晶体管的直流模型
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-09-01
晶体管的伏安特性曲线是直流的还是交流的？为什么《模拟电子技术基础》毕满清版后面又出来个晶体管的直流
菱形是受控源，圆形是独立源。
一横是电流源，一竖是电压源。
上述内容结合，可以有四种符号。
但是，独立电压源，也还可以用“电池”的符号，即图中的“一长一短”。
模拟电子技术晶体管放大电路?
答：1问 其实2．3．13d这个图是等效电路模型，电流方向怎样取都没有问题的，公式都能成立。因为等效模型中的参量是可以有负值的，所以我们应该定义这里讨论的，是真实方向。在文中下一页的对h参数方程2．3．7a／b的解释。我们可以知道1／h22为晶体管ce结动态电阻，或称交流内阻。形象的说，如果ib＝0...
芯片的理论极限在哪里?
答：先要说明一下,今天我们讨论理论极限都是从晶体管开始谈的。为什么呢?因为不管多先进的芯片,能实现多么复杂的功能,还原到本质,它就是一个一个晶体管组合起来的。 一直以来,晶体管的性能水平几乎就代表了芯片的性能水平。那么,晶体管的性能极限在哪里呢? 我们先回忆一下晶体管的“地铁站模型”:一个晶体管是由两个...
什么是晶体管?
答：三极管与晶体管有什么区别 所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件,研制人员在为这种器件命名时,想到它的电阻变换特性,于是取名为trans-resister(转换电阻),后来缩写为transistor,中文译名就是晶体管。 严格意义上讲,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应...
模拟电路中小信号等效电路画法是什么?
答：模拟画法：1.首先明确晶体管的三个端口（假设不考虑mosfet的衬底端口 ）与小信号模型的对应关系。然后明确，端口两两之间有什么等效的器件，例如mosfet源漏之间有一个受控电流源以及考虑沟道长度调制效应会有一个等效的电阻，等等等等（对于三极管电路也是一样）。2.一般电路的晶体管数目较少，例如最基本的...
关于三极管小信号模型的问题,求高手(没有那么多分,跪谢)
答：回到第一个问题。大信号和小信号，线性和非线性是相对而言的。中间没有一条严格的分界线。1伏的时候是线性，1.1伏就是非线性啦？不会有如此突然的变化的。要判断是否进入非线性区域，关键要看容许的非线性失真是多大？以前，3~5%的失真都被认为是可以接受的，电子管和晶体管的特性曲线基本上是用足...
啥是THD?
答：我们所常使用的各类晶体管等效模型,称为小信号模型。因为当信号幅度非常小的时候,忽略了非线性因素的影响,将其进行线性等效。以上所讨论的线性失真,皆为在这种等效前提下的讨论。但事实上,无论的PN节(BJT晶体管)的E指数特性,还是场效应管(FET)的平方率特性,都是非线性的。如果考虑这种非线性对放大器的影响,则就...
三极管等效模型由来
答：1、晶体管放大电路的主要构成元件为pnp型、npn型硅晶体管及若干电阻组成。它主要利用晶体管的特性对电路中电流进行放大，通过对该电路的输入特性与输出特性的分析，得出该放大电路包含3种工作状态，即饱和区、放大区及截止区，正常情况下应使放大电路工作在放大区。科学家们通过这个原理制造了三极管。2、有...
TIP31C是什么管?一文全部帮你搞定,参数+引脚排列+应用电路
答：今日分享关于TIP31C三极管的知识，内容涵盖TIP31C的定义、引脚排列、电路符号、封装尺寸、3D模型、参数特性、应用实例、工作原理、等效替换以及应用电路。以下将进行详细解析。TIP31C是一种NPN型晶体管，采用TO-220封装，常见于中等功率应用，其最大负载电压为100V，集电极电流约为3A。在开关应用中，TIP31...
说明mos晶体管包含哪些电容及其物理意义
答：MOS管的等效电路模型及寄生参数如图2所示。图2中各部分的物理意义为：（1）LG和RG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻。（2）C1代表从栅极到源端N+间的电容，它的值是由结构所固定的。（3）C2+C4代表从栅极到源极P区间的电容。C2是电介质电容，共值是固定的。而C4是由源极到漏极的耗尽区...
晶体管是如何发明的?
答：首先要指出,晶体管的发明不是哪一位科学家拍脑袋想出来的,而是固体物理学理论指导实践的产物,是科学家长期探索的结果。 早在19世纪中叶,半导体的某些特性就...正好在这期间,量子力学诞生了,A.H.威尔逊在1931年提出了固体导电的量子力学模型,用能带理论能够解释绝缘体、半导体和导体之间的导电性能的差别。接着,他在...
