载流长直导线周围磁场的磁感应强度大小为 B = kI / r ,式中常量 k >0, I 为电流强度, r 为距导线的

kuaidi.ping-jia.net  作者:佚名   更新日期:2024-04-25
载流长直导线周围磁场的磁感应强度大小为B=kI/r,式中常量k>0,I为电流强度,r为距导线的距离.在水平长

(1)当MN通以强度为I 1 的电流时,两细线内的张力均减小为T 1 ,知此时线框所受安培力合力方向竖直向上,则ab边所受的安培力的向上,cd边所受安培力方向向下,知磁场方向垂直纸面向里,则I 1 方向向左.当MN内电流强度变为I 2 时,两细线内的张力均大于T 0 .知此时线框所受安培力合力方向竖直向下,则ab边所受的安培力的向下,cd边所受安培力方向向上,知磁场方向垂直纸面向外,则I 2 方向向右.(2)当MN中通以电流I时,线圈所受安培力大小为F 1 =KI 1 iL( 1 r1 - 1 r2 )F 2 =KI 2 iL( 1 r1 - 1 r2 )F 1 :F 2 =I 1 :I 2 ,(3)2T 0 =G2T 1 +F 1 =G若加速度向下:F 3 +G= G g a 根据第(2)问结论:I 1 :I 3 =F 1 :F 3 = G-2 T 1 Ga g -G = ( T 0 - T 1 )g (a-g) T 0 I 3 = (a-g) T 0 T 1 ( T 0 - T 1 )g (方向向右)若加速度向上:F 3 -G= G g a 根据第(2)问结论:I 1 :I 3 =F 1 :F 3 = G-2 T 1 Ga g +G = ( T 0 - T 1 )g (a+g) T 0 ,I 3 = (a+g) T 0 T 1 ( T 0 - T 1 )g (方向向左)答:(1)I 1 方向向左,I 2 方向向右.(2)线框受到的安培力F 1 与F 2 大小之比为I 1 :I 2 ,(3)电流I 3 的大小为I 3 = (a-g) T 0 T 1 ( T 0 - T 1 )g (方向向右)或I 3 = (a+g) T 0 T 1 ( T 0 - T 1 )g (方向向左).

AB 试题分析:当MN通以强度为 的电流时,两细线内的张力均减小为 ,知此时线框所受安培力合力方向竖直向上,则ab边所受的安培力的向上,cd边所受安培力方向向下,知直导线在abcd处的磁场方向垂直纸面向外,则 方向向左,选项A正确.设abcd通入电流大小为i,所处的磁感应强度为 (式中常量k>0,I为MN中的电流,r为距MN导线的距离),ab距MN为 ,cd距MN为 。MN中不通电时,有: ;通电流I后,abcd所受安培力 , ;通电流 时, ,且 ,联立解得 ,即 ,故选项B正确。只有当通电 时, ,由牛顿第二定律 ,解得: ,方向竖直向上,故选项C错误。剪断细线后,线框受重力和安培力向下加速,但线框离MN越来越远,安培力减小,故合外力增大,加速度越来越大,;故选项D错误。

解:(1)I 1 方向向左,I 2 方向向右
(2)当MN中通以电流I时,线圈所受安培力大小为F=kIiL( ),F 1 : F 2 =I1 : I2
(3)2T 0 =G,2T 1 +F 1 =G,F 3 +G=G/ga
I 1 : I 3 =F 1 : F 3 =(T 0 -T 1 )g / (a -g )T 0
I 3 =(a -g )T 0 I 1 / (T 0 -T 1 )g



  • 直导线电流的磁场大小
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  • 直导线的磁场
    答:直的通电导线周围的磁场是以导线所在位置为圆心的同心圆,离导线越近,磁感应强度越大,磁感线越密集;离导线越远,磁感应强度越小,磁感线越稀疏。
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    答:这是电流的磁效应。即如果一条直的金属导线通过电流,那么在导线周围的空间将产生圆形磁场。导线中流过的电流越大,产生的磁场越强。磁场成圆形,围绕导线周围。原理可以解释为安培分子电流假说:安培认为在原子、分子等物质...
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    答:(1)通电直导线在周围产生的磁场的磁感应强度B=KI/r 即在同一位置的磁感应强度B与I成正比。(2)在同一位置的磁感应强度B随着通入的电流大小的增大而增强,B随着通入的电流大小的减小而减弱。
  • 电流越大,磁场的什么越大?
    答:基本介绍 电流(运动电荷)的周围存在磁场,他对外的重要表现是:对引入场中的运动试探电荷、载流导体或永久磁铁有磁场力的作用,因此可用磁场对运动试探电荷的作用来描述磁场,并由此引入磁感应强度B作为定量描述磁场中各点特性...