半导体物理高手请进
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-05-31
半导体物理
设载流子扩散流密度J=-D*d△p(x)/dx，D为扩散系数，则单位时间单位体积内载流子数为-dJ/dx=D*d^2△p(x)/dx^2，稳态分布时，单位时间单位体积由于复合而消失的载流子为△p(x)/τ,联立上面两式得扩散稳态方程：
D*d^2△p(x)/dx^2=△p(x)/τ，其解为：
△p(x)=Aexp(-x/L)+Bexp(x/L)，L=sqrt(Dτ)，是扩散长度。
根据边界条件，△p(0)=P1，△p(w)=P2，代入上面的方程，得出A和B的值，再将A和B值代入上式得出稳态载流子分布：
△p(x)= [P1*sh((w-x)/L)+P2*sh(x/L)]/sh(w/L)
该方程定量反映了非平衡载流子的分布仅与空间位置有关（达到稳态时）。这是最一般的情况，考虑两种特殊情况：
(1)w>>L时，在x->0的一端，△p(x)≈P1*sh((w-x)/L)/sh(w/L)≈P1*exp(-x/L)；同理得出在x->W的一端，△p(x)≈P2*exp(-(w-x)/L)。这种情况说明在厚度比较大时即远大于载流子扩散长度L时，两端的分布都是指数衰减形式，体内分布极少。
(2)w<<L时（题目说的薄片可能更属于这种情况），
△p(x)≈[P1*(w-x)/L+P2*x/L]/(w/L)=P1*(1-x/w)+P2*x/w
=P1+[P2-P1]x/w，可见这时载流子呈线性分布，体内浓度介于两个表面浓度之间。
将得到一种稳定状态的分布，与时间无关，只与纵向坐标有关。
少数载流子浓度分布的确定：首先分别计算出从一个表面注入的少数载流子的浓度分布，然后再叠加起来就得到总的浓度分布。在计算时，若W小于少数载流子的扩散长度 ，则问题很简单，即可认为少数载流子的浓度分布是线性分布，于是浓度梯度就分别等于P1/W和P2/W；因此把这两个线性分布相加起来即得到结果——线性分布：一头的浓度为P1，另一头的浓度为P2。 若W与少数载流子的扩散长度差不多，则将是一种双曲线函数分布；若W远大于少数载流子的扩散长度，则可近似为指数函数分布。
知道那个稳态方程吧
dp/dt是0
集成电路设计原理和半导体物理哪个好学
答：两者实用性相当，在操作方面 半导体物理操作难度更大需要借助专业器械，半导体物理主要研究半导体的电子状态，即能带结构、杂质和缺陷的影响、电子在外电场和外磁场作用下的输运过程、半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件...
...rd 的定义和估算式等于什么?麻烦高手简单推推倒。谢谢哦
答：二极管的交流电阻 rd 的定义是其正向特性曲线的斜率。从附图二极管正向特性曲线可以看出，电流越大，二极管交流电阻就越小。所以rd估算式 rd≈UT/Id 其中UT为温度的电压当量，常温下UT=26mV。常温下UT为什么是26mV，那是半导体物理学的事情，我们一般不管，只要会用UT=26mV和电流Id计算rd就行了，呵呵...
三极管饱和问题
答：集电极接的是电源电压，电压几乎全部降在了电阻上。基极电压是低于电阻（负载）电压的。因此就不能说：“直接把基极电压直接供给负载”。基极电压只起控制作用。问题补充回答：三极管工作在饱和状态，首先是否由放大状态进入饱和状态的。单片机输出5V电平也就是要给基极足够大的电流，使三极管快速进入饱和状态...
二极管单向导电原理
答：半导体物理、模拟电路等书上都有的，要说明白这个问题，要用到图啊什么的，比较麻烦，如有需要我传个pdf的书给你。二极管的单向导通，是因为正向开启很小，约0.5~0.7V，而反向导通电压（也就是击穿电压）要到几十伏，所以呈单向导通性。至于你说的电子怎么走，甚至空穴怎么走，电流都没有，哪里来...
热敏电阻
答：为什么热敏电阻有对温度高度灵敏的特性?这是大学物理实验思考题,所以不着边际的不要说,谢谢,高手请进,... 为什么热敏电阻有对温度高度灵敏的特性?这是大学物理实验思考题,所以不着边际的不要说,谢谢,高手请进, 展开 我来答 2个回答 #热议# 已婚女性就应该承担家里大部分家务吗?布衣镜界 2010-12-15 ·...
