MOSFET，能走反向电流吗？（不经过体二极管）
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-09-11
二极管有反向恢复电流，请问反向恢复电流方向是什么？
能的，BUCK同步整流电路就是利用下管续流时减小损耗来提高效率的。
MOSFET栅极驱动电路应用说明
答：1.2.2、MOSFET栅极电荷的计算 在MOSFET导通期间，电流流向栅极，对栅极-源极和栅极-漏极电容充电。通过图和公式可以计算出栅极电荷，其中Qg的计算公式为Qg=IG×t。1.2.3、栅极充电机制 MOSFET的栅极在施加电压时开始积累电荷。图中展示了栅极充电电路和波形，说明了与并联的二极管的反向恢复电流和MOSFET...
为什么会有漏极到衬底的电流 MOSFET
答：以N沟道MOSFET为例，正常工作的时候漏极电位最高，N型漏极区与P型衬底处于反向截止状态，可能会存在微小的反向漂移电流，但这几乎是可以忽略不计的。另外由于集成电路制作工艺的限制，在MOS管各极之间及内部会有寄生电容等寄生效应产生，也会导致一定的漏电流产生，不过在中频的时候一般工程应用中都忽略了...
功率二极管和MOSFET体二极管的反向恢复特性
答：为了优化这些损耗，电路设计师可以采用策略性手段，如晶体管缓冲电路来降低开关损耗，通过谐振电路实现高频率运行，减少波形失真。而软开关技术在全桥逆变器中尤为关键，通过电容和二极管的巧妙组合，实现了电流的平滑钳位，有效减轻电压突变带来的问题。总的来说，理解并优化功率二极管和MOSFET的反向恢复特性，...
scr、gto、gtr、mosfet、igbt中那几个可以双向导通电流?
答：MOSFET由于自身构造及工艺原因，在漏极与源极之间存在一个反向并联的寄生二极管 ，因此可以双向导通电流。
电力场效应管MOSFET是什么现象
答：电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型——对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。电力MOSFET的结构小功率MOS管是横向导电...
干货| MOSFET结构及其工作原理详解
答：功率MOSFET分为P沟道和N沟道，增强型设计是主流。其构造独特，采用垂直导电结构，这样既提升了耐压能力，又增强了电流承载能力。VVMOSFET和VDMOSFET是常见的类型，HEXFET、SIPMOSFET和TMOS则展示了集成多元素技术的创新。2.1 工作原理的秘密 在静止状态下，漏源极间施加正压，栅源极无偏置，形成反向PN结。
SiC MOSFET用于电机驱动的优势
答：尽管SiC产品在封装技术上尚存挑战，但科研的进步正致力于解决这个问题，使得SiC MOSFET在极端工况如HEV集成电机驱动器和深海井下应用中展现出无可比拟的优势。技术革新：SiC MOSFET与IGBT的对比从开关特性来看，SiC MOSFET的关断损耗显著低于IGBT，没有拖尾电流，开通时的反向恢复电流也更小。这不仅降低了...
N-MOSFET Vds电压能否为负?
答：N-MOSFET Vds电压能为负，内部有一个反向二极管，这时，电流方向是S->D。
如何将mosfet的概念及基础物理原理浅显易懂的教给没有相
答：击穿电压（BVDSS）是反向偏压时体二极管被击穿，引发电流在源极和漏极间流动的电压值，此时栅极和源极之间短路。MOSFET的电流和电压特征在图中清晰显示，一般在漏电流250μA时测量BVDSS。当漏极电压低于BVDSS且栅极上无偏压时，器件表面未形成沟道，漏极电压由体漂移p-n结承担。设计不良或处理不当可能...
mos如何管构成二极管
答：对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET，漏极到源极之间有一个本体二极管，其特性是：电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流，耐压=场效应管耐压，方向N沟道的是源极为正、漏极为负，P沟道相反！只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流...
反向恢复电流是从B到A
因反向恢复电流是指在二极管正向导通，并具有指定的电流值，突然加上反向电压，由于刚才导通时还有大量的载流子存在，它们在反向电压下会反向流动，产生巨大的“反向恢复电流”，直到把残余的载流子消耗完，达到稳定就算“恢复”了，这时就只剩下“反向电流”了。
二极管的导电特性
二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1. 正向特性。
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
2. 反向特性。
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿
可以，只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可，是MOSFET导通，不通过体二极管，同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。
能的，BUCK同步整流电路就是利用下管续流时减小损耗来提高效率的。
答：1.2.2、MOSFET栅极电荷的计算 在MOSFET导通期间，电流流向栅极，对栅极-源极和栅极-漏极电容充电。通过图和公式可以计算出栅极电荷，其中Qg的计算公式为Qg=IG×t。1.2.3、栅极充电机制 MOSFET的栅极在施加电压时开始积累电荷。图中展示了栅极充电电路和波形，说明了与并联的二极管的反向恢复电流和MOSFET...
答：以N沟道MOSFET为例，正常工作的时候漏极电位最高，N型漏极区与P型衬底处于反向截止状态，可能会存在微小的反向漂移电流，但这几乎是可以忽略不计的。另外由于集成电路制作工艺的限制，在MOS管各极之间及内部会有寄生电容等寄生效应产生，也会导致一定的漏电流产生，不过在中频的时候一般工程应用中都忽略了...
答：为了优化这些损耗，电路设计师可以采用策略性手段，如晶体管缓冲电路来降低开关损耗，通过谐振电路实现高频率运行，减少波形失真。而软开关技术在全桥逆变器中尤为关键，通过电容和二极管的巧妙组合，实现了电流的平滑钳位，有效减轻电压突变带来的问题。总的来说，理解并优化功率二极管和MOSFET的反向恢复特性，...
答：MOSFET由于自身构造及工艺原因，在漏极与源极之间存在一个反向并联的寄生二极管 ，因此可以双向导通电流。
答：电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型——对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道。电力MOSFET主要是N沟道增强型。电力MOSFET的结构小功率MOS管是横向导电...
答：功率MOSFET分为P沟道和N沟道，增强型设计是主流。其构造独特，采用垂直导电结构，这样既提升了耐压能力，又增强了电流承载能力。VVMOSFET和VDMOSFET是常见的类型，HEXFET、SIPMOSFET和TMOS则展示了集成多元素技术的创新。2.1 工作原理的秘密 在静止状态下，漏源极间施加正压，栅源极无偏置，形成反向PN结。
答：尽管SiC产品在封装技术上尚存挑战，但科研的进步正致力于解决这个问题，使得SiC MOSFET在极端工况如HEV集成电机驱动器和深海井下应用中展现出无可比拟的优势。技术革新：SiC MOSFET与IGBT的对比从开关特性来看，SiC MOSFET的关断损耗显著低于IGBT，没有拖尾电流，开通时的反向恢复电流也更小。这不仅降低了...
答：N-MOSFET Vds电压能为负，内部有一个反向二极管，这时，电流方向是S->D。
答：击穿电压（BVDSS）是反向偏压时体二极管被击穿，引发电流在源极和漏极间流动的电压值，此时栅极和源极之间短路。MOSFET的电流和电压特征在图中清晰显示，一般在漏电流250μA时测量BVDSS。当漏极电压低于BVDSS且栅极上无偏压时，器件表面未形成沟道，漏极电压由体漂移p-n结承担。设计不良或处理不当可能...
答：对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET，漏极到源极之间有一个本体二极管，其特性是：电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流，耐压=场效应管耐压，方向N沟道的是源极为正、漏极为负，P沟道相反！只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流...
