关于场效应管的问题
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-07-03
关于场效应管的问题！！
当工作在饱和区时，沟道在D极被截断，Mos管的D极和S极之间呈电流源的特性。
关于场效应管的问题?
答：①、关于以上那8N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：8A//T0-220封装//。②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。④、关于以上三种型号的场效应管均...
关于场效应管与三极管的选用问题
答：1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种 载流子 2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流 场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流 3、三极管输入阻抗小，...
场效应管的使用注意事项
答：MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则:1. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘...
模电题目,场效应管组成复合管问题,求大神解答,谢谢~
答：(b)图中左、右侧分别是BJT（双极结型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管），它们分别属于电流控制电流器件和电压控制电流器件，BJT工作是由基极电流Ib控制集电极电流Ic。图中BJT的发射极与MOSFET的栅极连接，Ib没有通路（即Ib=0），所以不能构成复合管；(e)图中两只JFET（结型场效应管）左管的源极...
使用场效应管控制电流问题
答：问题描述:使用场效应管来控制电路开闭时，当开时，Rgs->0,GD之间会不会有电流？怎么减少着一电流对受控电路的影响？谢谢！！[我实验的结果是：在受控电路（无电源）中串入一个电阻（R=100k),结果R两端有大约90mv的电压。不知道是什么原因。]解析:对于JFET来说，有增强型和耗尽型两种，如果是耗尽...
请问场效应管在什么情况下会烧?
答：问题解答一：管子损毁分两种情况，烧毁和击穿是两个概念，烧毁指的是管子在工作中过载从而导致PN结温度过高而损毁，击穿指的是管子在工作中加在管子上的电压超出管子实际允许的极限电压而导致PN结击穿损毁。场效应管按大类分有绝缘删型场效应管和结型场效应管，不管是哪一种场效应管子，控制极（G极）...
场效应管夹断问题
答：则栅下的靠近D端的电场相应的减为0，不能吸引电子形成N沟道，夹断开始从漏端形成，并随着漏端的电平上升而开始往源端S扩散，形成沟道的夹断，这时电流出现饱和，载流子（电子）只能在夹断区紧贴着栅下一薄层向漏端运动，其运动受到限制，这就是电流饱和的微观机理。
场效应管管脚问题
答：1、结型场效应管的管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即...
问个场效应管简单的问题,电子高手帮帮忙啊
答：场效应管有很多类型，结型场效应管和绝缘栅场效应管细说还包括很多种。但都是在源极和栅极控制电压，这两个极的电压控制阻断层的宽窄，阻断曾阻断的是漏极和源极的电流。漏极和源极加的电压过高超过阻断层的耐压就击穿了。你可能是把电极的名字搞混了 漏源电压加到一定程度突然产生比较大的电流此时...
关于N沟道场效应管和P沟道场效应管的导通截止问题?
答：1.场效应管是电压控制的元件，控制极和其他极不导通。2.N沟道的控制极高压时。漏极和源极导通。漏极流向源极。3.P沟道，一个很麻烦的元件。要负压控制。P沟道的控制极为低压（负电压）。漏极和源极导通。源极流向漏极。4.不管N还是P。负载最好接在漏极上。
1、不是所有的都是3个引脚，也有4-6-8等等~会有几个引脚都是同一个极的时候，有时电流大!!具体引脚是什么要看DATASHEET!
2、散热I片当然是散热I的，有的设计把MOS管作为可调电阻控制电流！！功率大的我见过60W 的加散热器加风散温度都有达到50度
核对一下管脚，加一个负载电阻。
当工作在饱和区时，沟道在D极被截断，Mos管的D极和S极之间呈电流源的特性。
答：①、关于以上那8N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：8A//T0-220封装//。②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。④、关于以上三种型号的场效应管均...
答：1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种 载流子 2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流 场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流 3、三极管输入阻抗小，...
答：MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则:1. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘...
答：(b)图中左、右侧分别是BJT（双极结型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管），它们分别属于电流控制电流器件和电压控制电流器件，BJT工作是由基极电流Ib控制集电极电流Ic。图中BJT的发射极与MOSFET的栅极连接，Ib没有通路（即Ib=0），所以不能构成复合管；(e)图中两只JFET（结型场效应管）左管的源极...
答：问题描述:使用场效应管来控制电路开闭时，当开时，Rgs->0,GD之间会不会有电流？怎么减少着一电流对受控电路的影响？谢谢！！[我实验的结果是：在受控电路（无电源）中串入一个电阻（R=100k),结果R两端有大约90mv的电压。不知道是什么原因。]解析:对于JFET来说，有增强型和耗尽型两种，如果是耗尽...
答：问题解答一：管子损毁分两种情况，烧毁和击穿是两个概念，烧毁指的是管子在工作中过载从而导致PN结温度过高而损毁，击穿指的是管子在工作中加在管子上的电压超出管子实际允许的极限电压而导致PN结击穿损毁。场效应管按大类分有绝缘删型场效应管和结型场效应管，不管是哪一种场效应管子，控制极（G极）...
答：则栅下的靠近D端的电场相应的减为0，不能吸引电子形成N沟道，夹断开始从漏端形成，并随着漏端的电平上升而开始往源端S扩散，形成沟道的夹断，这时电流出现饱和，载流子（电子）只能在夹断区紧贴着栅下一薄层向漏端运动，其运动受到限制，这就是电流饱和的微观机理。
答：1、结型场效应管的管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即...
答：场效应管有很多类型，结型场效应管和绝缘栅场效应管细说还包括很多种。但都是在源极和栅极控制电压，这两个极的电压控制阻断层的宽窄，阻断曾阻断的是漏极和源极的电流。漏极和源极加的电压过高超过阻断层的耐压就击穿了。你可能是把电极的名字搞混了 漏源电压加到一定程度突然产生比较大的电流此时...
答：1.场效应管是电压控制的元件，控制极和其他极不导通。2.N沟道的控制极高压时。漏极和源极导通。漏极流向源极。3.P沟道，一个很麻烦的元件。要负压控制。P沟道的控制极为低压（负电压）。漏极和源极导通。源极流向漏极。4.不管N还是P。负载最好接在漏极上。