高手请进!led数码管是谁发明的??!这人太有才了...告诉我!
答：或许最为重要的是，LED行业利用这种新技术来开始白色LED（半导体生态光源）的商业化生产。中村修二 1954 年出生于日本爱媛县濑户町 1977 年德岛大学工学院电子工程学士毕业 1979 年德岛大学电子工程硕士学位毕业， 同年进入日亚化学(Nichia)1988 年日亚化学资助中村进入美国佛罗里达州立大学研究有机金属气象 (...
请问这两本书那本好 谢谢 (高手请进)
答：包括开关电容电路、ADC与DAC、振荡器以及锁相环。 本书可供微电子与集成电路设计专业的研究生以及高年级本科生作为教材使用（大约需要60学时），也可供模拟集成电路设计工程师参考。 本书的读者应具备电路和信号方面的基础知识，如果读者还具备半导体物理方面的知识，则更容易理解本书的内容。
高手请进,麻烦给我说一下变频器与电主轴的作用是什么,为什么两个要连在...
答：1,.变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置，能实现对交流异步电机的软起动、变频调速、提高运转精度、改变功率因数、过流/过压/过载保护等功能.2.电主轴：电动机的转子直接作为机床的主轴，主轴单元的壳体就是电动机机座，并且配合其他零部件，实现电动机与机床主轴...
熟悉单片机 芯片的高手请进啊!!!
答：AT90是增强RISC内载Flash的单片机，是精简指令RISC结构,这种结构综合了半导体集成技术和软件性能的新结构。单片机使用高级语言编程,已经成了一种标准编程方法。AVR结构单片机的开发目的就是在于能够采用C语言编程，从而能高效地开发出目标产品。为了对目标代码大小、性能及功耗的优化，AVR单片机采用了大型快速存取...
太阳能电池材料能带
答：但每个能级能够容纳电子的数目是有限的，可以被填满，填满之后的能级形成的能带叫满带，满带间电子几乎不能移动。而没有填充电子的能带叫空带，部分填充的叫部分填充带，只有后两者能导电。能带也称为允带，允带之间的空隙叫禁带。对于半导体，其原子之间有电子占据的一系列低能级分裂形成满带，没有电子...
国防工业出版社 半导体物理学第四版 刘恩科 朱秉升
北京大学出版社 半导体器件物理基础第二版 曾树荣
看完第一本再看第二本比较合适
有具体数据么.没有话只能代了.而且也没说是小注入大注入,这题目有点问题.而对于扩散方程,只有小注入才有效.以下按小注入来解.
非平衡载流子分布，由于没有外加电场，因此只取决于扩散过程，达到稳态分布后与时间无关。设载流子扩散流密度J=-D*d△p(x)/dx，D为扩散系数，则单位时间单位体积内载流子数为-dJ/dx=D*d^2△p(x)/dx^2，稳态分布时，单位时间单位体积由于复合而消失的载流子为△p(x)/τ,联立上面两式得扩散稳态方程：
D*d^2△p(x)/dx^2=△p(x)/τ，其解为：
△p(x)=Aexp(-x/L)+Bexp(x/L)，L=sqrt(Dτ)，是扩散长度。
根据边界条件，△p(0)=P1，△p(w)=P2，代入上面的方程，得出A和B的值，再将A和B值代入上式得出稳态载流子分布：
△p(x)= [P1*sh((w-x)/L)+P2*sh(x/L)]/sh(w/L)
该方程定量反映了非平衡载流子的分布仅与空间位置有关（达到稳态时）。这是最一般的情况，考虑两种特殊情况：
(1)w>>L时，在x->0的一端，△p(x)≈P1*sh((w-x)/L)/sh(w/L)≈P1*exp(-x/L)；同理得出在x->W的一端，△p(x)≈P2*exp(-(w-x)/L)。这种情况说明在厚度比较大时即远大于载流子扩散长度L时，两端的分布都是指数衰减形式，体内分布极少。
(2)w<<L时（题目说的薄片可能更属于这种情况），
△p(x)≈[P1*(w-x)/L+P2*x/L]/(w/L)=P1*(1-x/w)+P2*x/w
=P1+[P2-P1]x/w，可见这时载流子呈线性分布，体内浓度介于两个表面浓度之间。
将得到一种稳定状态的分布，与时间无关，只与纵向坐标有关。
少数载流子浓度分布的确定：首先分别计算出从一个表面注入的少数载流子的浓度分布，然后再叠加起来就得到总的浓度分布。在计算时，若W小于少数载流子的扩散长度 ，则问题很简单，即可认为少数载流子的浓度分布是线性分布，于是浓度梯度就分别等于P1/W和P2/W；因此把这两个线性分布相加起来即得到结果——线性分布：一头的浓度为P1，另一头的浓度为P2。 若W与少数载流子的扩散长度差不多，则将是一种双曲线函数分布；若W远大于少数载流子的扩散长度，则可近似为指数函数分布。
知道那个稳态方程吧
dp/dt是0
答：两者实用性相当，在操作方面 半导体物理操作难度更大需要借助专业器械，半导体物理主要研究半导体的电子状态，即能带结构、杂质和缺陷的影响、电子在外电场和外磁场作用下的输运过程、半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件...
