怎么选择降压电路驱动电路的mos管尺寸
1、MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2、MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
3、MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
4、MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。
5、MOS管应用电路
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动。
5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：
(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。
(5)根据情况施加隔离。
mos导通电压低，控制方便（电压驱动），功耗低。
降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择，选择依据如下:首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于1.3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。
然后，再确定输出电流大小，根据电流大小，尽可能选择低内阻MOS管，这意味着其允许输出电流越大，发热越小。并计算MOS管功耗。
最后，根据以上参数:耐压，最大电流和功耗，选择符合以上条件的MOS管。根据允许安装尺寸选择合适的封装。比如top3，to220，to263，to252，dfn8，qfn8，sop8，sot23，sot223等封装。
答：电源设计的重点在变压器上，因为其设计的地方多，可操作空间很大，匝比的选择也要考虑到初级MOS管的Vds，这里不是说尖峰电压，而是反射电压，输入电压加反射电压的电压值也要控制，不能太高，而反射电压就跟匝比有关系，所以要控制匝比，不能让反射电压太高。当然这是在满足降压要求的情况下来设计匝比...
答：mos导通电压低，控制方便（电压驱动），功耗低。
答：3、场效应管对应的三个级为源级，漏级 栅级 三极管的三个级为 基极 发射级 集电极 它们的作用也不一样的，MOS管导通能力强，驱动能力强为电压驱动型 三极管可以降压作用，电流驱动型。4、DC G B SE 前面是MOS，后面是三极管。5、2MOS管的三个极，GSD分别代表是什么1判断栅极G MOS驱动器主要起...
答：压差太大，只适合小电流情况降压 电流稍微大些，MOS管受不住 建议用开关电源电路
答：试试si4800和si4435
答：使SBD为ON。此时，由于线圈的左端被强制性地降到0V以下，VOUT的电压下降，即降压电路原理。由此，FET的ON时间长L里积蓄的电流能越大，越能获得大功率电源，降压的幅度越小。降压时，由于FET为ON时也要给输出供电，所以不需要限制占空比的最大值。A3120是为给FET提供开关的驱动信号的；...
答：R9116D是一块专用于LED非隔离降压型恒流驱动集成电路。其中各分区功能不同，CS：电流采样输入端，VCC：电源端，OVP：过压保护端，S：内部高压MOS管的源极，D：内部高压MOS管的漏极，GND：接地端。
答：8050三极管就够用了，用M0S浪费了
答：单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3.3V，而你的MOS管在Vgs=3.3时的导通阻抗可以接受，那就是可以的，否则就需要增加MOS管驱动电路。鉴于你选择的电路结构，不宜使用NMOS或者IGBT，应使用PMOS及以下电路结构驱动PMOS...
答：P沟道MOS管做开关用，通断5V3A的电路，接通时降压多少阻抗多大跟具体型号有关，且差别很大。例如：AO3401，通断5V3A的电路，接通时降压约0.185V，阻抗65毫欧姆。
