三极管和MOS管有什么区别
三极管和MOS管在功能上有很多相似的地方，但是这两种元件有什么区别？用一个电路告诉你
1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，
2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管
实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和
mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随
器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发
射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电
场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内
建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结
的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此
时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是
电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处
的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外
集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电
源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，
当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的
电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复
时间，因此可以用作高速开关管。
实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和
mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随
器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发
射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电
场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内
建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结
的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此
时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是
电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处
的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外
集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电
源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，
当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的
电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复
时间，因此可以用作高速开关管
三极管和MOS管的区别：
1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。
2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
扩展资料：
产品参数
特征频率
当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。
fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率。
电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE
电流放大倍数。
VCEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。
PCM
最大允许耗散功率.
封装形式
指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。
工作状态
截止状态
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
放大状态
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。
三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
参考资料来源：百度百科-三极管
参考资料来源：百度百科-mos管
功率管与三极管的区别：
1、在所涉及的范围上不同:半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流 放大和开关作用。而功率管是三极管分类中的一种分类，所涉及的范围是很小的，只是作为三极管的一个分支。
2、在原理上不同:双极型半导体三极管在原理上是输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。而功率管在原理上仅仅是作为一个双网络，然后输出电压。
3、在使用上不同:功率的使用是通过放大和利用三极管的电流放大原理将电源的能量转化成需要的能量形式（模拟、数字等）。而三极管的使用是需要通过两个极管来发挥它的作用。
扩展资料：
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源了；
由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.
参考资料：功率管-百度百科
参考资料: 三极管-百度百科
三极管和MOS管的区别：
1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.
2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。
3、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。
4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
简介：
一、三极管：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
二、MOS管：
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。
主要区别如下：
1.原理不同:
双极型半导体三极管在原理上是输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。而功率管在原理上仅仅是作为一个双网络，然后输出电压
2.使用功能不同:
功率的使用是通过放大和利用三极管的电流放大原理将电源的能量转化成需要的能量形式（模拟、数字等）。而三极管的使用是需要通过两个极管来发挥它的作用。
3.涉及范围不同:
半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流 放大和开关作用。而功率管是三极管分类中的一种分类，所涉及的范围是很小的，只是作为三极管的一个分支。
三极管和MOS管的区分方法如下：
用万用表的二极管档（或1k~10k电阻档）测量，三极管的发射极和集电极都对基极单向导通，而发设计和集电极之间互不导通；利用这一点可以确定是否三极管以及类型（PNP管或NPN管）；场效应管则比较复杂，增强型和耗尽型的特点都不一样，但是栅极对源极和漏极一定是不导通的，MOS管也一样，MOS管也是场效应管的一种，只是输入阻抗更高而已。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
答：实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和 mos...
答：三极管和MOS管做开关用时可用以下两种方法来区别。1、工作性质：1、"三极管"用电流控制，MOS管属于电压控制。2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。2、场效应管和晶体管的区别 1、场效应管是电压控制元件，而晶体管...
答：1、性质上的区别 三极管，是一种控制电流的半导体器，是半导体基本元器件之一，是电子电路的核心元件。场效应管属于电压控制型半导体器件，控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流 2、原理上的区别 三极管发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且严格控制杂质含量，这样一旦接通电源后，...
答：工作原理、驱动方式、输入阻抗等区别。1、工作原理：三极管是一种双极型器件，通过基极电流来控制集电极电流的大小，被称为电流控制器件。三极管工作时，内部由空穴和自由电子两种载流子参与导电。MOS管是一种场效应晶体管，是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流大小，被称为电压控制器件。MOS管工作...
答：根据MOS管，三极管的性质可知，通过对它们工作电压的改变可以使它们分别用来放大信号，用来做开关，而MOS管，三极管同时也有大功率和小功率的各种类型管子，因此结合以上特点可知，MOS管，三极管既可以用来做开关管也可以用来做功率管。开关管和功率管的侧重点不同，功率管要求很大的电压和电流输出，而开关管...
答：1，MOS管损耗比三极管小 2，MOS管为电压驱动型，驱动电路比较简单，三极管为电流驱动型 3，MOS管的温度特性要比三极管好
答：因此MOS管（ DMP210DUFB4-7B ）更节能。2、MOS管只有多数载流子参与导电，三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。3、MOS管灵活性比三极管好。4、在工艺上MOS管更易于集成。5、MOS管导通时导通压降小（接近于0 V，而三极管工作于放大状态大于0.3 V）。
答：联系 三种管都是半导体器件，经常在电器元件中同时出现。区别 1、节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。2、稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。3、灵活性：MOS管灵活性比二极管三极管好...
答：有一定的相似性，但不一样。简单的说：MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。复杂的说：两者都有点类似受控电流源，MOS管是栅源电压控制的电流源，三极管是基极电流控制的电流源。二楼的说法不正确，能看懂会用三极管，只是因为三极管相对比较容易学，容易用，学校里用的，教得比较多。MOS管比较...
答：或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。而功率管在原理上仅仅是作为一个双网络，然后输出电压。3、在使用上不同:功率的使用是通过放大和利用三极管的电流放大原理将电源的能量转化成需要的能量形式（模拟、数字等）。而三极管的使用是需要通过两个极管来发挥它的作用。
