理是基于带弯曲图，该图显示了带边缘的能量位置作为材料深度的函数。两层结构由绝缘体作为左侧层和半导体作为右侧层。这种结构的一个例子是MOS 电容器，它是一种...

IGBT焊机和mos管工作原理?
答：1、定义 IGBT焊机：逆变过程需要大功率电子开关器件，采用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。MOS管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。IGBT焊机：MOS管：2、工作过程 MOS管：管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控...

什么是mos管
答：MOSFET就是MOS管。MOS管是一种场效应晶体管，主要由金属氧化物半导体材料构成。这种器件具有输入电阻高、噪声小、热稳定性好等特性。其核心结构包括源极、漏极和介于两者之间的沟道。通过调节特定电压可以改变沟道的导电状态，从而控制电流的通断。以下是关于MOS管的详细解释：1. 基本结构和工作原理：- ...

什么是垂直导电结构,在MOS管中的知识
答：为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是...