晶体管的伏安特性曲线是多条直流V-A特性在一个坐标系里的叠加.
什么是晶体管电路的直流等效电路？
在不考虑加交流信号的条件下，只考虑直流电压电流的通路，称为直流等效电路。作用是用来分折和计算三极管的静态工作点。
什么是晶体管电路的交流等效电路？
是在考虑加输入信号后，交流信号的通路
，称为交流等效电路。作用是用来分折计算对交流信号的放大倍数，即增益，分折输出信号的相位。计算输入，输出电阻，分折负载特性等。
菱形是受控源，圆形是独立源。
一横是电流源，一竖是电压源。
上述内容结合，可以有四种符号。
但是，独立电压源，也还可以用“电池”的符号，即图中的“一长一短”。
答：1问 其实2．3．13d这个图是等效电路模型，电流方向怎样取都没有问题的，公式都能成立。因为等效模型中的参量是可以有负值的，所以我们应该定义这里讨论的，是真实方向。在文中下一页的对h参数方程2．3．7a／b的解释。我们可以知道1／h22为晶体管ce结动态电阻，或称交流内阻。形象的说，如果ib＝0...
答：先要说明一下,今天我们讨论理论极限都是从晶体管开始谈的。为什么呢?因为不管多先进的芯片,能实现多么复杂的功能,还原到本质,它就是一个一个晶体管组合起来的。 一直以来,晶体管的性能水平几乎就代表了芯片的性能水平。那么,晶体管的性能极限在哪里呢? 我们先回忆一下晶体管的“地铁站模型”:一个晶体管是由两个...
答：三极管与晶体管有什么区别 所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件,研制人员在为这种器件命名时,想到它的电阻变换特性,于是取名为trans-resister(转换电阻),后来缩写为transistor,中文译名就是晶体管。 严格意义上讲,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应...
答：模拟画法：1.首先明确晶体管的三个端口（假设不考虑mosfet的衬底端口 ）与小信号模型的对应关系。然后明确，端口两两之间有什么等效的器件，例如mosfet源漏之间有一个受控电流源以及考虑沟道长度调制效应会有一个等效的电阻，等等等等（对于三极管电路也是一样）。2.一般电路的晶体管数目较少，例如最基本的...
答：回到第一个问题。大信号和小信号，线性和非线性是相对而言的。中间没有一条严格的分界线。1伏的时候是线性，1.1伏就是非线性啦？不会有如此突然的变化的。要判断是否进入非线性区域，关键要看容许的非线性失真是多大？以前，3~5%的失真都被认为是可以接受的，电子管和晶体管的特性曲线基本上是用足...
答：我们所常使用的各类晶体管等效模型,称为小信号模型。因为当信号幅度非常小的时候,忽略了非线性因素的影响,将其进行线性等效。以上所讨论的线性失真,皆为在这种等效前提下的讨论。但事实上,无论的PN节(BJT晶体管)的E指数特性,还是场效应管(FET)的平方率特性,都是非线性的。如果考虑这种非线性对放大器的影响,则就...
答：1、晶体管放大电路的主要构成元件为pnp型、npn型硅晶体管及若干电阻组成。它主要利用晶体管的特性对电路中电流进行放大，通过对该电路的输入特性与输出特性的分析，得出该放大电路包含3种工作状态，即饱和区、放大区及截止区，正常情况下应使放大电路工作在放大区。科学家们通过这个原理制造了三极管。2、有...
答：今日分享关于TIP31C三极管的知识，内容涵盖TIP31C的定义、引脚排列、电路符号、封装尺寸、3D模型、参数特性、应用实例、工作原理、等效替换以及应用电路。以下将进行详细解析。TIP31C是一种NPN型晶体管，采用TO-220封装，常见于中等功率应用，其最大负载电压为100V，集电极电流约为3A。在开关应用中，TIP31...
答：MOS管的等效电路模型及寄生参数如图2所示。图2中各部分的物理意义为：（1）LG和RG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻。（2）C1代表从栅极到源端N+间的电容，它的值是由结构所固定的。（3）C2+C4代表从栅极到源极P区间的电容。C2是电介质电容，共值是固定的。而C4是由源极到漏极的耗尽区...
答：首先要指出,晶体管的发明不是哪一位科学家拍脑袋想出来的,而是固体物理学理论指导实践的产物,是科学家长期探索的结果。 早在19世纪中叶,半导体的某些特性就...正好在这期间,量子力学诞生了,A.H.威尔逊在1931年提出了固体导电的量子力学模型,用能带理论能够解释绝缘体、半导体和导体之间的导电性能的差别。接着,他在...
