低噪声放大器的正文
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-07-06
1. 噪声系数很低的放大器通常用作无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。
2. 在放大微弱信号的情况下，放大器自身的噪声可能对信号造成严重干扰，因此需要减小这种噪声以提高输出的信噪比。
3. 放大器引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F表示，理想放大器的噪声系数F=1（0分贝），表示输出信噪比等于输入信噪比。
4. 现代低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温参放的噪声温度Te可低于几十度（绝对温度），致冷参量放大器可达20K以下。
5. 砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于2分贝。
6. 放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极基联的低噪声放大电路。
7. 设计良好的低噪声放大器的噪声系数FN可达3分贝以下。
8. 在噪声系数很低的场合，通常也用噪声温度Te作为放大器噪声性能的量度：Te=T0(F-1)。
9. 多级放大器的噪声系数F主要取决于它的前置级。若F1，F2，…，Fn依次为各级放大器的噪声系数，则式中A1,…，An-1依次为各级放大器的功率首率增益。
10. 单级放大器的噪声系数主要取决于所用的有源器件及其工作状态。现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器。
11. 砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于2分贝。
12. 晶体管的自身噪声由下列四部分组成：①闪烁噪声，其功率谱密度随频率f的降低而增加，因此也叫作1/f噪声或低频噪声。
13. 频率很低时这种噪声较大，频率较高时（几百赫以上）这种噪声可以忽略。
14. ②基极电阻rb'b的热噪声和。
15. ③散粒噪声，这两种噪声的功率谱密度基本上与频率无关。
16. ④分配噪声，其强度与f的平方成正比，当f高于晶体管的截止频率时，这种噪声急剧增加。
17. 图1是晶体管噪声系数F随频率变化的曲线。
18. 对于低频，特别是超低频低噪声放大器，应选用1/f噪声小的晶体管；对于中、高频放大，则应尽量选用高的晶体管，使其工作频率范围位于噪声系数-频率曲线的平坦部分。
19. 场效应晶体管没有散粒噪声。
20. 在低频时主要是闪烁噪声，频率较高时主要是沟道电阻所产生的热噪声。
21. 通常它的噪声比晶体管的小，可用于频率高得多的低噪声放大器。
22. 放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。
23. 图2是考虑了自身噪声的放大器模型。
24. us和Rs分别为信源电压和内阻，Rs的热噪声电压均方值等于4kTRs墹f，式中T为绝对温度，k为玻耳兹曼常数，墹f为放大器通带。
25. 放大器自身噪声用噪声电压均方值和噪声电流均方值表示，它们是晶体管工作状态的函数，可以用适当方法来测量。
26. 放大管的直流工作点一旦确定，和亦随之确定，这样，噪声系数F将主要是信源内阻Rs的函数。
27. Rs有一使F为最小的最佳值（图3）。
28. 在工作频率和信源内阻均给定的情况下，噪声系数也和晶体管直流工作点有关。
29. 发射极电流IE有一使噪声系数最小的最佳值，典型的F-IE曲线如图4所示。
30. 晶体管放大器的噪声系数基本上与电路组态无关。
31. 但共发射极放大器具有适中的输入电阻，F为最小时的最佳信源电阻Rs和此输入电阻比较接近，输入电路大体上处于匹配状态，增益较大。
32. 共基极放大器的输入电阻小，共集电极放大器的输入阻抗高，两者均不易同时满足噪声系数小和放大器增益高的条件，所以都不太适于作放大键前置级之用。
33. 为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极-共基极级联的低噪声放大电路。
低噪声放大器工作频率
答：在处理微弱信号时，放大器自身的噪声可能会对信号产生严重干扰，因此，降低这种噪声以提高输出的信噪比至关重要。放大器引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数 F 来衡量。理想放大器的噪声系数为 F＝1（0分贝），这意味着输出信噪比等于输入信噪比。现代低噪声放大器大多采用晶体管或场效应晶体管。微波低噪声...
低噪声放大器的应用
答：常温参量放大器的发展过程，随着现代科学技术的高速发展，近几年已被微波场效应晶体管放大器所取代，此种放大器具有尺寸小、重量轻和成本低的优异特性。特别是在射频特性方面具有低噪声、宽频带和高增益的特点。在C、Ku、Kv 等频段中已被广泛的使用，目前常用的低噪声放大器的噪声温度可低于45K。
现代无线系统射频电路实用设计:有源电路与系统目录
答：第1章着重于线性射频放大器设计，包括功率增益的定义、单向转换功率增益的计算与分析，以及RF电路的稳定性判定，如无耗反馈的影响、二极管稳定性和直流偏置技术的探讨。第二章详细讲解线性低噪声放大器，涉及最大信号增益双向放大器设计、多级放大器的级联和匹配，以及噪声参数的计算和低噪声放大器的设计原则...