答：二极管的交流电阻 rd 的定义是其正向特性曲线的斜率。从附图二极管正向特性曲线可以看出，电流越大，二极管交流电阻就越小。所以rd估算式 rd≈UT/Id 其中UT为温度的电压当量，常温下UT=26mV。常温下UT为什么是26mV，那是半导体物理学的事情，我们一般不管，只要会用UT=26mV和电流Id计算rd就行了，呵呵...
答：集电极接的是电源电压，电压几乎全部降在了电阻上。基极电压是低于电阻（负载）电压的。因此就不能说：“直接把基极电压直接供给负载”。基极电压只起控制作用。问题补充回答：三极管工作在饱和状态，首先是否由放大状态进入饱和状态的。单片机输出5V电平也就是要给基极足够大的电流，使三极管快速进入饱和状态...
答：半导体物理、模拟电路等书上都有的，要说明白这个问题，要用到图啊什么的，比较麻烦，如有需要我传个pdf的书给你。二极管的单向导通，是因为正向开启很小，约0.5~0.7V，而反向导通电压（也就是击穿电压）要到几十伏，所以呈单向导通性。至于你说的电子怎么走，甚至空穴怎么走，电流都没有，哪里来...
答：为什么热敏电阻有对温度高度灵敏的特性?这是大学物理实验思考题,所以不着边际的不要说,谢谢,高手请进,... 为什么热敏电阻有对温度高度灵敏的特性?这是大学物理实验思考题,所以不着边际的不要说,谢谢,高手请进, 展开 我来答 2个回答 #热议# 已婚女性就应该承担家里大部分家务吗?布衣镜界 2010-12-15 ·...
答：或许最为重要的是，LED行业利用这种新技术来开始白色LED（半导体生态光源）的商业化生产。中村修二 1954 年出生于日本爱媛县濑户町 1977 年德岛大学工学院电子工程学士毕业 1979 年德岛大学电子工程硕士学位毕业， 同年进入日亚化学(Nichia)1988 年日亚化学资助中村进入美国佛罗里达州立大学研究有机金属气象 (...
答：包括开关电容电路、ADC与DAC、振荡器以及锁相环。 本书可供微电子与集成电路设计专业的研究生以及高年级本科生作为教材使用（大约需要60学时），也可供模拟集成电路设计工程师参考。 本书的读者应具备电路和信号方面的基础知识，如果读者还具备半导体物理方面的知识，则更容易理解本书的内容。
答：1,.变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置，能实现对交流异步电机的软起动、变频调速、提高运转精度、改变功率因数、过流/过压/过载保护等功能.2.电主轴：电动机的转子直接作为机床的主轴，主轴单元的壳体就是电动机机座，并且配合其他零部件，实现电动机与机床主轴...
答：AT90是增强RISC内载Flash的单片机，是精简指令RISC结构,这种结构综合了半导体集成技术和软件性能的新结构。单片机使用高级语言编程,已经成了一种标准编程方法。AVR结构单片机的开发目的就是在于能够采用C语言编程，从而能高效地开发出目标产品。为了对目标代码大小、性能及功耗的优化，AVR单片机采用了大型快速存取...
答：但每个能级能够容纳电子的数目是有限的，可以被填满，填满之后的能级形成的能带叫满带，满带间电子几乎不能移动。而没有填充电子的能带叫空带，部分填充的叫部分填充带，只有后两者能导电。能带也称为允带，允带之间的空隙叫禁带。对于半导体，其原子之间有电子占据的一系列低能级分裂形成满带，没有电子...
