MOS管的源极和漏极有什么区别
mos管的定义：场效应管的结构是在一块n型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的p型区域，用p+表示，形成两个p+n结。n型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极d和源极s。
把两边的p区引出电极并连在一起称为栅极g。如果在漏、源极间加上正向电压，n区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极s出发，
流向漏极d。电流方向由d指向s，称为漏极电流id.。由于导电沟道是n型的，故称为n沟道结型场效应管。
场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。
但是有的绝缘栅场效应管在制造产品
时已把源极和衬底连接在一起了
，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况p衬底接低电位，n衬底接高电位。
这个二极管是MOSFET内部的等效电路。
从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
一、指代不同
1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。
二、原理不同
1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。
扩展资料：
源极结构原理
在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道的结型场效应管。上图给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。
漏极结构原理
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
参考资料来源：百度百科-源极
参考资料来源：百度百科-漏极
一、指代不同
1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。
二、原理不同
1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。
三、特点不同
1、源极：属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点
2、漏极：可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
参考资料来源：百度百科-漏极
参考资料来源：百度百科-源极
MOS管的定义：场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，用P+表示，形成两个P+N结。N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。 把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发， 流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID.。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。 场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。 但是有的绝缘栅场效应管在制造产品 时已把源极和衬底连接在一起了 ，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。
1、区别：源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
2、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
对于绝缘栅NMOS管，接高压为漏端，接低压为源端。PMOS刚好相反。从原理上，NMOS载流子是电子，由低电压处提供，所以低压端称源端，PMOS载流子是空穴，由高压处提供，所以高压端称源端。
答：P沟道及N沟道类型的MOS管的导电区别：当P沟道类型的MOS管在电路工作时必须让源极端S电位接电路的高电位端，如同双极PNP三极管的发射极E极接电源正极一样，P沟道类型的MOS管漏极端D一般接负载，当栅极端的电位变低时该管导通，将源极S端的高电位通过SD之间的跨导流向漏极端D，当栅极端的电位变高时...
答：1、普通低压mos管的源极和漏极是基本对等的，离子注入的时候略有差别，但是这个差别基本可以忽略，只是在某些需要匹配的时候需要注意。2、对于高压的mos管，源极和漏极是不对等的，离子注入的时候有很大的差别，就是为了做出一个高耐压区。
答：gate相当于一个门（开关）VG大于VT管子导通，源就是电子来源的地方，漏就是电子消失（漏掉）的地方。
答：nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的，一般NMOS的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。如果NMOS的源极不接衬底,不接到地，那么只要是G-S正偏就可以，Vgs大于门槛电压，MOS就可以导通。
答：(2)那么，像图中所示，两个N型区，到底哪个是源极，哪个是漏极呢？讲道理，这两个N型区完全对称，谁做源极谁做漏极都可以的。这里有一个判断标准：两个N型区中，和衬底相连的是源级,另一端是漏极，这是由MOS管的工作原理决定的。所以，源极和漏极并不是事先定义好的，而是根据实际元件中...
答：一、因为MOS管有体二极管，所以：1、如果是NMOS，用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚，正极是S极，负极是D极，剩下的是G极。2、如果是PMOS，用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚，正极是D极，负极是S极，剩下的是G极。二、说明：1、下图是用万用表二极管档测量二极管的导通及其...
答：栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
答：1、NMOS晶体管的工作原理：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。2、然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层...
答：如图所示，栅极G电压大于栅极开启电压Vgs就会导通，栅极漏极源极是互相隔离的，Nmos管栅极导通，D极输入，S极输入，漏极可以流向源极；源极也可以流向漏极，但是源极本身就可以直接通过寄生二极管流向漏极，那样三极管的存在也没有意义了，寄生二极管是生产工艺中制造存在的，在分析问题的时候可以不作考虑...
答：增强型MOS管</，无论是N沟道还是P沟道，都依赖于半导体材料的电性质。N沟道增强型通过在P型半导体上形成反型层来工作，利用精密的光刻技术构建，栅极G坐落在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上。正常运行时，源极连接漏极，负偏压下，反偏PN结和导电沟道得以形成。栅-源电压的调整控制着耗尽层和反型层的...