如何正确选用现成的集成放大器实现低噪声放大
答：低噪声放大器 大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。理想放大器的噪声系数 F=1（0分贝），其物理意义是输出信噪比等于输入信噪比。现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低 低噪声放大器...
低噪声放大器输出是什么
答：低噪声放大器，噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。
功率放大器、低噪声放大器、射频放大器和普通放大器的区别都有哪些...
答：2. 放大器的定义更为广泛，任何输出量大于输入量的装置都可以被称为放大器。所谓的“普通放大器”也是一个相对概念，根据不同的应用需求，可以设计出成百上千种不同类型的放大器。3. 低噪声放大器是指那些具有很低噪声系数的放大电路，例如噪声系数小于1dB。在射频和微波领域，为了实现低噪声系数，...
关于直放站低啁放大器是做什么的??
答：由于同频中继放大过程中，由于噪声的引入主要取决于第一级放大器。低噪声放大器（LNA)在直放站中主要是在对接入微弱信号进行第一级放大作用。其噪声系数很好，在放大小信号的同时对底噪有较好的抑制作用。所以通常作为第一级放大器。参考资料：有这方面的问题我们可以交流，我是做这个的：）...
如何降低低噪声放大器的工作电流
答：要降低低噪声放大器的工作电流，可以采取以下几种方法：选择低噪声元件：选择低噪声的晶体管或其他放大器元件，这样可以降低噪声并减少所需的工作电流。优化电路设计：通过优化电路设计，例如采用共模抑制电路、差分输入电路等技术，可以降低放大器的工作电流。降低温度：降低放大器的工作温度可以减少噪声，从而...
怎么降低低噪声放大器?影响低噪声放大器的几个因素(包括内部和外部...
答：运放的噪声是很讨厌，但又非常难解决的问题。你能够做到这一步，相信模拟电路的水平已经到一定程度了。运放电路的噪声与很多因素有关系，首先是电路结构，从噪声情况来说，同相比例放大器比反相比例运放电路，噪声要好很多。以同相比例放大器为例，其主要热噪声的来源有以下5个：1、信号源内阻Rs上的噪声...
2. 在放大微弱信号的情况下，放大器自身的噪声可能对信号造成严重干扰，因此需要减小这种噪声以提高输出的信噪比。
3. 放大器引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F表示，理想放大器的噪声系数F=1（0分贝），表示输出信噪比等于输入信噪比。
4. 现代低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温参放的噪声温度Te可低于几十度（绝对温度），致冷参量放大器可达20K以下。
5. 砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于2分贝。
6. 放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极基联的低噪声放大电路。
7. 设计良好的低噪声放大器的噪声系数FN可达3分贝以下。
8. 在噪声系数很低的场合，通常也用噪声温度Te作为放大器噪声性能的量度：Te=T0(F-1)。
9. 多级放大器的噪声系数F主要取决于它的前置级。若F1，F2，…，Fn依次为各级放大器的噪声系数，则式中A1,…，An-1依次为各级放大器的功率首率增益。
10. 单级放大器的噪声系数主要取决于所用的有源器件及其工作状态。现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器。
11. 砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于2分贝。
12. 晶体管的自身噪声由下列四部分组成：①闪烁噪声，其功率谱密度随频率f的降低而增加，因此也叫作1/f噪声或低频噪声。
13. 频率很低时这种噪声较大，频率较高时（几百赫以上）这种噪声可以忽略。
14. ②基极电阻rb'b的热噪声和。
15. ③散粒噪声，这两种噪声的功率谱密度基本上与频率无关。
16. ④分配噪声，其强度与f的平方成正比，当f高于晶体管的截止频率时，这种噪声急剧增加。
17. 图1是晶体管噪声系数F随频率变化的曲线。
18. 对于低频，特别是超低频低噪声放大器，应选用1/f噪声小的晶体管；对于中、高频放大，则应尽量选用高的晶体管，使其工作频率范围位于噪声系数-频率曲线的平坦部分。
19. 场效应晶体管没有散粒噪声。
