求三极管基极电流
kuaidi.ping-jia.net 作者：佚名 更新日期：2024-06-01
此题利用 基尔霍夫电压定理
以图得条件如下
12V=Ib*100000+0.7V+Ic*100
Ic=Ib(1+B)
看好 我要变形了
12-0.7=Ib*100000+Ib(1+B)*100
Ib=（12-0.7）/（100000+（1+b）*100）
一只三极管的放大系数为六十,基极电流为十ma,试求:发射极和集电极的电...
答：如果是放大状态,集电极电流等于基极电流10mA乘以放大系数60,等于600mA,发射极电流等于集电极电流600mA与基极电流10mA之和,等于610mA。
如图npn三极管 怎么计算基极电流?别说用12v/(Rb+Re)
答：该管Rb只比Rc大3倍，已经完全进入饱和状态，因此三极管完全饱和导通，对于Re而言，如果把三极管短路，近似等于Rb//Rc与Re分压，即23Ω与10Ω分压，发射极电压约为12V*10/（23+10）=3.7V，基极电压4.4V，基极电流（Rb上电流）=（12-4.4）/100Ω=76mA。因为分压时没有考虑Rb电压比Rc电压小0...
三极管在三种状态下基极电流都是什么范围
答：截止状态下，Ib为Ibeo近似于0。放大状态下，Ib=Ube/rbe一般为微安级 饱和状态下，Ib==Ube/rbe，,饱和是指集电极电流不受基极电流的控制。与集电极电阻没有关系。
怎么求三极管基级电流?理解
答：基极电流回路是图中蓝色圈，与红圈没有关系。所以红圈不影响IBQ。因为三极管发射结其实就是一个二极管，所以它导通时两端压降是固定的（硅管以0.7V计），并且电压达不到0.7V就不能导通。所以计算电流就要减去0.7V。
三极管,二极管电流公式
答：三极管公式：Ie=Ib+Ic(可变形求其它两值）其中Ie是发射极电流，Ib是基极电流，Ic是集电极电流，不论是PNP还是NPN管都是这个公式 二极管公式：ID=1/2•IL=1/2•（0.9•V2∕RL)=0.45•V2∕RL这是求二极管的平均电流ID,其中IL是输出直流电流，V2是整流前的电压，RL是...
三极管求电流
答：设Q1基极电流、Q1集电极电流、Q2基极电流分别为x、y、z 则因为Q1与Q3是镜像，所以Q3基极电流、Q3集电极电流也分别是x、y R的电流是：y+z=(15-2*0.7)/100=0.136mA=136uA Q2的发射极电流是：z+i=2x+y 由三极管β=100得：i=100z，y=100x 代入上两式得：100x+z=136，101z=102x 消去x...
三极管基极电流是多少?
答：首先-24变+24才可以工作啊,再就是ADJ电压调大一定程度是时10V稳压管将IB控制了,IB大小看你怎么调了,如果10V稳压管处在工作状态,那么VDD=10V-VBE,大概9.4V吧,IB=(10-5.1) /〔 (1+β)RE+rbe〕
三极管饱和的基极电流怎么计算
答：首先确定集电极饱和电流Ics，忽略集电极饱和压降，Ics=Vcc/RL，三极管电流放大系数取较低值即可，如HFE=50左右。则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE，一般取2倍Ib。上述方法适宜于深度饱和电路，一般用于控制电路及低速开关电路。
求助!当三极管基极输入低电平时,三极管饱和导通,此时基极电流和负载上电...
答：因为低电平接近地电位，此时基极电流 Ib≈Vcc-Vbe/R13 饱和导通时负载电流 Iz=Vcc-Vces/Rz Vces为三极管饱和压降，通常取1V Rz为电机呈现的电抗值。
三极管集电极电流与基极电流的关系
答：不同型号、不同参数的三级管其放大倍数β也可能有所差异，Ic是三极管的集电极电流，Ib是三极管的基极电流，β是三极管的放大倍数，所以三极管集电极电流与基极电流的关系Ic=β*Ib。三极管，全称应为半导体三极管，是一种控制电流的半导体器件，是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
以图得条件如下
12V=Ib*100000+0.7V+Ic*100
Ic=Ib(1+B)
看好 我要变形了
12-0.7=Ib*100000+Ib(1+B)*100
Ib=（12-0.7）/（100000+（1+b）*100）
答：如果是放大状态,集电极电流等于基极电流10mA乘以放大系数60,等于600mA,发射极电流等于集电极电流600mA与基极电流10mA之和,等于610mA。
答：该管Rb只比Rc大3倍，已经完全进入饱和状态，因此三极管完全饱和导通，对于Re而言，如果把三极管短路，近似等于Rb//Rc与Re分压，即23Ω与10Ω分压，发射极电压约为12V*10/（23+10）=3.7V，基极电压4.4V，基极电流（Rb上电流）=（12-4.4）/100Ω=76mA。因为分压时没有考虑Rb电压比Rc电压小0...
答：截止状态下，Ib为Ibeo近似于0。放大状态下，Ib=Ube/rbe一般为微安级 饱和状态下，Ib==Ube/rbe，,饱和是指集电极电流不受基极电流的控制。与集电极电阻没有关系。
答：基极电流回路是图中蓝色圈，与红圈没有关系。所以红圈不影响IBQ。因为三极管发射结其实就是一个二极管，所以它导通时两端压降是固定的（硅管以0.7V计），并且电压达不到0.7V就不能导通。所以计算电流就要减去0.7V。
答：三极管公式：Ie=Ib+Ic(可变形求其它两值）其中Ie是发射极电流，Ib是基极电流，Ic是集电极电流，不论是PNP还是NPN管都是这个公式 二极管公式：ID=1/2•IL=1/2•（0.9•V2∕RL)=0.45•V2∕RL这是求二极管的平均电流ID,其中IL是输出直流电流，V2是整流前的电压，RL是...
答：设Q1基极电流、Q1集电极电流、Q2基极电流分别为x、y、z 则因为Q1与Q3是镜像，所以Q3基极电流、Q3集电极电流也分别是x、y R的电流是：y+z=(15-2*0.7)/100=0.136mA=136uA Q2的发射极电流是：z+i=2x+y 由三极管β=100得：i=100z，y=100x 代入上两式得：100x+z=136，101z=102x 消去x...
答：首先-24变+24才可以工作啊,再就是ADJ电压调大一定程度是时10V稳压管将IB控制了,IB大小看你怎么调了,如果10V稳压管处在工作状态,那么VDD=10V-VBE,大概9.4V吧,IB=(10-5.1) /〔 (1+β)RE+rbe〕
答：首先确定集电极饱和电流Ics，忽略集电极饱和压降，Ics=Vcc/RL，三极管电流放大系数取较低值即可，如HFE=50左右。则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE，一般取2倍Ib。上述方法适宜于深度饱和电路，一般用于控制电路及低速开关电路。
答：因为低电平接近地电位，此时基极电流 Ib≈Vcc-Vbe/R13 饱和导通时负载电流 Iz=Vcc-Vces/Rz Vces为三极管饱和压降，通常取1V Rz为电机呈现的电抗值。
答：不同型号、不同参数的三级管其放大倍数β也可能有所差异，Ic是三极管的集电极电流，Ib是三极管的基极电流，β是三极管的放大倍数，所以三极管集电极电流与基极电流的关系Ic=β*Ib。三极管，全称应为半导体三极管，是一种控制电流的半导体器件，是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
