为什么P型半导体是电中性
这是由于半导体和掺入的微量元素都是电中性的，而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。
主要空穴说空穴导电呢像看篇资料说电束缚p表示电意思种半导体参与导电主要带电空穴些空穴自于半导体受主杂质所谓受主杂质掺入杂质能够接受半导体价电产同数量空穴改变半导体导电性能例半导体锗硅三价元素硼、铟、镓等原都受主某半导体杂质总量受主杂质数量占数则半导体p型半导体单晶硅掺入三价硼原则硼原与硅原组共价键由于硼原数目比硅原要少整晶体结构基本变某些位置硅原硼原所代替硼三价元素外层三价电所与硅原组共价键自形空穴掺入硼杂质每原都能提供空穴使硅单晶空穴载流数目增加种半导体内几乎没自由电主要靠空穴导电所叫做空穴半导体简称p型半导体～～～～～～～否理解P型半导体电束缚N型电比较容易脱离所形PN结
是由于半导体和掺入的微量元素都是电中性的，而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。
P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
扩展资料：
一、特点
半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。
“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。
因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。
二、形成原理
要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。
对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子。
氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu₂O、NiO、VO₂等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。
参考资料来源：百度百科-P型半导体
对于p型半导体，其中的空穴是多数载流子，但是这些带正电的空穴主要是来自于受主杂质原子的电离。
当一个受主原子电离出一个空穴后，本身就带有一个负电荷，则它们的正负电荷相等，保持为电中性；许多受主原子电离出同样多的空穴后，整个半导体仍然保持为电中性。所以，不管空穴浓度比电子浓度大多少，半导体始终是电中性的。
同样，对于电子是多数载流子的n型半导体，也是电中性的。
由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。
原因：三价的硼得到一个电子变成负离子，而硅失去一个电子变成正离子。
相关知识拓展：P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
因为电中性是从半导体整体来看的，当半导体出于热平衡状态下，其内部的导电载流子就会处于本证激发状态，即产生一个电子的同时会产生一个空穴，所以电子数目=空穴数目，即出现半导体的电中性
答：P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。3、定义不同 N型半导体...
答：p型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性，空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成，掺入的杂质越多，电子或空穴的浓度就越高，导电性能就越强。半导体(semiconductor)，指常温下导电性能介于导体(cond...
答：p型半导体带正负电，即成电中性。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。在P型半导体...
答：电中性哦。空穴旁边是有很多电子的，只是电子不是自由电子，空穴可以通过电子的补位位而移动，整体是电中性的。就像金属的载流子是电子，但金属并不是带负电啊。
答：在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，...
答：半导体内能量较高的电子容易被这个Si原子俘获，而这个电子离开的位置留下一个空位，这就是所谓的空穴。由此可见，p型掺杂并未引入电荷，而只是造成半导体内部电荷的转移，因此p型半导体是电中性的。
答：总结来说，p型半导体是通过向本征半导体中添加三价元素而形成的，它内部有空穴作为正电荷的载体，但整体上材料是电中性的。这是因为空穴的数量与掺杂元素引入的固定负离子数量保持平衡，确保了没有净电荷的存在。
答：1 硅或锗晶体本身只电中性的，掺入三价元素杂质后的P型半导体仍然是电中性的。原因是掺入的三价元素本身也是电中性的（最外层三个电子；相应的，原子核的电量为+3）。所以掺杂后仍然是电中性 2 掺入入五价元素后形成...
答：就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。
答：金属是导电的，但是在没有外加电场的情况下是电中性的，这是因为载流子能够导体和半导体中自由移动，而没有外加电场是不会移动的，因此无外加电场的情况下半导体是电中性的。p型半导体由于硼与Si之间少一个成键电子，Si会...