20. 在低频时主要是闪烁噪声，频率较高时主要是沟道电阻所产生的热噪声。
21. 通常它的噪声比晶体管的小，可用于频率高得多的低噪声放大器。
22. 放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。
23. 图2是考虑了自身噪声的放大器模型。
24. us和Rs分别为信源电压和内阻，Rs的热噪声电压均方值等于4kTRs墹f，式中T为绝对温度，k为玻耳兹曼常数，墹f为放大器通带。
25. 放大器自身噪声用噪声电压均方值和噪声电流均方值表示，它们是晶体管工作状态的函数，可以用适当方法来测量。
26. 放大管的直流工作点一旦确定，和亦随之确定，这样，噪声系数F将主要是信源内阻Rs的函数。
27. Rs有一使F为最小的最佳值（图3）。
28. 在工作频率和信源内阻均给定的情况下，噪声系数也和晶体管直流工作点有关。
29. 发射极电流IE有一使噪声系数最小的最佳值，典型的F-IE曲线如图4所示。
30. 晶体管放大器的噪声系数基本上与电路组态无关。
31. 但共发射极放大器具有适中的输入电阻，F为最小时的最佳信源电阻Rs和此输入电阻比较接近，输入电路大体上处于匹配状态，增益较大。
32. 共基极放大器的输入电阻小，共集电极放大器的输入阻抗高，两者均不易同时满足噪声系数小和放大器增益高的条件，所以都不太适于作放大键前置级之用。
33. 为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极-共基极级联的低噪声放大电路。
答：在处理微弱信号时，放大器自身的噪声可能会对信号产生严重干扰，因此，降低这种噪声以提高输出的信噪比至关重要。放大器引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数 F 来衡量。理想放大器的噪声系数为 F＝1（0分贝），这意味着输出信噪比等于输入信噪比。现代低噪声放大器大多采用晶体管或场效应晶体管。微波低噪声...
答：常温参量放大器的发展过程，随着现代科学技术的高速发展，近几年已被微波场效应晶体管放大器所取代，此种放大器具有尺寸小、重量轻和成本低的优异特性。特别是在射频特性方面具有低噪声、宽频带和高增益的特点。在C、Ku、Kv 等频段中已被广泛的使用，目前常用的低噪声放大器的噪声温度可低于45K。
答：第1章着重于线性射频放大器设计，包括功率增益的定义、单向转换功率增益的计算与分析，以及RF电路的稳定性判定，如无耗反馈的影响、二极管稳定性和直流偏置技术的探讨。第二章详细讲解线性低噪声放大器，涉及最大信号增益双向放大器设计、多级放大器的级联和匹配，以及噪声参数的计算和低噪声放大器的设计原则...
答：低噪声放大器 大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。理想放大器的噪声系数 F=1（0分贝），其物理意义是输出信噪比等于输入信噪比。现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低 低噪声放大器...
答：低噪声放大器，噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。
答：2. 放大器的定义更为广泛，任何输出量大于输入量的装置都可以被称为放大器。所谓的“普通放大器”也是一个相对概念，根据不同的应用需求，可以设计出成百上千种不同类型的放大器。3. 低噪声放大器是指那些具有很低噪声系数的放大电路，例如噪声系数小于1dB。在射频和微波领域，为了实现低噪声系数，...
答：由于同频中继放大过程中，由于噪声的引入主要取决于第一级放大器。低噪声放大器（LNA)在直放站中主要是在对接入微弱信号进行第一级放大作用。其噪声系数很好，在放大小信号的同时对底噪有较好的抑制作用。所以通常作为第一级放大器。参考资料：有这方面的问题我们可以交流，我是做这个的：）...
答：要降低低噪声放大器的工作电流，可以采取以下几种方法：选择低噪声元件：选择低噪声的晶体管或其他放大器元件，这样可以降低噪声并减少所需的工作电流。优化电路设计：通过优化电路设计，例如采用共模抑制电路、差分输入电路等技术，可以降低放大器的工作电流。降低温度：降低放大器的工作温度可以减少噪声，从而...
答：运放的噪声是很讨厌，但又非常难解决的问题。你能够做到这一步，相信模拟电路的水平已经到一定程度了。运放电路的噪声与很多因素有关系，首先是电路结构，从噪声情况来说，同相比例放大器比反相比例运放电路，噪声要好很多。以同相比例放大器为例，其主要热噪声的来源有以下5个：1、信号源内阻Rs上的噪声...
