mos场效应管p型和n型如何区分
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。
mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。
场效应管
简介
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 -
氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
特点
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
场效应管的抗辐射能力强；
由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
作用
场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应管可以用作可变电阻。
场效应管可以方便地用作恒流源。
场效应管可以用作电子开关
IMG_2118
不过现实中，耗尽型的类型很少，而P沟道也比较少，最多的就是N沟道增强型MOSFET，也就是增强型N-MOSFET。
大部分MOS管的外观极其类似，常见的封装种类有TO252，TO220，TO92，TO3，TO247等等，但具体的型号有成千上万种，因此光从外观是无法区分的。对于不熟悉型号，经验又比较少的人来说，比较好的方法就是查器件的datasheet（pdf格式，一般是英文），里面会详细告诉你，它的类型和具体参数，这些参数对于你设计电路极有用。
我们区分类型，一般就是看型号，比如IRF530，IRF540，IRF3205，IRPF250等这些都是很常见的增强型N-MOSFET，而对应的IRF9530，IRF9540就是增强型P-MOSFET，耗尽型的两种，我至今还没在实际电路中看到过具体的器件。
前面一个朋友的说法有一些欠妥，比如结型管（J-FET）与MOSFET并不互相包含，反而是并列关系，这两种是场效应管的两种类型，而JFET也可以分成N-JFET和P-JFET两种，像2SK117，2SK596都是常见的N-JFET型号，不过P-JFET的具体型号我还没见过，一般都融入了集成电路设计（IC设计）中。
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。
一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。
mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型
你问哪一种？
这几种的特点都不一样！
一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启
你找一本绿皮的电子线路基础，里面很清晰，曲线图有，沟道怎么形成也有。
或者你买一本蓝皮的CMOS集成电路设计，第二章也讲得非常清晰。
如果你还是不懂，你最好先学习一下”半导体原理“和”半导体器件物理“这两本书。这对于沟道如何形成的理解有很大帮助。或者再往前推，你可以先看一下”固体物理“这本书。
答：P沟道的特殊应用: P沟道MOS，尤其是增强型，通过改变栅压调节电阻来控制电流，耗尽型则无需额外栅压，仅通过偏压调整。由于跨导小和低速特性，它们常用于低速电路，如采用-24V供电的系统。在CMOS-PMOS接口电路中，电压要求可能有所不同。MOS场效应晶体管的优势: 以高输入阻抗著称，这使得它们在信号耦合...
答：当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔...
答：指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断N-P沟方法(二极管档)：N沟MOS管：黑表笔接（D），红表笔接（S），显示500左右数字。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。备注：D就是外壳。
答：纠正你一点，MOS管可不叫P型和N型，那是掺杂半导体的专用称呼。应该称作N沟道，P沟道，否则会被内行笑话的。要区分N沟道还是P沟道，最简单实用的方法就是查这个器件的技术文档（datasheet，pdf格式，一般是英文），也可以查场效应管替换手册（像一部字典一样的东西，属于技术手册，中文的）。有经验的...
答：1. 场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。2. 每种场效应管都有P型和N型两种管子。类型是依据沟道的类型来定的，沟道为N型沟道（电子），管子就为N型，沟道为P型沟道（空穴），管子就为P型。3. MOS是金属（Metal）...
答：欧，反向无穷大(1)，另外C/E正反向都为无穷大(1)就是好的。、替换原则：类型一样就可以替换如何判断MOS管是什么类型（取下来放电后再测量）N沟道：万用表打到二极管挡，黑笔接D极，红笔接S极，测出来 有阻值400-700欧，反向无穷大“1”，此管为N沟道。P沟道：万用表打到二极管挡，红笔接D...
答：场效电晶体可以用作电子开关。N型场效电晶体和场效电晶体有什么区别 N型场效电晶体和MOS管有什么区别 1. 场效电晶体（FET）分为MOS场效电晶体（MOSFET）和结型场效电晶体（JFET）。现在主要使用MOS场效电晶体，即通常所称的MOS管。 2. 每种场效电晶体都有P型和N型两种管子。型别是依据...
答：根据型号查它的规格书，规格书上有相关说明。规格书也可以向供应商索取。用测试的方法，控制栅极给高电平就能导通的是N沟道，否则是P沟道。×××
答：第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母...
答：增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当Ugs<Ugs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。2、N沟道增强型：当Ugs>Ugs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。1、P沟道耗尽型：当Ugs<Ugs(off)时导通，这个Ugs...
