请教非晶硅薄膜太阳能电池中的 P N I 都是什么含义？
PIN三节非晶硅、非晶硅锗薄膜太阳能电池工作原理的基础是半导体PN结的光生伏打效应。
所谓光生伏打效应就是当物体受到光照时，物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。当太阳光或其他光照射半导体的PN结时，就会在PN结的两边出现电压，叫做光生电压。
光生伏打效应:
当光照射到pn结上时，产生电子--空穴对，在半导体内部P-N结附近生成的载流子没有被复合而到达空间电荷区，受内部电场的吸引，电子流入n区，空穴流入p区，结果使n区储存了过剩的电子，p区有过剩的空穴。它们在p-n结附近形成与势垒方向相反的光生电场。光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外，还使p区带正电，N区带负电，在N区和P区之间的薄层就产生电动势，这就是光生伏特效应。
当把能量加到纯硅中时（比如以热的形式），它会导致几个电子脱离其共价键并离开原子。每有一个电子离开，就会留下一个空穴。然后，这些电子会在晶格周围四处游荡，寻找另一个空穴来安身。这些电子被称为自由载流子，它们可以运载电流。将纯硅与磷原子混合起来， 只需很少的能量即可使磷原子(最外层五个电子)的某个“多余”的电子逸出，当利用磷原子掺杂时，得到的硅被成为N型（“n”表示负电），太阳能电池只有一部分是N型。另一部分硅掺杂的是硼，硼的最外电子层只有三个而不是四个电子，这样可得到P型硅。P型硅中没有自由电子（“p“表示正电），但是有自由空穴。空穴实际是电子离开造成的，因此它们带有相反（正）的电荷。它们像电子一样四处移动。电场是在N型硅和P型硅接触的时候形成的。在交界处，它们确实会混合形成一道屏障，使得N侧的电子越来越难以抵达P侧。最终会达到平衡状态，这样我们就有了一个将两侧分开的电场。
非晶硅薄膜太阳能电池是一种以非晶硅化合物为基本组成的薄膜太阳能电池。按照材料的不同，当前硅太阳能电池可分为三类：单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。
1.PN结的形成：
硅是一种半导体材料，具有四个价电子，当把具有5个价电子的元素作为杂质掺入硅中，就形成了N型半导体，掺入的杂质比硅多一个价电子，这个电子在硅中可以起到传输电流的作用这种杂质被称为施主杂质，由于电子数量众多，称为多数载流子。例如磷或砷。当把具有3个价电子的元素作为杂质掺入硅中，就形成了P型半导体，这种杂质被称为受主杂质，例如镓取代晶体结构中的硅或锗原子就有一个键上缺少一个电子。把缺电子的这个位置叫空穴。相邻的电子会去填充这个空穴而在别处留下新空穴，相邻电子又去填补新空穴，如此进行下去。这样，电子的运动也就相当于空穴的自由运动。而整体保持电中性。
2 PN结受光照产生光伏效应
光是由不同能量的光子组成，当光照射到PN结的表面时，波长短能量高的光子在P-N结的鼎城产生电子—空穴对，长波低能的光子在P区产生电子—空穴对。如果产生的电子—空穴对有足够长的寿命，扩散到空间电荷区附近被内建电铲分离。由于电学中的异性相吸的原理P区中的光生平衡少子—电子进入N区，N区中的光生非平衡子少子—空穴进入P区。如果太阳能电池的前后电极开路，被内建电场分离的光生电子和光生空穴分别在空间电荷区的两侧积累，形成光电场。这个电场同P—N结原有的内建电场方向相反。光生电场破获了P—N结的平衡，产生光生电压，这就是光变电的光伏效应。
3. P-N结在太阳能电池中的应用
用半导体材料的P／N结构成的太阳能电池是以P型一侧为正极，N型一侧为负极。当太阳光照射P／N结时，P型区的电子吸收光子能量越过接触电势到达N型区形成光电势。把负载与正、负极相连结，电子就通过负载又流到P型区，对负载输出电能。只要有光照，太阳能电池就能输出电能。
半导体材料有多种，以P／N结构成的太阳能电池也可以有多种。目前广泛应用的是单晶硅为基体材料的太阳能电池。在一定的光强照射下开路电压是0．5到0．6伏。它的光电转换效率从开始(1954年)的10％以下到七十年代提高到15％，现已达到20％。提高效率的途径是增强对阳光的吸收和改进P／N结的制备技术。太阳能电池可以象其它化学电池一样进行串、并联组合以满足大功率应用。
这是我论文的一部分 希望对您有所帮助
指的是半导体上的一个PIN结，P 、I 、N 是组成pin结的三个部分，非晶硅薄膜电池就是通过这个结进行光电转换。
（1）工业上首先在玻璃等底衬上沉积一层B参杂的Si薄膜即为P层；
（2）I层也称为本特层，它是在P层上沉积的一层Si薄膜；
（3）最后是N层了，N层是在I层上沉积的一层P参杂的Si薄膜。
并不是有P节、N节、I节，呵呵
P是指的P型半导体，N是指的N型半导体，I是指的本征半导体。
节就是指其接触面。
