晶体管放大原理

发射结的导通正方向为从基区到发射区，集电结的导通正方向为从基区到集电区，两个PN的正向导通的方向相反。

放大状态条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。晶体管工作在饱和区时，发射结正偏置、集电结正偏置。在晶体管中，除了自由电子在扩散过程中形成的电流外，还存在集电区和基区中的少数载流子相互漂移运动形成的饱和电流。

集电区中的少数载流子是空穴，会在电场的作用下向基区扩散。基区中的少数载流子自由电子也会在电场的作用下向集电区做漂移运动。由此形成一个反向饱和电流，这个电流受温度影响比较大，会影响晶体管的稳定工作。

扩展资料：

注意事项：

1、一定要关注负载容量。输出端口须遵守允许最大电流限制（如表1所示），以保证输出端口的发热限制在允许范围。继电器的使用寿命与负载容量有关，当负载容量增加时，触点寿命将大大降低，因此要特别关注。

2、一定要关注负载性质。根据第4节的分析，感性负载在开合瞬间会产生瞬间高压，因此表面上看负载容量可能并不大，但是实际上负载容量很大，继电器的寿命将大大缩短，因此当驱动感性负载时应在负载两端接入吸收保护电路。

3、根据电容的特性，如果直接驱动电容负载，在导通瞬间将产生冲击浪涌电流，因此原则上输出端口不宜接入容性负载，若有必要，需保证其冲击浪涌电流小于规格说明中的最大电流。

参考资料来源：百度百科-晶体管